According to one embodiment, a nonv

According to one embodiment, a nonvolatile variable resistance device includes a first electrode, a second electrode, a first layer, and a second layer. The second electrode includes a metal element. The first layer is arranged between the first electrode and the second electrode and includes a semiconductor element. The second layer is inserted between the second electrode and the first layer and includes the semiconductor element. The percentage of the semiconductor element being unterminated is higher in the second layer than in the first layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามหนึ่งลื่น อุปกรณ์ต้านทาน nonvolatile ที่ผันแปรรวมอิเล็กโทรดที่แรก อิเล็กโทรดสอง ชั้นแรก และชั้นที่สอง อิเล็กโทรดสองมีองค์ประกอบโลหะ ชั้นแรกจัดระหว่างอิเล็กโทรดแรกและอิเล็กโทรดสอง และมีองค์ประกอบเป็นสารกึ่งตัวนำ ชั้นที่สองแทรกระหว่างอิเล็กโทรดสองชั้นแรก และรวมถึงองค์ประกอบของสารกึ่งตัวนำ เปอร์เซ็นต์ขององค์ประกอบสารกึ่งตัวนำเป็นแบบสูงในชั้นที่สองมากกว่าในชั้นแรกได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามที่อย่างใดอย่างหนึ่งศูนย์รวม, เป็นอุปกรณ์ที่ความต้านทานตัวแปร Nonvolatile รวมถึงการอิเล็กโทรดครั้งแรกที่, อิเล็กโทรดที่สอง, ชั้นแรก, และชั้นที่สอง อิเล็กโทรดที่สองรวมถึงการเป็นองค์ประกอบโลหะ ชั้นแรกมีการจัดเรียงระหว่างอิเล็กโทรดครั้งแรกและอิเล็กโทรดที่สองและรวมถึงการเป็นองค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์ ชั้นที่สองจะถูกแทรกระหว่างอิเล็กโทรดที่สองและชั้นแรกและรวมถึงการองค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์ อัตราร้อยละขององค์ประกอบเซมิคอนดักเตอร์การเป็น Unterminated เป็นที่สูงขึ้นในชั้นที่สองกว่าในชั้นแรก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามรูปร่างหนึ่งอุปกรณ์ตัวแปรต้านทาน nonvolatile ประกอบด้วยขั้วไฟฟ้าสองขั้วแรก ชั้น 1 และชั้น 2 ขั้วที่สองประกอบด้วยธาตุโลหะ ในชั้นแรกจะจัดระหว่างขั้ว 1 และ 2 ขั้ว และรวมถึงสารองค์ประกอบชั้นที่สองถูกแทรกระหว่างขั้วไฟฟ้า 2 ชั้นแรกและรวมถึงสารองค์ประกอบ ร้อยละของสารกึ่งตัวนำธาตุถูก unterminated ที่สูงในชั้นที่สองกว่าในชั้นแรก