This is the classical anodization s

This is the classical anodization scheme, involving ion formation [Ti4+; Eq. (1)], reaction with O2 [created by (fieldaided) deprotonation of H2O or OH; Eq. (2), (3)] and highfield ion migration of Ti4+ and O2 through the oxide (Figure 2b). After initiation, the growth of an anodic oxide layer is determined by the field-aided transport of mobile ions through the oxide (Figure 2b). Depending on the migration rate of the involved ionic species (Ti4+, O2), the growth of new oxide either proceeds at the interface between metal and oxide or at the interface between oxide and electrolyte (compact anodic TiO2 layers may in principle grow at either interfaces, but under most experimental conditions oxide grows at the metal–oxide interface). Under a constant voltage U, the field F = U/d drops constantly, thus lowering the driving force (for solid-state ion migration) with increasing film thickness d. The result is an (exponential) drop in the anodic current with time (Figure 2a) until the field effect is lost (that is, is on the order of kT). At this point, a (practically) finite thickness is reached that mainly depends on the anodization
voltage. For many transition metals (so-called valve metals), this final thickness is given by d = fU, where f is the so-called growth factor of the oxide (typically in the range of 2– 4 nm V1). Typically, the layer which is grown at the oxide/ electrolyte interface consists of less-dense oxide containing oxyhydroxides,[117, 118] while the layer at the metal–oxide interface consists of dense and stable TiO2-

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี่คือแบบคลาสสิ anodization เกี่ยวข้องกับการก่อไอออน [Ti4 + ทำปฏิกิริยากับ O2 [สร้าง โดย deprotonation (fieldaided) ของ H2O หรือ OH ทาง eq. ที่ (1)], Eq. (2), (3)] และการโยกย้ายไอออนล็ค Ti4 + และ O2 ผ่านออกไซด์ (รูปที่ 2b) หลังจากเริ่มต้น การเจริญเติบโตของชั้นออกไซด์ไลที่ถูกกำหนด โดยการขนส่งช่วยฟิลด์ของไอออนเคลื่อนผ่านออกไซด์ (รูปที่ 2b) ขึ้นอยู่กับอัตราการโยกย้ายพันธุ์เกี่ยวข้องไอออน (Ti4 + O2), การเติบโตของออกไซด์ใหม่อาจดำเนิน ที่รอยต่อระหว่างโลหะและออกไซด์ หรือ ที่รอยต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไลต์ (anodic TiO2 ชั้นอาจหลักการเติบโต ที่อินเทอร์เฟซทั้ง แต่ภาย ใต้เงื่อนไขทดลองสุดออกไซด์เติบโตขึ้นที่รอยต่อโลหะ – ออกไซด์คอมแพค) ภายใต้แรงดันไฟฟ้าคง U ฟิลด์ F = U/d ลดลงอย่างต่อเนื่อง จึง ลดแรงผลักดัน (สำหรับการโยกย้าย solid-state ไอออน) ด้วยการเพิ่มความหนาของฟิล์ม d ผลที่ได้คือ การปล่อย (เนน) ในปัจจุบันไลกับเวลา (รูปที่ 2a) จนถึงฟิลด์ ผลจะหายไป (นั่นคือ ว่านอต) ที่จุดนี้ ความหนาแน่นอน (จริง) ถึงที่ส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับ anodization ที่แรงดันไฟฟ้า สำหรับการเปลี่ยนโลหะ (โลหะเรียกว่าวาล์ว), ความหนาสุดท้ายนี้ถูกกำหนด โดย d = fU ปัจจัยการเจริญเติบโตเรียกว่าออกไซด์การ f (โดยทั่วไปในช่วง 2-4 nm V 1) โดยทั่วไป ชั้นซึ่งปลูกที่เป็น / อินเทอร์เฟซของอิเล็กโทรไลต์ประกอบด้วยความหนาแน่นน้อยกว่าออกไซด์ที่ประกอบด้วย oxyhydroxides, [117, 118] ในขณะที่ชั้นที่รอยต่อโลหะ – ออกไซด์ประกอบด้วยความหนาแน่น และมีเสถียรภาพ TiO2 -

