of substrates with virtually any ma

of substrates with virtually any material composition or
shape. For example, SiNW- and SWNT-BBFs were transferred
directly to thin plastic sheets, a half-cylinder, a watch glass, and
suspended across open frames as free-standing films (Fig. 7a–d),
thus demonstrating much greater flexibility of this approach
over other assembly approaches reported previously.
Our BBF approach also has the potential to be scaled to very
large area structures, in analogy to large plastic films manufactured
in industry.24–26 As an initial demonstration of this point,
we have successfully transferred SWNT-BBFs to 200 mm wafers
(Fig. 7e), where the embedded SWNTs are uniformly aligned
across the wafer surface, and transferred a SiNW-BBF to a rectangular
9 inch  12 inch flexible plastic sheet (Fig. 7f) with good
control of SiNW alignment and density across the entire flexible
sheet. Both of these examples are the largest demonstrations to
date for aligned NWs and NTs.
2.6 Application of BBFs: SiNW FET arrays
To demonstrate the potentially broad application of these
nanomaterial-BBFs in electronics, large arrays of independently
addressable NW FETs were fabricated using SiNW-BBFs transferred
to 3 inch diameter flexible plastic substrates. This straightforward
transfer of aligned SiNW-BBFs to large substrates
makes this process considerably more efficient than previously
reported fluid-directed16 and Langmuir–Blodgett6 assembly
methods.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ของพื้นผิวกับทุกองค์ประกอบวัสดุ หรือรูปร่าง ตัวอย่าง มีการถ่ายโอน SiNW - และ SWNT-BBFsโดยตรงไปยังพลาสติกแผ่นบาง ครึ่งสูบ นาฬิกา แก้ว และหยุดชั่วคราวข้ามเฟรมเปิดพอฟิล์ม (Fig. 7a – d),ดังนั้น เห็นมากยืดหยุ่นของวิธีการนี้กว่าวิธีประกอบอื่น ๆ รายงานก่อนหน้านี้วิธีเบดของเรายังมีศักยภาพที่จะปรับให้มากโครงสร้างพื้นที่ขนาดใหญ่ ในเปรียบเทียบกับฟิล์มพลาสติกขนาดใหญ่ที่ผลิตใน industry.24–26 เป็นการสาธิตที่เริ่มจุดเราสำเร็จได้โอน SWNT-BBFs ไปรับ 200 mm(Fig. 7e), SWNTs ฝังตัวอยู่สม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงชิดข้ามพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ SiNW-เบดให้และสี่เหลี่ยม9 นิ้ว 12 นิ้วยืดหยุ่นพลาสติกแผ่น (Fig. 7f) ดีควบคุมตำแหน่ง SiNW และความหนาแน่นทั่วทั้งยืดหยุ่นแผ่นงาน ทั้งสองอย่างเหล่านี้เป็นชุมนุมที่ใหญ่ที่สุดเพื่อวันที่สำหรับการจัดตำแหน่ง NWs และสุด2.6 ประยุกต์ BBFs: เรย์ SiNW FETแสดงแอพลิเคชันอาจสิ่งเหล่านี้BBFs nanomaterial อิเล็กทรอนิกส์ อาร์เรย์ขนาดใหญ่ได้อย่างอิสระFETs NW แอดเดรสได้หลังสร้างโดยใช้โอน BBFs SiNWไป 3 นิ้วเส้นผ่าศูนย์กลางยืดหยุ่นพลาสติกพื้นผิว ตรงนี้โอน BBFs SiNW วางกับพื้นผิวขนาดใหญ่ทำให้กระบวนการนี้มากมีประสิทธิภาพมากกว่าก่อนหน้านี้directed16 น้ำมันรายงานและแอสเซมบลี Langmuir – Blodgett6วิธี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ของพื้นผิวที่มีส่วนประกอบแทบวัสดุใด ๆ หรือ
รูปร่าง ตัวอย่างเช่น SiNW- และ SWNT BBFs ถูกโอน
โดยตรงกับแผ่นพลาสติกบางครึ่งถังแก้วนาฬิกาและ
ระงับข้ามเฟรมเปิดเป็นภาพยนตร์ฟรียืน (รูป. 7a-D)
จึงแสดงให้เห็นถึงความยืดหยุ่นมากขึ้นของ วิธีนี้
ในช่วงการชุมนุมอื่น ๆ วิธีการรายงานก่อนหน้านี้
วิธีลัดฟ้าของเรายังมีศักยภาพที่จะปรับให้มาก
ขนาดใหญ่โครงสร้างพื้นที่ในการเปรียบเทียบกับฟิล์มพลาสติกขนาดใหญ่ที่ผลิต
ใน industry.24-26 ขณะที่การสาธิตเริ่มต้นของจุดนี้
เราได้ประสบความสำเร็จในการโอน SWNT-BBFs ถึง 200 มมเวเฟอร์
(รูปที่ 7 จ.) ที่ SWNTs ฝังตัวอยู่ในแนวเดียวกันสม่ำเสมอ
ทั่วพื้นผิวเวเฟอร์และโอน SiNW-ลัดฟ้าไปยังสี่เหลี่ยม
9 นิ้ว? 12 นิ้วแผ่นพลาสติกที่มีความยืดหยุ่น (รูปที่ 7.) โดยมีดี
การควบคุมของการจัดตำแหน่ง SiNW และความหนาแน่นทั่วทั้งมีความยืดหยุ่นทั้ง
แผ่น ทั้งสองตัวอย่างเหล่านี้มีการสาธิตที่ใหญ่ที่สุดใน
วันที่สำหรับ NWS ชิดและทีมชาติ
2.6 การประยุกต์ใช้ BBFs: อาร์เรย์ SiNW FET
เพื่อแสดงให้เห็นการประยุกต์ใช้ในวงกว้างอาจเหล่านี้
วัสดุนาโน BBFs ในอิเล็กทรอนิกส์อาร์เรย์ใหญ่ของอิสระ
FETs NW แอดเดรสที่ถูกประดิษฐ์โดยใช้ SiNW- BBFs โอน
เพื่อเส้นผ่าศูนย์กลาง 3 นิ้วพื้นผิวพลาสติกที่มีความยืดหยุ่น นี้ตรงไปตรงมา
การโอนชิด SiNW-BBFs พื้นผิวขนาดใหญ่
ทำให้กระบวนการนี้มากมีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่าก่อนหน้านี้
รายงานของเหลว directed16 และ Langmuir-Blodgett6 ประกอบ
วิธีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ของพื้นผิวกับความจริงใด ๆหรือวัสดุองค์ประกอบ
รูปร่าง ตัวอย่างเช่น sinw - swnt ต่างพากันโอน
ตรงแผ่นพลาสติกบาง ๆครึ่งกระบอก นาฬิกาแก้ว และลอยข้ามกรอบ
เปิดเป็นภาพยนตร์ที่สุด ( รูปที่ 68 ( D )
จึงแสดงถึงความยืดหยุ่นของวิธีการนี้มากขึ้นกว่าวิธีอื่นประกอบ

