These indicate that there is a cons

These indicate that there is a considerable amount of crystalline ZnO present in
doped nano-structural materials. Finally, the diffraction patterns of calcined Cs–ZnO NSs can be indexed
to the hexagonal structure of ZnO. The strongest peaks (highly intense) corresponding to Cs related
secondary phase was found in doped sample, which may be attributed to the incorporation of Cs
into ZnO lattice site of doped aggregated NSs semiconductor materials

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เหล่านี้ระบุว่า มียอดมากของ ZnO อยู่ในผลึกวัสดุโครงสร้างนาโน doped สุดท้าย รูปแบบการเลี้ยวเบนของ NSs Cs – ZnO โค้กสามารถถูกทำดัชนีโครงสร้างหกเหลี่ยมของ ZnO แข็งแกร่งแห่ง (รุนแรงมาก) ที่สอดคล้องกับ Cs ที่เกี่ยวข้องระยะที่สองพบในตัวอย่าง doped ซึ่งอาจเกิดจากการประสานของซีเอสเข้าเว็บไซต์โครงตาข่ายประกอบ ZnO doped รวม NSs สารกึ่งตัวนำวัสดุและส่วนประกอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เหล่านี้บ่งชี้ว่ามีเป็นจำนวนมากในปัจจุบันในผลึกซิงค์ออกไซด์เจือวัสดุนาโนโครงสร้าง
ในที่สุดรูปแบบการเลี้ยวเบนของเผา Cs-ZnO NSS
สามารถจัดทำดัชนีโครงสร้างหกเหลี่ยมของซิงค์ออกไซด์ ยอดเขาที่สูงที่สุด (รุนแรงสูง) ที่สอดคล้องกับ Cs
ที่เกี่ยวข้องกับขั้นตอนที่สองที่พบในตัวอย่างยาซึ่งอาจนำมาประกอบกับการรวมตัวกันของCs
ในเว็บไซต์ตาข่ายซิงค์ออกไซด์ของ NSS รวมเจือวัสดุเซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เหล่านี้บ่งชี้ว่ามีจํานวนมาก ปัจจุบันในซิงค์ออกไซด์ผลึก
เจือวัสดุโครงสร้างนาโน ในที่สุด , รูปแบบการเลี้ยวเบนเผาของ CS และ ZnO NSS สามารถดัชนี
กับโครงสร้างหกเหลี่ยมของเช่นกัน ยอดสูงสุดสูง ( เข้ม ) สอดคล้องกับ CS ที่เกี่ยวข้อง
ระยะที่สองพบในตัวอย่างด้วย ซึ่งอาจจะเกิดจากการรวมตัวกันของ CS
ในเว็บไซต์ซิงค์ออกไซด์เจือรวมแลตทิซของวัสดุสารกึ่งตัวนำ NSS