extracted factors. This analysis yi

extracted factors.
This analysis yielded four factors with eigenvalues greater than 1 .O. A four-
factor solution was supported by the Scree Plot. The four factors account for a
total of 69.8% of the variance in test scores. The first rotated factor, accounting
for 25.4% of the variance, has high loadings for the five memory span tests and
also the five performance subtests and the Arithmetic subtest of the WPPSI-R.
This first factor therefore appears to be a memory span/performance ability fac-
tor. The second factor accounts for 23.2% of the variance and correlates most
strongly with the eight RT tests. All RT tests load highly on this second factor
and it is therefore interpreted as a speed of processing factor. The third factor can
be interpreted as a verbal ability factor, accounting from 14.7% of the variance
and loading the five verbal tests of the WPPSI-R. The fourth factor, accounting
for 6.5% of the variance, loads primarily the memory span tests, suggesting that
this final factor is a pure memory span factor.

The first unrotated factor in the analysis of all three test batteries reveals a
lear general factor. All eight RT tests have substantial negative loadings on the
irst unrotated factor, whereas all five memory tests and all 10 WPPSI-R sub-
ests have substantial positive loadings. This analysis demonstrates the existence
of factors representing speed of information processing, memory span, verbal
ability, and performance ability. In addition, this analysis provides strong support
or the existence of a general factor common to all three test batteries. Factor
oadings for all RT tests, memory span tests and WPPSI-R raw subtests on the
our rotated factors, as well as on the first unrotated factor, are presented in Table
15.
Confirmatory Hierarchical Factor Model of All Three Batteries
n order to further investigate the factor structure of the three batteries and their

