The frequency limit of such HEMT (H

The frequency limit of such HEMT (High Electron Mobility Transistor, also called MODFET, MOdulation Doped Field Effect Transistor) structures has been pushed upwards to a present record of about 600 GHz (where gain disappears).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขีดจำกัดความถี่ของโครงสร้าง HEMT (สูงอิเล็กตรอนจำนวนทรานซิสเตอร์ ยังเรียกว่า MODFET เย็นเจือฟิลด์ผลทรานซิสเตอร์) ดังกล่าวได้ถูกผลักดันขึ้นไปกับระเบียนปัจจุบันของประมาณ 600 GHz (ซึ่งกำไรหายไป)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขีด จำกัด ของความถี่ของ HEMT เช่น (High Mobility Electron ทรานซิสเตอร์ที่เรียกว่า MODFET, Modulation Doped สนามผลทรานซิสเตอร์) โครงสร้างได้รับการผลักดันขึ้นเป็นประวัติการณ์ในปัจจุบันประมาณ 600 GHz (ซึ่งกำไรที่หายไป)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความถี่ขีด hemt ( เช่นอิเล็กตรอนสูงตัวทรานซิสเตอร์ เรียกว่า modfet , เอฟเอ็มด้วยทรานซิสเตอร์ผลสนาม ) โครงสร้างได้ถูกผลักดันขึ้นเพื่อนำเสนอบันทึกเกี่ยวกับ 600 GHz ( ที่ได้รับจะหายไป )