Experimental detailsAll solvents an

Experimental details
All solvents and reagents were purchased from Sigma-Aldrich or
Strem Chemicals and used as received. Scanning electron
microscopy (SEM) was done using a Weiss Gemini Ultra-55
Analytical Scanning Electron Microscope operated at 5 kV.
Transmission electron microscopy (TEM) was done using
a JEOL 2100-F Field-Emission Analytical Transmission Electron
Microscope operated at 200 kV. X-ray diffraction was
performed on samples prepared on silicon substrates using
a Bruker-AXS D8 with a general area detector and Cu Ka
radiation (l ¼ 1.54 A). UV-vis absorbance measurements were
made using a Shimadzu UV-3600.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รายละเอียดการทดลองหรือสารทำละลายและ reagents ทั้งหมดซื้อจาก Aldrich ซิก หรือStrem เคมี และใช้เป็นที่รับ อิเล็กตรอนสแกนทำ microscopy (SEM) ใช้กับมีร์เมถุน Ultra-55กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนการสแกนวิเคราะห์ดำเนินการใน 5 kVกระทำการส่งอิเล็กตรอน microscopy (ยการ) โดยใช้อิเล็กตรอน 2100 F ส่งวิเคราะห์มลพิษฟิลด์ JEOLกล้องจุลทรรศน์ดำเนินการ 200 kV เอ็กซ์เรย์การเลี้ยวเบนได้การเตรียมพื้นผิวซิลิกอนที่ใช้ในตัวอย่างD8 Bruker AXS จับพื้นที่ทั่วไปและ Cu Kaรังสี (l ¼ 1.54 A) วัด absorbance UV-vis ถูกทำใช้กับ Shimadzu UV-3600

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายละเอียดการทดลอง
ตัวทำละลายและสารเคมีทั้งหมดที่ซื้อมาจาก บริษัท Sigma-Aldrich หรือ
Strem สารเคมีและใช้เป็นที่ได้รับ อิเล็กตรอนแบบส่องกราด
กล้องจุลทรรศน์ส่องกราด (SEM) ที่ได้กระทำโดยใช้อัลตร้าไวสส์ราศีเมถุน-55
วิเคราะห์กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบดำเนินการใน 5 kV.
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (TEM) ได้รับการดำเนินการโดยใช้
JEOL 2100-F สนาม-Emission วิเคราะห์ Transmission Electron
Microscope ดำเนินการใน 200 กิโลโวลต์ X-ray diffraction ได้รับการ
ดำเนินการกับตัวอย่างที่เตรียมไว้บนพื้นผิวซิลิกอนโดยใช้
Bruker AXS-D8 กับเครื่องตรวจจับพื้นที่โดยทั่วไปและทองแดงกา
รังสี (ลิตร¼ 1.54?) UV-Vis การวัดการดูดกลืนแสงที่ถูก
สร้างขึ้นโดยใช้ Shimadzu UV-3600