Use 12V zener, choose a mosfet with

Use 12V zener, choose a mosfet with low gate threshold preferably Vth < 3V, Vgs < 12V and capable of high instanteneous current.

If a voltage Vin gets above 12V, Vin - Vz will appear at the gate of the mosfet. When this voltage goes above the threshold voltage, mosfet turns on and shorts the input to the ground via fuse, the fuse blows.

On a second thought, a small resistor could be put on the drain of the mosfet to protect it from overcurrent. Resistor value should be hight enough so that 24V/R < Imax for mosfet, but low enough for the fuse to blow 24V/R > Ifuse.

You can use PTC instead of fuse, but these tend to be slower, so you would probably need a beefier mosfet.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้ซีเนอร์ 12V เลือกมอสเฟตกับขีดจำกัดต่ำสุดประตูควร Vth < 3V, Vgs < 12V และความสามารถของ instanteneous สูงปัจจุบัน

ถ้าเป็นแรงดัน Vin จะเหนือ 12V วิน - Vz จะปรากฏอยู่ที่ประตูของมอสเฟต เมื่อแรงดันไฟฟ้านี้ไปเหนือขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า มอสเฟตเปิด และสั้นเข้าไปพื้นดินผ่านฟิวส์ พัดชนวน

กับความคิดที่สอง ตัวต้านทานขนาดเล็กสามารถใส่ในท่อระบายน้ำของมอสเฟตเพื่อป้องกัน overcurrent ค่าตัวต้านทานควรจะทาขนมปังให้พอที่ 24V/R <ไอแม็กซ์มอสเฟต แต่ต่ำพอสำหรับชนวนที่จะระเบิด 24V/R > Ifuse.

คุณสามารถใช้ PTC ชนวน แต่เหล่านี้มักจะทำงานช้าลง ดังนั้นคุณอาจจะต้องใช้มอสเฟต beefier

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

12V ใช้ซีเนอเลือก MOSFET ด้วยประตูเกณฑ์ต่ำโดยเฉพาะอย่างยิ่ง Vth <3V, Vgs <12V และความสามารถในการสูง instanteneous ปัจจุบันถ้าแรงดัน Vin ได้รับข้างต้น 12V, Vin - Vz จะปรากฏขึ้นที่ประตู MOSFET เมื่อแรงดันไฟฟ้านี้ไปข้างต้นแรงดันเกณฑ์ที่ MOSFET เปิดและกางเกงขาสั้นที่ใส่ลงไปที่พื้นผ่านฟิวส์พัดฟิวส์ในความคิดที่สองต้านทานขนาดเล็กอาจจะใส่ในท่อระบายน้ำของ MOSFET เพื่อปกป้องมันจากกระแสเกิน ค่าความต้านทานควรจะสูงเพียงพอเพื่อให้ 24V / R <ไอแมกซ์เพื่อ MOSFET แต่ต่ำพอสำหรับฟิวส์จะระเบิด 24V / R> Ifuse คุณสามารถใช้ PTC แทนฟิวส์ แต่เหล่านี้มีแนวโน้มที่จะช้าลงเพื่อให้คุณอาจจะต้อง MOSFET beefier

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใช้ 12V Zener เลือกมอสเฟตกับเกณฑ์ต่ำกุญแจประตู vth < 3V วีจีเ , < 12V และความสามารถสูง instanteneous ปัจจุบัน

ถ้าแรงดัน Vin ได้รับข้างต้น 12V , วิน - VZ จะปรากฏขึ้นที่ประตูของ MOSFET . เมื่อแรงดันไฟฟ้านี้ไปเกณฑ์แรงดัน MOSFET เปิดและกางเกงขาสั้นเข้าสู่พื้นดินผ่านฟิวส์ ฟิวส์เป่า

ในความคิดที่สองมีตัวต้านทานขนาดเล็กสามารถใส่ท่อระบายของมอสเฟต เพื่อปกป้องมันจากกระแสเกิน . ค่าความต้านทานจะสูงพอเพื่อที่ 24V / R < ไอแมกซ์สำหรับ MOSFET แต่น้อย พอฟิวส์เป่า 24V / r > ifuse

คุณสามารถใช้ PTC แทนฟิวส์ แต่เหล่านี้มีแนวโน้มจะช้าลง ดังนั้นคุณอาจต้องการ MOSFET beefier .