without aluminium oxide products co

without aluminium oxide products could pour down and deposited
on the lower layer powder compacts (type-I powder) and ignite the
SHS reaction of Ti–C–Cu system.
It has been well studied to prepare TiC by SHS reaction
from (Ti + C) powder mixture [12–14]. In the Ti–C system, the
ignition temperature was generally close to the melting point
of Ti, and can be lowered by adding another metallic powder
such as Cu. Differential thermal analysis showed that the reaction
initiated at around 960 ◦C which was the eutectic point
for the melting of CuTi2 and CuTi in Ti–C–Cu system [15].
The formation mechanism of TiC in the ternary system can
be described as dissolution-precipitation, namely, Ti and C dissolve
in the Cu melt which then precipitates out TiC upon
cooling.
Therefore, a proposed mechanism and speculation of the formation
of TiC reinforced Cu/Ni matrix coating follows. In present work,
Cu started to melt initially upon the molten Cu/Ni metal depositing
on the lower layer compacts. With increasing temperature, the
Cu–Ti liquids formed via the diffusion reactions between the Cu
and Ti. The unreacted Ti and C particles dissolved into the Cu–Ti
liquids and led to the formation of the Cu–Ti–C ternary liquids;
subsequently, TiC formed in the liquids. Then Ti and C particles
continuously dissolved into the Cu–Ti–C liquid and TiC particulates
gradually precipitated out of the saturated liquids.
4. Conclusions
A novel method to prepare MMC coatings via SHS was developed.
The main aim was to obtain ceramic particulate reinforced
metal matrix composites coatings employing a simple and energysaving
process.
An in situ synthesized TiC reinforced Cu/Ni based MMC coating
was successfully produced on a steel substrate via this process.
Fine (less than 10 m) columnar morphology TiC particles were
uniformly distributed in the metal matrix and no pores or microcracks
were found in the coating. A strong metallurgical bonding
was achieved at the interface between the MMC coating and the
steel substrate. We believe that this method can be also applied
to a large number of other SHS systems to obtain different MMC
layers.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยอะลูมิเนียม ออกไซด์ผลิตภัณฑ์สามารถเทลง และฝากบนแป้งชั้นล่างกระชับ (ชนิด-ผมฝุ่น) และจุดปฏิกิริยา SHS ระบบ Ti – C – Cuมันดีศึกษาเตรียม TiC มาปฏิกิริยา SHSจาก (Ti + C) ผงผสม [12-14] ในระบบ Ti – C การอุณหภูมิจุดระเบิดได้โดยทั่วไปใกล้จุดหลอมเหลวของ Ti สามารถปรับลดเพิ่มผงโลหะอื่นเช่นจุฬาฯ แตกต่าง การวิเคราะห์ความร้อนแสดงให้เห็นว่าปฏิกิริยาเริ่มต้นที่ประมาณ 960 ◦C ซึ่งจุด eutecticสำหรับการละลายของ CuTi2 และ CuTi ในระบบ Ti – C – Cu [15]กลไกการก่อตัวของ TiC ในระบบฐานสามสามารถจะเป็นการยุบฝน