Change in MOSFET ON-State Resistanc

Change in MOSFET ON-State Resistance RDS(ON)
The boost converter shown in Fig. 3 has been simulated in
PSIM, and the results have been imported to MATLAB to calculate
the reliability. The feedback controller was implemented
using a simple PI controller with a gain of 0.1, and the time
constant was set to 0.001. Output capacitor’s capacitance and
ESR were set to 10 μF and 0.1 Ω, respectively. RDS(ON) of the
MOSFET was varied from 34 to 44 mΩ. This variation of ONstate
resistance is consistent with the experimental data reported
in [22] (as a result of accelerated thermal aging process of a
MOSFET).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปลี่ยนแปลงความต้านทานสถานะในมอสเฟต RDS(ON)มีการจำลองตัวแปลงเพิ่มที่แสดงใน Fig. 3 ในPSIM และผลการนำเข้า MATLAB ในการคำนวณความน่าเชื่อถือ ได้ดำเนินการควบคุมผลป้อนกลับใช้ตัวควบคุม PI ง่ายกำไร 0.1 และเวลาค่าคงถูกตั้งค่าให้เป็น 0.001 แสดงผลค่าความจุของตัวเก็บประจุ และESR มีตั้ง 10 μF และ 0.1 Ω ตามลำดับ RDS(ON) ของการมอสเฟตแตกต่างกันจาก 34 ไป 44 mΩ การเปลี่ยนแปลงของ ONstateความต้านทานจะสอดคล้องกับรายงานข้อมูลทดลองใน [22] (เป็นผลมาจากการเร่งรัดกระบวนการความร้อนอายุการมอสเฟต)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงใน MOSFET ON-รัฐต้านทาน RDS (ON)
แปลงการเพิ่มแสดงในรูป 3 ได้รับการจำลองใน
PSIM และผลที่ได้รับนำเข้า MATLAB
ในการคำนวณความน่าเชื่อถือ ควบคุมข้อเสนอแนะที่ได้รับการดำเนินการโดยใช้ตัวควบคุม PI ที่เรียบง่ายมีกำไร 0.1 และเวลาคงถูกกำหนดให้0.001 ความจุประจุเอาท์พุทและESR ถูกกำหนดให้ 10 μFและ 0.1 Ωตามลำดับ RDS (ON) ของมอสเฟตได้แตกต่างกัน34-44 mΩ รูปแบบของ ONstate นี้ต้านทานมีความสอดคล้องกับข้อมูลการทดลองรายงานใน[22] (เป็นผลมาจากกระบวนการชราเร่งการระบายความร้อนของMOSFET)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เปลี่ยน MOSFET กับ RDS ต่อต้านรัฐ ( ต่อ )
เพิ่มแปลงที่แสดงในรูปที่ 3 ได้จำลองใน
psim และผลลัพธ์ที่ได้ถูกนำเข้าไป Matlab คำนวณ
) ความคิดเห็นที่ตัวควบคุมที่ใช้ตัวควบคุม PI
ใช้ง่ายกับได้รับ 0.1 และเวลา
คงเป็นชุด 1 . ผลของตัวเก็บประจุความจุและ
ESR ตั้ง 10 μΩ F และ 0.1 ตามลำดับRDS ( on ) ของ
MOSFET มีค่าตั้งแต่ 34 - 44 เมตรΩ . นี้การเปลี่ยนแปลงของ onstate
ต้านทานสอดคล้องกับข้อมูลรายงาน
[ 22 ] ( เป็นผลจากการเร่งความร้อนกระบวนการความชราของ
MOSFET )