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจัยที่ดึง.
การวิเคราะห์นี้จะส่งผลให้ปัจจัยสี่ที่มีลักษณะเฉพาะที่มากกว่า 1 .O สี่
แก้ปัญหาปัจจัยที่ได้รับการสนับสนุนโดยแปลงหินกรวด ปัจจัยสี่บัญชีสำหรับการ
รวมของ 69.8% ของความแปรปรวนในคะแนนการทดสอบ ปัจจัยแรกที่หมุนบัญชี
สำหรับ 25.4% ของความแปรปรวนมีแรงสูงสำหรับการทดสอบช่วงห้าหน่วยความจำและ
ยังห้าทดสอบย่อยประสิทธิภาพการทำงานและการทดสอบย่อยคณิตศาสตร์ของ WPPSI-R.
นี้ปัจจัยแรกจึงดูเหมือนจะเป็นช่วง / หน่วยความจำประสิทธิภาพ ความสามารถ fac-
ทอ ปัจจัยที่สองคิดเป็น 23.2% ของความแปรปรวนและมีความสัมพันธ์มากที่สุด
อย่างยิ่งกับแปดทดสอบ RT RT ทุกการทดสอบความเร็วในการโหลดสูงปัจจัยที่สองนี้
และจะมีการตีความจึงเป็นความเร็วของปัจจัยการประมวลผล ปัจจัยที่สามสามารถ
ตีความได้ว่าเป็นปัจจัยที่มีความสามารถทางวาจาบัญชีจาก 14.7% ของความแปรปรวน
และโหลดห้าการทดสอบทางวาจาของ WPPSI-R ปัจจัยที่สี่คิดเป็น
6.5% ของความแปรปรวนโหลดส่วนใหญ่การทดสอบหน่วยความจำช่วงบอกว่า
ปัจจัยสุดท้ายนี้เป็นปัจจัยช่วงหน่วยความจำที่บริสุทธิ์. unrotated ปัจจัยแรกในการวิเคราะห์ของทั้งสามแบตเตอรี่การทดสอบแสดงให้เห็นว่าบปัจจัยทั่วไป ทั้งแปดทดสอบ RT มีแรงเชิงลบอย่างมากต่อปัจจัย IRST unrotated ขณะที่ทั้งห้าการทดสอบหน่วยความจำและทั้งหมด 10 WPPSI-R ย่อยEsts มีแรงบวกอย่างมีนัยสำคัญ การวิเคราะห์นี้จะแสดงให้เห็นถึงการดำรงอยู่ของปัจจัยที่เป็นตัวแทนของความเร็วในการประมวลผลข้อมูลช่วงหน่วยความจำวาจาความสามารถและความสามารถในการปฏิบัติงาน นอกจากนี้การวิเคราะห์นี้ให้การสนับสนุนที่แข็งแกร่งหรือการดำรงอยู่ของปัจจัยทั่วไปที่พบบ่อยทั้งสามการทดสอบแบตเตอรี่ ปัจจัยoadings สำหรับทุกการทดสอบ RT ทดสอบช่วงหน่วยความจำและการทดสอบย่อยดิบ WPPSI-R ในปัจจัยที่หมุนของเราเช่นเดียวกับปัจจัย unrotated แรกที่ถูกนำเสนอในตารางที่15. ยืนยันปัจจัยลำดับชั้นรุ่นของทั้งสามแบตเตอรี่n เพื่อตรวจสอบเพิ่มเติม โครงสร้างปัจจัยที่สามและแบตเตอรี่ของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัจจัยที่สกัด
วิเคราะห์นี้ให้ผลสี่ปัจจัยค่ามากกว่า 1 O -
4 ด้านโซลูชั่นได้รับการสนับสนุนจากหินกรวดแปลง บัญชีสี่ปัจจัยสำหรับ
รวม 69.8 % ของความแปรปรวนในคะแนนสอบ ครั้งแรกหมุนด้านการบัญชี
สำหรับร้อยละ 25.4 ของความแปรปรวนมีภาระสูงสำหรับช่วงการทดสอบและ
5 หน่วยความจำนอกจากนี้ยังมีห้าประสิทธิภาพและเลขคณิตแบบฉบับของ wppsi-r.
ปัจจัยแรกนี้จึงปรากฏเป็นช่วงความจำ / การแสดงความสามารถ -
Fac TOR . ปัจจัยที่สองบัญชีสำหรับ 23.2 ของความแปรปรวน และที่เกี่ยวข้องที่สุด
อย่างมากกับแปด RT การทดสอบ การทดสอบ RT ทั้งหมดโหลดสูงบนนี้ปัจจัยที่สองที่
และดังนั้นจึงมองว่าเป็นปัจจัยความเร็วของการประมวลผลปัจจัยที่สาม สามารถ
จะตีความเป็นปัจจัยความสามารถในทางบัญชีจาก 14.7 % ของความแปรปรวน
โหลดห้าการทดสอบด้วยวาจาของ wppsi-r. ปัจจัยสี่ การบัญชี
6.5 % ของความแปรปรวน โหลดหลักความทรงจำช่วงทดสอบบอกว่า
นี้ปัจจัยสุดท้ายคือปัจจัยความบริสุทธิ์
ช่วง .
unrotated ปัจจัยแรกในการวิเคราะห์ทดสอบทั้งสามแบตเตอรี่แสดง
เลียร์ ทั่วไปด้าน ทั้งหมดแปด RT การทดสอบได้กระทำเชิงลบอย่างมากบน
ครั้งแรก unrotated ปัจจัย ในขณะที่ทั้งหมด 5 แบบทดสอบความจำและทั้งหมด 10 wppsi-r ย่อย -
ฐานข้อมูลได้กระทำในเชิงบวกอย่างมาก การวิเคราะห์นี้แสดงให้เห็นถึงการดำรงอยู่
ปัจจัยของความเร็วในการประมวลผล , ข้อมูลขยายหน่วยความจำความสามารถทางวาจา
, การแสดงความสามารถ นอกจากนี้ การวิเคราะห์นี้ให้
แรงสนับสนุนหรือการดำรงอยู่ของทั่วไปปัจจัยร่วมทดสอบทั้งสาม แบตเตอรี่ ปัจจัย
oadings สำหรับการทดสอบ RT ทั้งหมด ความทรงจำช่วงการทดสอบและแบบทดสอบ wppsi-r ดิบบน
ของเราหมุนองค์ประกอบ ตลอดจนปัจจัย unrotated ก่อนนำเสนอตาราง
15
ลำดับชั้นของทั้งสามองค์ประกอบเชิงยืนยันแบตเตอรี่
เพื่อที่จะสืบเรื่องของปัจจัยโครงสร้างของแบตเตอรี่และ
3