APLANAR metal–semiconductor–metal p

APLANAR metal–semiconductor–metal photodetector
(MSM-PD) usually performs better and is simpler to
fabricate than the conventional p-i-n photodiodes [1], so
the MSM-PD is a good candidate for a photodetector in
an OEIC (optoelectronic integrated-circuit) receiver. Such c-
Si MSM-PD’s operated at a wavelength of 830 nm, which
are compatible with Si IC technology, have been recently
investigated [2]–[6]. However, the conventional c-Si MSMPD
usually has a high dark current, low responsivity, and
long pulse tail. To improve the performance of the c-Si MSMPD,
several methods, such as ion-implanting the absorbing
layer [4], and reducing the spacing between the interdigitated
electrodes [2] have been suggested. Ion-implantation is an
expensive process, and electrodes with a smaller spacing
would retard more incident light and are more difficult
to fabricate. Since the amorphous semiconductor has a
larger optical absorption coefficient and dark resistance,
and a shorter carrier lifetime [7], then, a hydrogenated
intrinsic amorphous silicon (i-a-Si:H) barrier layer forming an
amorphous-crystalline heterojunction with c-Si was employed
to improve the performances of the Si-based MSM-PD [5]–[6].
However, conventional planar MSM-PD’s possess a weak
lateral electric field in the light absorption region, and hence
their performances are poorer. Therefore, a vertical MSM-PD
with trench electrodes, fabricated by using reactive ion etching
(RIE) technology has also been developed [8]. However, this
sharp vertical trench structure would not let the top metal
layer be uniformly deposited onto the trenched Si surface. For
this paper, the U-shaped electrodes were formed to fabricate
UMSM-PD’s on a Si wafer (p-type, [100], 10–13 cm). Since
the U-grooved [100] silicon wafer has a trench slope of 54.74
[9], the metal layer can be easily and uniformly deposited
onto the Si surface. Furthermore, an additional thin i-a-Si:H
overlayer on the Si wafer was employed to reduce the dark
current of the UMSM-PD.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

APLANAR photodetector โลหะ – สารกึ่งตัวนำโลหะ(MSM-PD) มักจะทำดี และเป็นวิธีที่ง่ายกว่าการเพื่อปั้นกว่าปกติ p-i-n photodiodes [1],MSM PD เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับ photodetector ในการ OEIC (optoelectronic รวมวงจร) รับ C ดังกล่าว-ดำเนินการใน MSM-PD ของที่ความยาวคลื่นของ 830 นาโนเมตร ที่เข้ากันได้กับเทคโนโลยีซี IC ได้รับเมื่อเร็ว ๆ นี้ตรวจสอบ [2] – [6] อย่างไรก็ตาม MSMPD ซีซีทั่วไปโดยปกติจะมีความสูงดำต่ำ ปัจจุบัน responsivity และหางยาวชีพจร เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของ MSMPD ซีซีวิธีการต่าง ๆ เช่นไอออน-implanting การดูดชั้น [4], และการลดช่องว่างระหว่างการ interdigitatedมีการแนะนำหุงต [2] เป็นไอออนฤทธิ์การกระบวนการที่มีราคาแพง และหุงต ด้วยระยะห่างขนาดเล็กจะถ่วงแสงปัญหามากขึ้นและจะยากขึ้นจะปั้น เนื่องจากมีสารกึ่งตัวนำไปยังสัมประสิทธิ์การดูดซึมแสงใหญ่และต้านทานมืดและชีวิตผู้ขนสั้น [7], แล้ว เป็น hydrogenatedซิลิคอน intrinsic ไป (ผม-เป็น-Si:H) เป็นชั้นกั้นการheterojunction ไปผลึกกับซีซีถูกจ้างเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของการใช้ใน MSM-PD [5] – [6]อย่างไรก็ตาม ปกติระนาบ MSM-PD ของมีความอ่อนแอด้านข้างสนามไฟฟ้าในการดูดซึมแสง และดังนั้นการแสดงของพวกเขาย่อมได้ ดังนั้น เป็นแนวตั้ง MSM-PDมีหุงตร่องลึก หลังสร้าง โดยใช้ไอออนปฏิกิริยากัดเทคโนโลยี (RIE) นอกจากนี้ยังได้พัฒนา [8] อย่างไรก็ตาม นี้โครงสร้างร่องลึกแนวคมจะให้โลหะด้านบนชั้นจะสม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงฝากลงบนผิวศรี trenched สำหรับกระดาษนี้ หุงตรูปตัวยูได้ก่อตั้งขึ้นเพื่อปั้นUMSM-ปอนด์ของบนแผ่นเวเฟอร์ซิ (p-ประเภท, [100], 10 – 13 เซนติเมตร) ตั้งแต่wafer ซิลิคอน [100] U ร่องมีร่องลึกความชันของ 54.74[9], ชั้นโลหะที่สามารถเป็นได้ง่าย และสม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงฝากบนพื้นผิวศรี นอกจากนี้ เพิ่มเติมบางผม-เป็น-Si:Hoverlayer บนแผ่นเวเฟอร์ซิถูกลูกจ้างลดความมืดปัจจุบันของ UMSM PD