คือ Ti และ C ละลายใน Cu การละลายที่ตกตะกอนแล้วออก TiC เมื่อระบายความร้อนดังนั้น กลไกการนำเสนอและการเก็งกำไรของการก่อตัวของ TiC เสริม Cu/Ni เมทริกซ์สีดังนี้ ในการทำงานปัจจุบันCu ที่เริ่มละลายตอนเริ่มต้นเมื่อมีการหลอมละลาย Cu/Ni โลหะฝากบนชั้นล่างกระชับ ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิ การCu – Ti ของเหลวที่เกิดขึ้นผ่านแพร่ปฏิกิริยาระหว่าง Cu กับและ Ti Ti และ C อนุภาค unreacted ละลายใน Cu – Tiของเหลว และนำไปสู่การก่อตัวของของเหลวแบบไตรภาค Cu – เว – Cต่อมา TiC เกิดขึ้นในของเหลว แล้ว Ti และ C อนุภาคอย่างต่อเนื่องละลาย Cu – เว – C ของเหลวและฝุ่นละออง TiCค่อย ๆ ตกตะกอนออกจากของเหลวอิ่มตัว4. บทสรุปวิธีการเตรียมเคลือบ MMC ผ่าน SHS นวนิยายได้รับการพัฒนาจุดประสงค์หลักคือรับอนุภาคเซรามิคเสริมเมทริกซ์โลหะเคลือบคอมโพสิตที่ใช้ง่ายและผู้ประกอบการอย่างกระบวนการมีในแหล่งกำเนิดสังเคราะห์เสริม TiC Cu/Ni ใช้ MMC เคลือบเรียบร้อยแล้วผลิตบนพื้นผิวเหล็กด้วยกระบวนการนี้มีอนุภาค TiC ดูสัณฐานวิทยาดี (น้อยกว่า 10 เมตร)กระจายสม่ำเสมอในเมทริกซ์โลหะไม่มีรูขุมขน หรือ microcracksพบในการเคลือบ พันธะโลหะที่แข็งแรงสำเร็จที่เชื่อมระหว่างการเคลือบของ MMC และการพื้นผิวเหล็ก เราเชื่อว่า วิธีนี้สามารถนำไปใช้ยังการอื่น ๆ ระบบ SHS รับ MMC ที่แตกต่างกันจำนวนมากชั้นล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไม่มีผลิตภัณฑ์อลูมิเนียมออกไซด์สามารถเทลงและนำไปฝากไว้
ในอัดผงชั้นล่าง (ชนิด-I ผง) และจุดชนวน
ปฏิกิริยา SHS ระบบ Ti-C-Cu.
จะได้รับการศึกษาที่ดีเพื่อเตรียมความพร้อม TiC จากปฏิกิริยา SHS
จาก (TI + C ) ผงผสม [12-14] ในระบบ Ti-C ที่
อุณหภูมิที่ติดไฟโดยทั่วไปใกล้กับจุดหลอมละลาย
ของ Ti และสามารถลดลงได้โดยการเพิ่มผงโลหะอื่น
เช่น Cu การวิเคราะห์ความร้อนที่แตกต่างกันแสดงให้เห็นว่าการเกิดปฏิกิริยา
เริ่มต้นที่ประมาณ 960 ◦Cซึ่งเป็นจุดยูเทคติก
สำหรับการละลายของ CuTi2 และ Cuti ในระบบ Ti-C-Cu [15].
กลไกการก่อตัวของ TiC ในระบบ ternary สามารถ
อธิบายได้ว่าการสลายตัว -precipitation คือ Ti และ C ละลาย
ใน Cu ละลายแล้วตกตะกอนออก TiC เมื่อ
ระบายความร้อน.
ดังนั้นกลไกการเสนอและการเก็งกำไรของการพัฒนา
ของ TiC เสริม Cu / Ni เคลือบเมทริกซ์ดังต่อไปนี้ ในการทำงานปัจจุบัน
Cu เริ่มที่จะละลายแรกเมื่อหลอมเหลวฝากโลหะ Cu / Ni
ล่างอัดชั้น ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิ
ของเหลว Cu-Ti รูปแบบที่ผ่านการแพร่ปฏิกิริยาระหว่างทองแดง
และ Ti unreacted Ti และ C อนุภาคละลายลงไปใน Cu-Ti
ของเหลวและนำไปสู่การก่อตัวของของเหลว Cu-Ti-C ternary นั้น
ต่อมา TiC เกิดขึ้นในของเหลว แล้ว Ti และ C อนุภาค
ละลายอย่างต่อเนื่องเข้าไปในของเหลว Cu-Ti-C และอนุภาค TiC
ค่อยๆตกตะกอนออกจากของเหลวอิ่มตัว.
4 สรุปผลการวิจัย
วิธีการใหม่ในการเตรียมความพร้อมการเคลือบ MMC ผ่าน SHS ได้รับการพัฒนา.
จุดประสงค์หลักคือเพื่อให้ได้อนุภาคเซรามิกเสริม
เมทริกซ์โลหะคอมโพสิตเคลือบจ้างที่ง่ายและ energysaving
กระบวนการ.
ในแหล่งกำเนิดสังเคราะห์ TiC เสริม Cu / Ni เคลือบ MMC ตาม
ที่ถูกผลิตที่ประสบความสำเร็จใน พื้นผิวเหล็กผ่านกระบวนการนี้.