รายงานก่อนหน้านี้วิธีการ bbf ของเราก็มีศักยภาพที่จะถูกปรับขนาดมาก
โครงสร้างพื้นที่ขนาดใหญ่ในคล้ายคลึงกับผลิต
ในอุตสาหกรรมฟิล์มพลาสติกขนาดใหญ่ 24 – 26 เป็นสาธิตการเริ่มต้นของจุดนี้
เราเรียบร้อยแล้วโอน swnt ต่างพากัน 200 มม. เวเฟอร์
( รูปที่ 7 ) ที่ฝังตัวอยู่ชิดอย่างสม่ำเสมอ
swnts ข้ามพื้นผิวเวเฟอร์ และการโอนย้าย sinw yoy เป็นสี่เหลี่ยม
9 นิ้ว 12 นิ้ว  ยืดหยุ่นพลาสติกแผ่น ( ภาพที่ 7F ) ที่มีการควบคุมที่ดีของการจัดตำแหน่งและความหนาแน่น sinw

ข้ามแผ่นมีความยืดหยุ่นทั้ง ทั้งสองตัวอย่างเหล่านี้ที่ใหญ่ที่สุดประท้วง
วันที่ชิด NWS และ NTS .
2.6 การต่างพากัน : sinw เฟต แสดงให้เห็นถึงการใช้อาร์เรย์

วัสดุนาโนอาจกว้างเหล่านี้ต่างพากันอิเล็กทรอนิกส์ขนาดใหญ่อิสระ
อาร์เรย์ของแอดเดรส NW fets ถูกประดิษฐ์โดยใช้ sinw ต่างพากันย้าย
ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 3 นิ้ว พื้นผิว พลาสติกที่มีความยืดหยุ่น นี้ตรงไปตรงมา


โอนชิด sinw ต่างพากันพื้นผิวขนาดใหญ่ทำให้กระบวนการนี้มีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่ามากและรายงานก่อนหน้านี้
fluid-directed16 Langmuir – blodgett6 ประกอบ
วิธี