ea. The first bandgap reflectsthe eff

ea. The first bandgap reflects
the effect of N-doping on the main band edges of the oxide. The second
gap, which is narrower than the original value, suggests that
nitrogen doping contributed to the redshift of the bandgap. This
narrower bandgap will facilitate excitation of electrons from the
valence band to the conduction band in the doped oxide semiconductor
under visible light illumination, which can result in higher
photocatalytic activities.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอ first bandgap reflectsลักษณะพิเศษของโดปปิงค์ N บนขอบเป็นวงหลัก ที่สองช่องว่าง ซึ่งเป็นที่แคบลงกว่าค่าเดิม แนะนำที่โดปปิงค์ไนโตรเจนส่วนการการเคลื่อนไปทางแดงของ bandgap นี้bandgap แคบกว่าจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจากการวงในการนำสารกึ่งตัวนำออกไซด์ doped วงเวเลนซ์ภายใต้การมองเห็นแสงไฟส่องสว่าง ที่สามารถส่งผลสูงกิจกรรมกระ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

EA Fi แรก bandgap ใหม่ ECTS ชั้น
ผลของ N-ยาสลบในขอบวงหลักของออกไซด์ สอง
ช่องว่างที่แคบกว่าค่าเดิมแสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนยาสลบทำให้ redshift ของ bandgap นี้
bandgap แคบจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจาก
วงดนตรีกับวงดนตรีจุการนำในเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์เจือ
ภายใต้การส่องแสงที่มองเห็นซึ่งอาจส่งผลให้สูงขึ้น
กิจกรรมปฏิกิริยา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีเอ จึงเป็นfl RST bandgap ects
ผลของ n-doping ในวงหลักขอบของออกไซด์ ช่องว่างที่สอง
ซึ่งแคบกว่าค่าเดิม แสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนเติมส่วนคุณสมบัติของ bandgap . นี้จะช่วยกระตุ้น bandgap
แคบอิเล็กตรอนจาก
2 วงดนตรีที่จะนำวงดนตรีในการเจือออกไซด์สารกึ่งตัวนำ
ภายใต้แสงที่มองเห็นรัศมีซึ่งผลที่ได้จะสูงกว่า

รีกิจกรรม