6. RelatedWorkSeveral fine-grained

6. RelatedWork
Several fine-grained DRAM structures have been proposed in
conventional 2D DRAM. For example, Fujitsu implements the
Fast-cycle RAM (FCRAM) that has a sub-bank structure and
achieves faster access speed and lower power consumption
than the baseline 2D DRAM [37]. Unfortunately, FCRAM
has low cell density that leads to limited memory capacity.
Similarly, Reduced-latency DRAM (RLDRAM) [38] was introduced
with a smaller bank size for low access latency. RLDRAM,
however, also induces large area overhead so that

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

6. RelatedWorkโครงสร้าง DRAM ทรายแป้งละเอียดหลายได้รับการเสนอในธรรมดา 2D DRAM ตัวอย่าง ฟูจิตสึใช้การวงจร RAM (FCRAM) ที่มีโครงสร้างธนาคารย่อยอย่างรวดเร็ว และเข้าถึงความเร็วที่เร็วกว่าและใช้พลังงานต่ำกว่าพื้นฐาน 2D DRAM [37] อับ FCRAMมีความหนาแน่นต่ำเซลล์ที่นำไปสู่ความจุหน่วยความจำจำกัดในทำนองเดียวกัน ถูกนำแฝง Reduced DRAM (RLDRAM) [38]ขนาดธนาคารขนาดเล็กสำหรับเวลาแฝงต่ำเข้าไว้ RLDRAMอย่างไรก็ตาม ยังก่อให้เกิดพื้นที่ใหญ่ค่าใช้จ่ายให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

6. RelatedWork
หลายโครงสร้าง DRAM ละเอียดได้รับการเสนอใน
DRAM 2D ธรรมดา ตัวอย่างเช่นฟูจิตสึนำไปปฏิบัติ
อย่างรวดเร็ววงจร RAM (FCRAM) ที่มีโครงสร้างย่อยธนาคารและ
ประสบความสำเร็จได้เร็วขึ้นความเร็วในการเข้าถึงและการใช้พลังงานที่ต่ำ
กว่าพื้นฐาน 2D DRAM [37] แต่น่าเสียดายที่ FCRAM
มีความหนาแน่นต่ำเซลล์ที่นำไปสู่ความจุหน่วยความจำ จำกัด
ในทำนองเดียวกันการลดความล่าช้า DRAM (RLDRAM) [38] ได้รับการแนะนำ
ที่มีขนาดของธนาคารที่มีขนาดเล็กสำหรับการเข้าถึงแฝงต่ำ RLDRAM,
แต่ยังก่อให้เกิดค่าใช้จ่ายพื้นที่ขนาดใหญ่เพื่อให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

6 . relatedwork
หลายโครงสร้างอย่างละเอียดของได้รับการเสนอใน
DRAM 2D ธรรมดา ตัวอย่างเช่น บริษัทฟูจิตสึ ใช้
รอบเร็วแรม ( fcram ) ที่มีโครงสร้างย่อยธนาคารและการเข้าถึงและบรรลุเร็ว

กว่า ลดการใช้พลังงานพื้นฐาน 2D DRAM [ 37 ] ขออภัย fcram
มีความหนาแน่นเซลล์ต่ำ ทำให้ความจุของหน่วยความจำที่ จำกัด
ในทํานองเดียวกันการลดศักยภาพ DRAM ( rldram ) [ 38 ] แนะนำ
กับธนาคารขนาดเล็กภายในการเข้าถึงน้อย rldram
, แต่ยังก่อให้เกิดค่าใช้จ่ายในพื้นที่ขนาดใหญ่ ดังนั้น