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

APLANAR โลหะสารกึ่งตัวนำโลหะ photodetector
(MSM-PD)
มักจะมีประสิทธิภาพดีกว่าและง่ายที่จะสานกว่าphotodiodes ขาธรรมดา [1] ดังนั้น
MSM นี้-PD เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับ photodetector ใน
OEIC (optoelectronic วงจรแบบบูรณาการ) รับ ดังกล่าว c-
ศรี MSM-PD ของการดำเนินการที่ความยาวคลื่น 830
นาโนเมตรของที่เข้ากันได้กับเทคโนโลยีศรีไอซีเพิ่งได้รับการตรวจสอบ
[2] - [6] อย่างไรก็ตามการชุมนุมคศรี MSMPD
มักจะมีสีเข้มในปัจจุบันสูง responsivity
ต่ำและหางชีพจรนาน เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของ MSMPD คศรี,
วิธีการหลายวิธีเช่นไอออนปลูกฝังดูดซับชั้น [4] และลดระยะห่างระหว่าง interdigitated ขั้ว [2] ได้รับการแนะนำ ไอออนปลูกถ่ายเป็นกระบวนการที่มีราคาแพงและขั้วไฟฟ้าที่มีระยะห่างที่มีขนาดเล็กจะชะลอแสงที่ตกกระทบมากขึ้นและเป็นเรื่องยากมากขึ้นในการประดิษฐ์ ตั้งแต่เซมิคอนดักเตอร์สัณฐานมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงที่มีขนาดใหญ่และความต้านทานมืดและอายุการใช้งานของผู้ให้บริการที่สั้นกว่า[7] จากนั้นเป็นไฮโดรเจนซิลิกอนอสัณฐานที่แท้จริง(IA-Si: H) ชั้นกั้นไว้เป็นเฮเทอโรรูปร่างผลึกมีค-Si เป็น การจ้างงานในการปรับปรุงการแสดงของศรีตามMSM-PD เมื่อ [5] -. [6] แต่เดิมระนาบ MSM-PD ของมีอ่อนแอสนามไฟฟ้าข้างในภูมิภาคดูดกลืนแสงและด้วยเหตุนี้การแสดงของพวกเขาที่ยากจนกว่า ดังนั้นแนวชายรักชาย-PD กับขั้วไฟฟ้าสลักประดิษฐ์โดยใช้ไอออนแกะสลักปฏิกิริยา(ริเอะ) เทคโนโลยีได้รับการพัฒนายัง [8] แต่นี้โครงสร้างท่อแนวดิ่งคมชัดจะไม่ให้โลหะด้านบนชั้นนำมาฝากกันบนพื้นผิวtrenched ศรี สำหรับบทความนี้ขั้วไฟฟ้ารูปตัวยูกำลังก่อตัวขึ้นเพื่อสานUMSM-PD บนเวเฟอร์ศรี (พีชนิด [100] วันที่ 10-13 ซม.) ตั้งแต่U-ร่อง [100] เวเฟอร์ซิลิกอนที่มีความลาดชันของร่อง 54.74 [9] ชั้นโลหะที่สามารถได้อย่างง่ายดายและฝากอย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิวศรี นอกจากนี้มีบางเพิ่มเติม IA-Si: H overlayer บนเวเฟอร์ศรีถูกจ้างมาเพื่อลดความมืดปัจจุบันของUMSM-PD

