Zinc oxide (ZnO) thin films were pr

Zinc oxide (ZnO) thin films were prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) using
oxygen plasma as a reactant and the properties were compared with those of thermal atomic layer deposition
(TH-ALD) ZnO thin films. While hexagonal wurzite phase with preferential (0 0 2) orientation was
obtained for both cases, significant differences were observed in various aspects of film properties including
resistivity values between these two techniques. Photoluminescence (PL) measurements have shown
that high resistivity of PE-ALD ZnO thin films is due to the oxygen interstitials at low growth temperature
of 200 ◦C, whose amount decreases with increasing growth temperature. Thin film transistors (TFT) using
TH- and PE-ALD ZnO as an active layer were also fabricated and the device properties were evaluated
comparatively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ (ZnO) โดยเพิ่มพลาสม่าชั้นอะตอมสะสม (PE-ALD)พลาสม่าออกซิเจนเป็นตัวทำปฏิกิริยาตัวและคุณสมบัติได้เทียบกับอะตอมชั้นความร้อนสะสม(TH-ALD) ZnO บางฟิล์ม ในขณะที่ระยะ wurzite หกเหลี่ยมต้อง (0 0 2) มีแนวได้ทั้งสองกรณี ความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญได้สังเกตในแง่มุมต่าง ๆ รวมทั้งคุณสมบัติฟิล์มค่าความต้านทานระหว่างเทคนิคเหล่านี้สอง วัด Photoluminescence (PL) ได้แสดงมีความต้านทานที่สูงของ ZnO PE ALD ฟิล์มบางเนื่องจากการ interstitials ออกซิเจนที่อุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโตของ 200 ◦C ยอดเงินลดลง ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิเติบโต ฟิล์มบาง transistors (TFT) การใช้TH - และ PE-ALD ZnO เป็นชั้นที่ใช้งานอยู่ได้หลังสร้างยัง และมีประเมินคุณสมบัติของอุปกรณ์ดีอย่างหนึ่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์ (ZnO) ฟิล์มบางที่ถูกจัดทำขึ้นโดยพลาสม่าเพิ่มการสะสมชั้นอะตอม (PE-ALD) โดยใช้
พลาสม่าออกซิเจนเป็นสารตั้งต้นและคุณสมบัติได้รับการเปรียบเทียบกับการสะสมความร้อนชั้นอะตอม
(TH-ALD) ซิงค์ออกไซด์ฟิล์มบาง ในขณะที่ขั้นตอนการ wurzite หกเหลี่ยมที่มีสิทธิพิเศษ (0 0 2) การวางแนวทางที่ถูก
ได้รับสำหรับทั้งสองกรณีมีความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญในด้านต่างๆของคุณสมบัติของฟิล์มรวมถึง
ค่าความต้านทานระหว่างทั้งสองเทคนิค เรืองแสง (PL) วัดได้แสดงให้เห็น
ว่าความต้านทานสูงของ PE-มรกตฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เกิดจากการโฆษณาคั่นระหว่างออกซิเจนที่อุณหภูมิการเจริญเติบโตต่ำ
200 ◦Cซึ่งมีจำนวนลดลงด้วยอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นการเจริญเติบโต ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง (TFT) โดยใช้
TH- และ PE-มรกตซิงค์ออกไซด์เป็นชั้นที่ใช้งานนอกจากนี้ยังได้ประดิษฐ์และคุณสมบัติของอุปกรณ์ได้รับการประเมิน
เปรียบเทียบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม เตรียมเสริมด้วยพลาสมาอะตอมสะสมชั้น ( pe-ald ) โดยใช้
พลาสมาออกซิเจนเป็นสารตั้งต้นและสมบัติของอะตอมเปรียบเทียบกับความร้อนสะสมชั้น
( th-ald ) ซิงค์ออกไซด์แบบฟิล์มบาง . ในขณะที่ขั้นตอน wurzite หกเหลี่ยมที่มีสิทธิพิเศษ ( 0 0 2 ) การรับรู้
ได้รับสำหรับทั้งสองกรณีความแตกต่างที่พบในด้านต่างๆ ของฟิล์ม คุณสมบัติรวมถึง
ความต้านทานค่าระหว่างทั้งสองเทคนิค โฟโตลูมิเนสเซนซ์ ( PL ) วัดแสดงความต้านทานสูง
ที่ pe-ald ฟิล์มบาง ZnO เนื่องจากออกซิเจนที่อุณหภูมิต่ำ interstitials
เติบโต 200 ◦ C ซึ่งมีปริมาณลดลงเมื่อเพิ่มอุณหภูมิในการ ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง ( TFT ) โดยใช้
th - pe-ald ซิงค์ออกไซด์เป็นชั้นข้อมูลยังประดิษฐ์และอุปกรณ์ คุณสมบัติ ได้แก่
เมื่อเทียบกับ