Radiation induced non-bridging oxyg

Radiation induced non-bridging oxygen quasi molecular center,
possesses zero phonon line and phonon repetition of this linear
low temperature. The parameters phonon repetition and correspond to non-bridging oxygen connected with silicon not
with phosphorus.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รังสีเกิดกาลไม่ใช่ออกซิเจนเสมือนโมเลกุลเซ็นเตอร์มีศูนย์ phonon บรรทัดและ phonon ซ้ำของเส้นนี้อุณหภูมิต่ำ ทำซ้ำ phonon พารามิเตอร์ และสอดคล้องกับออกซิเจนที่ไม่เชื่อมโยงเชื่อมต่อไม่พร้อมมีฟอสฟอรัส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รังสีเหนี่ยวนำให้เกิดออกซิเจนที่ไม่เชื่อมโยงศูนย์โมเลกุลเสมือนมีศูนย์ phonon line และการทำซ้ำ phonon เส้นนี้อุณหภูมิต่ำ พารามิเตอร์ซ้ำ phonon และสอดคล้องกับออกซิเจนที่ไม่ใช่การแก้ที่เกี่ยวข้องกับซิลิกอนไม่ได้มีฟอสฟอรัส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสีปลอดออกซิเจนโมเลกุลเชื่อมกึ่งกลาง
ครอบครองศูนย์ Phonon บรรทัดและ Phonon ซ้ำของอุณหภูมิต่ำเชิงเส้นนี้

พารามิเตอร์ Phonon ซ้ำและสอดคล้องกับไม่ลดออกซิเจนเชื่อมต่อกับซิลิคอนไม่
กับฟอสฟอรัส