The temperature for resources and G

The temperature for resources and GaN/sapphire substrate was controlled by the furnace at 1400 and 1000 K.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ควบคุมอุณหภูมิผิวกัน/ไพลินและทรัพยากร โดยเตาที่ 1400 และ 1000 k

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิสำหรับทรัพยากรและสารตั้งต้นกาน / ไพลินถูกควบคุมโดยเตาเผาที่ 1400 1000 เค