วิจิตร (น้อยกว่า 10 เมตร) เสาสัณฐานอนุภาค TiC ถูก
กระจายอย่างสม่ำเสมอในเนื้อโลหะและไม่มีรูขุมขนหรือ microcracks
ถูกพบในการเคลือบ พันธะโลหะที่แข็งแกร่ง
ก็ประสบความสำเร็จในการเชื่อมต่อระหว่างการเคลือบ MMC และที่
พื้นผิวเหล็ก เราเชื่อว่าวิธีการนี้สามารถนำมาใช้ยัง
เป็นจำนวนมากของระบบ SHS อื่น ๆ ที่จะได้รับ MMC ที่แตกต่างกัน
ชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยไม่ต้องผลิตภัณฑ์อลูมิเนียมออกไซด์ จะเทลงไป และฝากบนชั้นล่างผง ( ผงชิ้นงานประเภท - I ) และจุดปฏิกิริยาของ Ti - C – SHS กับระบบมันได้ถูกศึกษาดีเตรียมโดยปฏิกิริยา SHS ทิคจาก ( I + C ) ผงผสม [ 12 – 14 ] ใน Ti – C ระบบอุณหภูมิจุดระเบิดโดยทั่วไปคือใกล้จุดหลอมเหลวของ TI และสามารถลดลงได้โดยการเพิ่มโลหะผงเช่น ทองแดง การวิเคราะห์ทางความร้อนพบว่าปฏิกิริยาแตกต่างกันเริ่มต้นที่ประมาณ 960 ◦ C ซึ่งเป็นจุดยูเทกติกสำหรับการหลอมละลายของ cuti2 ท่องเที่ยวใน Ti ( C ) และใช้ระบบ [ 15 ]กลไกการก่อตัวของ TIC ในระบบเทอร์นารี สามารถจะอธิบายด้วยการสลายตัวคือ Ti และ C ละลายในจุฬาฯ ละลายซึ่งตะกอนออก TIC เมื่อเย็นดังนั้น การนำเสนอของการพัฒนากลไกและการเก็งกำไรของติ๊กเสริมทองแดง / ชั้นเคลือบเมทริกซ์ดังนี้ ในการเสนอผลงานจุฬาฯเริ่มละลายในตอนแรกเมื่อหลอมโลหะ Cu / ผมฝากบนชิ้นงานชั้นล่าง กับการเพิ่มอุณหภูมิจุฬาฯ– Ti ของเหลวเกิดขึ้นผ่านทางแพร่ปฏิกิริยาระหว่างทองแดงและ TI . Ti และอนุภาคเข้าสู่ C ละลายในจุฬาฯ – ตี้ของเหลว และนำไปสู่การก่อตัวของ Cu ( Ti ) C ประกอบไปด้วยของเหลว ;ต่อมา TIC เกิดขึ้นในของเหลว แล้วทิและ C อนุภาคอย่างต่อเนื่องที่ละลายในจุฬาฯ–ทิ ) C ของเหลวและฝุ่น ติ๊กค่อยๆตกตะกอนจากของเหลวอิ่มตัว .4 . สรุปวิธีการใหม่เพื่อเตรียมการเคลือบ MMC ผ่าน SHS ได้รับการพัฒนาจุดประสงค์หลักคือเพื่อให้ได้อนุภาคเซรามิค เสริมเคลือบโลหะเมทริกซ์คอมใช้ง่ายและประหยัดพลังงานกระบวนการในแหล่งกำเนิดสังเคราะห์ TIC เสริม Cu / ผมใช้ MMC เคลือบได้ผลิตบนพื้นผิวเหล็กที่ผ่านกระบวนการนี้ดี ( น้อยกว่า 10 เมตร ) มีสัณฐาน TIC พบอนุภาคจุดกระจายในเมทริกซ์และไม่มีรู หรือ microcracks โลหะที่พบในผิวเคลือบ แข็งแรง โลหะเชื่อมคือความที่รอยต่อระหว่าง MMC เคลือบและพื้นผิวเหล็ก เราเชื่อว่าวิธีนี้สามารถประยุกต์จํานวนของระบบ SHS อื่น ๆ ที่จะได้รับแตกต่างกันสำหรับชั้น