(VSB in an n-channel device) will h

(VSB in an n-channel device) will have an effect on device operation. to appreciate this fact consider an NMOS transistor and let its substrate be made negative relative to the source. the reverse bias voltage will widen the depletion region (refer to Fig. 5.2). this in turn reduces the channel the depth. to return the channel to its former state. VGS has to be increased.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(VSB ในอุปกรณ์สถานี n) จะมีผลการดำเนินการอุปกรณ์ ชื่นชมความจริงให้พิจารณาเป็นทรานซิสเตอร์ NMOS และให้พื้นผิวที่มีค่าลบเมื่อเทียบกับแหล่งที่มา แรงดันไฟฟ้าตั้งกลับจะขยายพื้นที่จนหมด (ถึง Fig. 5.2) นี้จะช่วยลดช่องลึก กลับสถานีไปเป็นสถานะเดิม VGS ที่จะเพิ่มได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(VSB ในอุปกรณ์ n ช่อง) จะมีผลต่อการดำเนินงานอุปกรณ์ ที่จะชื่นชมความเป็นจริงนี้พิจารณาทรานซิสเตอร์ NMOS และปล่อยให้พื้นผิวของมันจะทำให้ญาติลบต่อแหล่งที่มา แรงดันไฟฟ้าอคติกลับจะขยายเขตการสูญเสีย (โปรดดูรูป Fig. 5.2) นี้จะช่วยลดช่องลึก ที่จะกลับมาช่องทางในการรัฐในอดีต VGS จะต้องมีการเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( vsb ในนแชนแนลอุปกรณ์ ) จะมีผลในการดำเนินงานอุปกรณ์ ซึ้งข้อเท็จจริงนี้ พิจารณาให้มัน nmos ทรานซิสเตอร์และพื้นผิวเป็นลบเมื่อเทียบกับแหล่งที่มา กลับค่าความต่างศักย์จะขยายเขต ( หมายถึงรูปที่ 5.2 ) นี้จะช่วยลดช่องความลึก กลับช่องไปเป็นสถานะเดิม วีจีเได้จะเพิ่มขึ้น