4. Conclusions ZnO ceramics doped w

4. Conclusions
ZnO ceramics doped with Al2O3 have been produced and their resistance-temperature properties and microstructures were studied. The room temperature resistivity of ZnO decreased with increasing Al2O3 addition level until about 0.25%. Higher addition level of Al2O3 resulted in the resistivity increase due to less densification of the ceramics as confirmed by significant amount of pores within the structure and the formation of the nonconductive phase ZnAl2O4. Nevertheless, the contribution of ZnAl2O4 on the resistivity increase could not be significant as generally believed due to the possibility of layered texture formation. The ceramics doped with Al2O3 showed a change from NTCR to PTCR at temperatures of about 250 and 450 °C for ceramics sintered at 1300 and 1400 °C, respectively, and this feature was weakened for samples with lower Al2O3 content or sintered at a higher temperature. Based on this feature, this material has the potential to be used as a thermal switching device. Microstructure studies revealed that higher addition level of the Al2O3 inhibited the densification process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุป เซรามิกส์ ZnO ที่เจือ ด้วย Al2O3 ได้รับการผลิต และศึกษาคุณสมบัติความต้านทานอุณหภูมิและฟังก์ ความต้านทานไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้องของ ZnO ลดลง ด้วย Al2O3 เพิ่มระดับที่เพิ่มขึ้นจนถึงประมาณ 0.25% นอกจากนี้ระดับความสูง Al2O3 ผลในการเพิ่มความต้านทานเนื่องจากน้อยหนาแน่นของของเครื่องเคลือบเป็นยืนยันจากจำนวนรูพรุนภายในโครงสร้างและการก่อตัวของเฟส nonconductive ZnAl2O4 อย่างไรก็ตาม ผลงานของ ZnAl2O4 ในการเพิ่มความต้านทานไม่สามารถสำคัญเป็นเชื่อกันเนื่องจากความเป็นไปได้ของการก่อตัวของชั้นผิว เซรามิกส์ที่เจือ ด้วย Al2O3 พบการเปลี่ยนแปลงจาก NTCR กับ PTCR ที่อุณหภูมิประมาณ 250 และ 450 ° C เซรามิกเผาที่ 1300 และ 1400 ° C ตามลำดับ และคุณลักษณะนี้อ่อนแอตัวอย่างมีปริมาณ Al2O3 ต่ำ หรือถูกเผาที่อุณหภูมิสูง ตามคุณลักษณะนี้ วัสดุนี้มีศักยภาพที่จะใช้เป็นความร้อนที่เปลี่ยนอุปกรณ์ การศึกษาโครงสร้างจุลภาคพบว่า นอกจากนี้ระดับความสูง Al2O3 ที่ยับยั้งกระบวนการหนาแน่นของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. สรุป
เซรามิกซิงค์ออกไซด์เจือด้วย Al2O3 ได้รับการผลิตและคุณสมบัติต้านทานอุณหภูมิและจุลภาคของพวกเขาได้ศึกษา ต้านทานอุณหภูมิห้องของซิงค์ออกไซด์ลดลงนอกจากนี้การเพิ่มระดับ Al2O3 จนกระทั่งประมาณ 0.25% นอกจากระดับที่สูงขึ้นของ Al2O3 ผลในการเพิ่มขึ้นของความต้านทานเนื่องจาก densification น้อยของเซรามิกได้รับการยืนยันโดยจำนวนเงินที่สำคัญของรูขุมขนที่อยู่ในโครงสร้างและการก่อตัวของเฟสไม่นำไฟฟ้า ZnAl2O4 อย่างไรก็ตามผลงานของ ZnAl2O4 เพิ่มความต้านทานที่ไม่อาจจะมีนัยสำคัญเป็นที่เชื่อกันโดยทั่วไปเนื่องจากเป็นไปได้ของการสร้างพื้นผิวชั้น เซรามิกเจือกับ Al2O3 แสดงให้เห็นการเปลี่ยนแปลงจาก NTCR เพื่อ PTCR ที่อุณหภูมิประมาณ 250 และ 450 องศาเซลเซียสเป็นเซรามิกเผาที่ 1300 และ 1400 องศาเซลเซียสตามลำดับและคุณลักษณะนี้อ่อนแอสำหรับตัวอย่างที่มีเนื้อหา Al2O3 ที่ต่ำกว่าหรือเผาที่อุณหภูมิสูง . ขึ้นอยู่กับคุณลักษณะนี้วัสดุนี้มีศักยภาพที่จะนำมาใช้เป็นอุปกรณ์เปลี่ยนความร้อน การศึกษาโครงสร้างจุลภาคเปิดเผยว่าระดับนอกจากนี้ที่สูงขึ้นของ Al2O3 ยับยั้งกระบวนการ densification

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . สรุปเซรามิกซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอะลูมิเนียมได้ถูกผลิต และทนต่ออุณหภูมิคุณสมบัติและโครงสร้างจุลภาค พบว่า ห้องอุณหภูมิความต้านทานของซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้น เมื่อระดับเพิ่ม Al2O3 จนถึงประมาณ 0.25% . ระดับที่สูงขึ้นของ Al2O3 และส่งผลให้ความต้านทานเพิ่มขึ้นเนื่องจากหนาแน่นน้อยกว่าของเซรามิกที่ยืนยันโดยจํานวนของรูภายในโครงสร้างและรูปแบบของ znal2o4 เฟส nonconductive . อย่างไรก็ตาม ผลงานของ znal2o4 ในความต้านทานเพิ่มขึ้นอาจไม่สําคัญที่เชื่อกันโดยทั่วไปเนื่องจากความเป็นไปได้ของการเกิดชั้นพื้นผิว เซรามิกเจือด้วยอะลูมิเนียม มีการเปลี่ยนแปลงจาก ntcr เพื่อ ptcr ที่อุณหภูมิประมาณ 250 450 องศา C เซรามิคเผาอบผนึกที่อุณหภูมิ 1300 และ 1400 องศาองศาเซลเซียส ตามลำดับ และคุณลักษณะนี้อ่อนแอกว่าตัวอย่าง Al2O3 เนื้อหาหรือเผาที่อุณหภูมิสูง จากคุณสมบัตินี้ วัสดุนี้มีศักยภาพในการใช้เป็นอุปกรณ์ระบายความร้อนสลับกัน โครงสร้างการศึกษาพบว่าระดับที่สูงขึ้นของ Al2O3 และยับยั้งกระบวนการกัน .