Most ALD processes contain two time

Most ALD processes contain two time-separated half-reactions.As the precursor and co-reactant species transported into reactorseparately, two surface reactions occur and each of the surfacereaction is self-limiting, then the two reactions proceed sequen-tial, eventually deposit an atomic level control film [10]. The binaryreaction for Al2O3ALD [11] is

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวน ALD ส่วนใหญ่ประกอบด้วยสองคั่นเวลาครึ่งปฏิกิริยา เป็นชนิดสารตั้งต้นและตัวทำปฏิกิริยาร่วมส่ง เป็น reactorseparately เกิดปฏิกิริยาสองพื้นผิว และของ surfacereaction จะจำกัดตนเอง จาก นั้นปฏิกิริยาสองดำเนิน sequen tial ฝากฟิล์มการควบคุมระดับอะตอม [10] ในที่สุด Binaryreaction สำหรับ Al2O3ALD [11] คือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่วนใหญ่กระบวนการมรกตมีสอง half-reactions.As เวลาแยกสารตั้งต้นและพันธุ์ร่วมผิดใจส่งเข้า reactorseparately สองปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นบนพื้นผิวและแต่ละ surfacereaction คือการ จำกัด ตัวเองจากนั้นทั้งสองปฏิกิริยาดำเนิน sequen-TIAL ที่สุดฝาก ภาพยนตร์ระดับการควบคุมอะตอม [10] binaryreaction สำหรับ Al2O3ALD [11] คือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการ ald ที่สุดประกอบด้วยสองเวลาแยก half-reactions.as สารตั้งต้นของสารชนิดเคลื่อนย้ายเข้าไปใน reactorseparately และ CO 2 ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้น และผิวของแต่ละ surfacereaction ตนเอง จำกัด จากนั้นสองปฏิกิริยาต่อไปซีเคว้นด้วยเหตุนี้ในที่สุดฝากระดับอะตอมควบคุมฟิล์ม [ 10 ] การ binaryreaction สำหรับ al2o3ald [ 11 ]