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี่คือโครงการ anodization คลาสสิกที่เกี่ยวข้องกับการก่อไอออน [Ti4 +; อีคิว (1)] ทำปฏิกิริยากับ O2? [สร้างขึ้นโดย (fieldaided) deprotonation ของ H2O หรือ OH ?; อีคิว (2), (3)] และการย้ายถิ่นของไอออน Highfield Ti4 + และ O2? ผ่านออกไซด์ (รูปที่ 2B) หลังจากที่เริ่มต้นการเจริญเติบโตของชั้นขั้วบวกออกไซด์จะถูกกำหนดโดยการขนส่งภาคสนามได้รับความช่วยเหลือของไอออนมือถือผ่านออกไซด์ (รูปที่ 2B) ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับอัตราการย้ายถิ่นของสายพันธุ์อิออนมีส่วนร่วม (Ti4 + O2?) การเจริญเติบโตของออกไซด์ใหม่เงินอย่างใดอย่างหนึ่งที่เชื่อมต่อระหว่างโลหะและออกไซด์หรือที่เชื่อมต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไล (ชั้น TiO2 ขนาดกะทัดรัดขั้วบวกอาจในหลักการเติบโตอย่างใดอย่างหนึ่ง อินเตอร์เฟซ แต่ภายใต้เงื่อนไขการทดลองมากที่สุดออกไซด์เติบโตในอินเตอร์เฟซโลหะออกไซด์) ภายใต้แรงดันคงที่ U, F = สนาม U / D ลดลงอย่างต่อเนื่องจึงลดแรงผลักดัน (สำหรับการโยกย้ายไอออน solid-state) ที่เพิ่มขึ้นด้วยฟิล์มหนา D ผลที่ได้คือ (ชี้แจง) ลดลงในปัจจุบันขั้วบวกกับเวลา (รูปที่ 2A) จนกว่าผลข้อมูลจะหายไป (นั่นคือเป็นคำสั่งของโฮเทล) ที่ ณ จุดนี้ (จริง) ความหนาของ จำกัด ถึงที่ส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับ anodization
แรงดันไฟฟ้า สำหรับโลหะการเปลี่ยนแปลงหลายคน (ที่เรียกว่าโลหะวาล์ว) ความหนาสุดท้ายนี้จะได้รับโดย d = Fu ที่ f คือปัจจัยการเจริญเติบโตที่เรียกว่าออกไซด์ (โดยปกติในช่วง 2- 4 นาโนเมตรวี? 1) โดยปกติแล้วชั้นที่มีการเติบโตที่อินเตอร์เฟซออกไซด์ / อิเล็กประกอบด้วยน้อยหนาแน่นออกไซด์ที่มี oxyhydroxides [117, 118] ในขณะที่ชั้นที่อินเตอร์เฟซโลหะออกไซด์ประกอบด้วย TiO2- หนาแน่นและมีเสถียรภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้เป็นโครงการที่เกี่ยวข้องกับการพัฒนา [ ไอออนโนไดเซชั่นคลาสสิก ti4 + ; อีคิว ( 1 ) ทำปฏิกิริยากับ O2 ] [ สร้างโดย ( fieldaided ) 30 มก. ของ H2O หรือ โอ้ อีคิว ( 2 ) , ( 3 ) ] และ ไฮฟิลด์ไอออนการย้ายถิ่นของ ti4 + และ O2 ผ่านออกไซด์ ( รูปที่ 2B ) หลังจากการขยายตัวของชั้นออกไซด์ anodic ถูกกำหนดโดยสนามช่วยขนส่งของไอออนเคลื่อนที่ผ่านออกไซด์ ( รูปที่ 2B ) ขึ้นอยู่กับอัตราการย้ายถิ่นของอิออนชนิดเกี่ยวข้อง ( ti4 + O2 ) , การเจริญเติบโตใหม่ของออกไซด์ทั้งรายได้ที่รอยต่อระหว่างโลหะและโลหะออกไซด์หรือที่เชื่อมต่อระหว่างออกไซด์และอิเล็กโทรไลต์ ( ขนาดกะทัดรัด ) ชั้นอาจจะในหลักการการเติบโตที่ให้อินเทอร์เฟซ แต่ภายใต้สภาวะการทดลองมากที่สุดเติบโตและออกไซด์ของโลหะออกไซด์ อินเตอร์เฟซ ) ภายใต้แรงดันคงที่ U , สนาม F = U / D ลดลงอย่างต่อเนื่อง ดังนั้น การลดแรงขับ ( สำหรับการเพิ่มความหนาของไอออน ) . ผลฟิล์มเป็น ( exponential ) ลดลงในการเวลาปัจจุบัน ( รูปที่ 2A ) จนถึงสนามผลจะหายไป ( คืออยู่ในใบสั่ง โอน ) ณจุดนี้ ( เกือบ ) ความหนาจำกัดถึงส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับโนไดเซชั่นแรงดันไฟฟ้า สำหรับโลหะเปลี่ยนมาก ( เรียกว่าวาล์วโลหะ ) นี้หนา สุดท้ายจะได้รับโดย D = กังฟูที่ F เรียกว่าปัจจัยการเจริญเติบโตของออกไซด์ ( โดยปกติจะอยู่ในช่วง 2 – 3 nm V1 ) โดยทั่วไปแล้ว ชั้น ที่ปลูกที่ออกไซด์ / อิเล็กโทรอินเตอร์เฟซประกอบด้วยหนาแน่นน้อยกว่าออกไซด์ที่มี oxyhydroxides [ 117 , 118 ] ในขณะที่ชั้นโลหะออกไซด์และอินเตอร์เฟซประกอบด้วยหนาแน่นและมั่นคง ) -