In Fig. 2a, XRD pattern of ZnO/GO s

In Fig. 2a, XRD pattern of ZnO/GO shows wurtzite ZnO. The
absence of the typical diffraction peaks of GO stacking layers might
be attributed to the fact that the regular stacking of GO layers is
destroyed by introducing ZnO into the sheets of GO. In the UV–vis
spectrum of ZnO/GO (Fig. 2b), the increase of the absorptive intensity and the red-shift of the band edge and appearance of a
shoulder-peak at about 425 nm are observed, suggesting an
increase of surface charge due to the presence of GO, the narrow
of band gap energy and an effective electronic coupling between
ZnO nanoparticles and GO sheets [13].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในรูปที่ 2a, XRD รูปของ ZnO/ไป แสดง wurtzite ZnO การอาจขาดยอดกระจายทั่วไปซ้อนชั้นนำมาประกอบกับความจริงที่ซ้อนปกติของชั้นไปทำลาย ด้วย ZnO เป็นแผ่นไป ใน UV – visสเปกตรัมของ ZnO/ไป (รูปที่ 2b) การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นดูดซึมและการ shift สีแดงของขอบวงและลักษณะของการไหล่ได้สูงสุดที่ประมาณ 425 nm จะสังเกต แนะนำการเพิ่มค่าพื้นผิวเนื่องจากของไป แคบแถบช่องว่างพลังงานและมีประสิทธิภาพอิเล็กทรอนิกส์ coupling ระหว่างเก็บกัก ZnO และไปแผ่น [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในรูป 2a รูปแบบ XRD ของ ZnO / GO แสดง ZnO wurtzite
ตัวตนของยอดการเลี้ยวเบนแบบฉบับของ GO ชั้นซ้อนอาจจะ
นำมาประกอบกับความจริงที่ว่าซ้อนปกติของชั้น Go เป็น
ทำลายโดยการแนะนำ ZnO เป็นแผ่นของโก ใน UV-Vis
สเปกตรัมของ ZnO / GO (รูป. 2B) เพิ่มความเข้มของการดูดซึมและสีแดงกะของขอบวงและลักษณะของ
ไหล่จุดสูงสุดที่ประมาณ 425 นาโนเมตรจะสังเกตเห็นการแนะนำ
การเพิ่มขึ้นของพื้นผิว คิดค่าใช้จ่ายเนื่องจากการเดินทางแคบ
ของพลังงานวงช่องว่างและการมีเพศสัมพันธ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีประสิทธิภาพระหว่าง
อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์และไปแผ่น [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูปที่ 2A , XRD แบบแผนของ ZnO / ไปแสดง wurtzite เช่นกัน ที่ไม่มีทั่วไปการเลี้ยวเบนของยอดไปซ้อนชั้นอาจจะจะเกิดจากข้อเท็จจริงที่ว่าซ้อนชั้นไปเป็นปกติทำลายโดยการซิงค์ออกไซด์ลงแผ่นไป ใน UV –ธนาคารแห่งประเทศไทยสเปกตรัมของ ZnO / ไป ( รูปที่ 2B ) เพิ่มความเข้มในการดูดซับและเปลี่ยนสีแดงวงขอบและลักษณะที่ปรากฏของไหล่สูงสุดที่ประมาณ 425 nm จะสังเกตได้ว่า เป็นเพิ่มของประจุที่ผิว จากการไป แคบ ๆในช่องว่างแถบพลังงานและการเชื่อมต่ออิเล็กทรอนิกส์ที่มีประสิทธิภาพระหว่างอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์และไปแผ่น [ 13 ]