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

aplanar โลหะและโลหะและสารกึ่งตัวนำโฟโตดีเทกเตอร์
( msm-pd ) มักจะมีประสิทธิภาพดีและง่ายกว่า

ปั้นกว่าปกติ p-i-n photodiodes [ 1 ] ,
msm-pd เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับโฟโตดีเทกเตอร์ในการ oeic
( Optoelectronic วงจรรวม ) ผู้รับ เช่น C -
ศรี msm-pd ดําเนินที่ความยาวคลื่น 830 นาโนเมตร ซึ่ง
เข้ากันได้กับศรีเทคโนโลยี IC , เพิ่ง
ตรวจสอบ [ 2 ] และ [ 6 ] อย่างไรก็ตาม ปกติ c-si msmpd
มักจะมีสูงต่ำดำปัจจุบัน responsivity และชีพจร
หางยาว เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของ c-si msmpd
, หลายวิธี เช่น การปลูกฝังไอออนดูดซับ
ชั้น [ 4 ] และการลดระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าไหลของแก๊ส
[ 2 ] ได้แนะนำ ไอออนปลูกฝังเป็น
กระบวนการราคาแพงและขั้วไฟฟ้าที่มีขนาดเล็กจะทำให้เหตุการณ์ยิ่ง
ระยะแสงและจะยาก
ที่จะปั้น เนื่องจากสารอสัณฐานที่มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนเชิงแสงและมืด
ขนาดใหญ่ความต้านทาน
และผู้ให้บริการที่สั้นกว่าอายุการใช้งาน [ 7 ] , แล้ว , hydrogenated
ภายในซิลิคอนอสัณฐาน ( i-a-si : H ) กั้นชั้นเป็นรูปอสัณฐาน ( heterojunction กับ c-si

ใช้เพื่อปรับปรุงสมรรถนะของศรี msm-pd – [ 5 ] [ 6 ] โดย .
แต่ปกติระนาบ msm-pd ก็มีอ่อนแอ
ด้านข้างสนามไฟฟ้าในเขตการดูดกลืนแสง , และด้วยเหตุนี้
การแสดงของพวกเขาจะคลิ . ดังนั้น ,
msm-pd แนวตั้งกับขั้วสลัก , ประดิษฐ์โดยใช้ปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก
( ริเอะ ) เทคโนโลยีได้ถูกพัฒนาขึ้น [ 8 ] อย่างไรก็ตาม , นี้
โครงสร้างท่อชาร์ปแนวตั้งจะไม่ให้ชั้นเหล็ก
ด้านบนเป็นเหมือนกันฝากไปยัง trenched พื้นผิวครับ สำหรับ
กระดาษนี้ , ขั้วไฟฟ้าขึ้นรูปตัวยู 2
umsm-pd บนเวเฟอร์ ( ซีพี [ 100 ] 10 – 13 ซม. ) ตั้งแต่ u-grooved
[ 100 ] ซิลิคอนเวเฟอร์มีความชันของร่อง 54.74
[ 9 ] , ชั้นโลหะสามารถได้อย่างง่ายดายและโดยฝาก
ลงบนพื้นผิวได้ นอกจากนี้การ i-a-si บางเพิ่มเติม : H
สิ่งปกคลุมบนศรีเวเฟอร์มีจำนวนลดมืด
ปัจจุบันของ umsm-pd .