Now let a potential VGS be applied

Now let a potential VGS be applied to the gate, making it negative with
respect to the source.The negative gate sets up within the device an electric field
(hence the “field effect”) that tends to repel electrons from the n channel down
into the substrate. This electron movement widens the (naturally occurring)
depletion zone between the n channel and the substrate, at the expense of the n
channel. The reduced width of the n channel, coupled with a reduction in the
number of charge carriers in that channel, increases the resistance of that channel

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตอนนี้ขอ VGS ที่มีศักยภาพที่จะนำไปใช้กับประตูทำให้มันลบด้วยความเคารพ
ที่ประตูเชิงลบ source.the ตั้งค่าอุปกรณ์ภายในสนามไฟฟ้า
(ดังนั้น "ผลด้าน") ที่มีแนวโน้มที่จะขับไล่อิเล็กตรอนจาก N Channel ลง
เป็นสารตั้งต้น นี้การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนกว้าง (เกิดขึ้นตามธรรมชาติ) โซนพร่อง
ระหว่างช่อง n และสารตั้งต้นที่ค่าใช้จ่ายของ n
ช่อง ความกว้างที่ลดลงของช่อง n ควบคู่กับการลดจำนวน
ค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการในช่องทางที่จะเพิ่มความต้านทานของช่องทางที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ให้ VGS เป็นไปได้ที่จะใช้กับประตู ทำให้เป็นลบ
เคารพแหล่งที่มาเกลบตั้งภายในอุปกรณ์มีสนามไฟฟ้า
(ดังนั้น "ผลเขตข้อมูล") ที่มีแนวโน้มที่จะขับไล่อิเล็กตรอนจาก n ช่องลง
เข้ากับพื้นผิว ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนนี้ widens (รโซ)
โซนจนหมดระหว่างช่อง n และพื้นผิว ค่าใช้จ่ายของ n
ช่องแคบ ลดความกว้างของช่อง n ควบคู่ไปกับการลดลง
หมายเลขค่าธรรมเนียมสายการบินในช่องนั้น เพิ่มความต้านทานของสถานี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในตอนนี้ปล่อยให้ vgs มี ศักยภาพ ที่จะได้รับการประยุกต์ใช้กับประตูที่ทำให้ติดลบด้วย
ซึ่งจะช่วยในส่วนแหล่งที่มาได้ประตูติดลบที่ตั้งค่าในอุปกรณ์ที่ฟิลด์ไฟฟ้า
(ดังนั้น"ผลฟิลด์”)ซึ่งมีแนวโน้มที่จะขับไล่อิเล็กตรอนไปกระทบกับจอจากช่องสัญญาณ n ลง
เข้าสู่ผิวหน้าได้ อิเลคตรอนการเคลื่อนไหวนี้กว้าง(โซน)
ทำให้หมดสิ้นลงอย่างเป็นธรรมชาติที่เกิดขึ้นระหว่างช่อง n และยึดเข้ากับฐานที่ค่าใช้จ่ายของ n
ตามมาตรฐานที่channel . ความกว้างของลดลงของ Channel n ประกอบกับการลดลงที่
ซึ่งจะช่วยในจำนวนของคลื่นพาหะคิดค่าบริการในช่องสัญญาณนั้นจะเพิ่มขึ้นการต่อต้านของช่องที่