Also, the results revealed that the

Also, the results revealed that the value of ε′ obtained for Al doped sample was much higher than that of pure ZnO ceramics, and it increases with the increase of Al content. As shown in Fig. 5(b), at frequency below 103 Hz, the dielectric loss is very high and it decreases sharply with the increase of frequency, it remains at low values (∼0.4) in 103∼105 Hz, and then increases greatly with the further increase of frequency. On the other hand, it is also noticeable that dielectric loss increases slightly when Al is incorporated into ZnO lattice.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ ผลเปิดเผยว่า ค่าของε′ที่ได้รับสำหรับตัวอย่างที่เจืออัลมากขึ้นกว่าที่ของเซรามิกส์ ZnO บริสุทธิ์ และมันเพิ่มเพิ่มเนื้อหาอัล ดังแสดงในรูป 5(b) ที่ความถี่ต่ำกว่า 103 Hz การสูญเสียอิเล็กทริกเป็นสูงมาก และจะลดลงอย่างรวดเร็วตามการเพิ่มขึ้นของความถี่ มันยังคงอยู่ที่ค่าต่ำ (∼0.4) 103∼105 Hz และจากนั้นเพิ่มขึ้นอย่างมากกับการเพิ่มความถี่เพิ่มเติม บนมืออื่น ๆ ก็ยังเห็นได้ชัดว่า เป็นฉนวนขาดทุนเพิ่มขึ้นเล็กน้อยเมื่อรวมอยู่ในตาข่ายของ ZnO Al

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ผลการศึกษาพบว่าค่าของε 'ได้รับสำหรับอัลเจือตัวอย่างสูงกว่าที่ของเซรามิกซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์และมันจะเพิ่มกับการเพิ่มขึ้นของอัล ดังแสดงในรูป 5 (B), ด้านล่างที่ความถี่ 103 Hz, การสูญเสียอิเล็กทริกสูงมากและมันลดลงอย่างรวดเร็วกับการเพิ่มความถี่ก็ยังคงอยู่ที่ค่าต่ำ (~0.4) ใน 103~105 เฮิร์ตซ์และจากนั้นเพิ่มขึ้นอย่างมากกับการเพิ่มขึ้นต่อไป ความถี่ ในทางกลับกันก็ยังเป็นที่น่าสังเกตว่าการเพิ่มขึ้นของการสูญเสียอิเล็กทริกเล็กน้อยเมื่ออัลรวมอยู่ใน ZnO ตาข่าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ ผลการศึกษาพบว่า ค่าของε′ได้รับอัลที่มีจำนวนสูงกว่าที่ของเซรามิกซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์ และเพิ่มด้วยการเพิ่มของ อัล เนื้อหา ดังแสดงในรูปที่ 5 ( b ) ที่ความถี่ต่ำกว่า 103 Hz การสูญเสียไดอิเล็กตริกสูงมาก และจะลดลงอย่างรวดเร็วด้วยการเพิ่มความถี่ มันยังคงอยู่ที่ค่าต่ำ ( ∼ 0.4 ) 103 ∼ 105 Hz และเพิ่มขึ้นอย่างมากกับปรับเพิ่มความถี่ บนมืออื่น ๆ นอกจากนี้ยังพบว่า การสูญเสียไดอิเล็กทริกจะเพิ่มขึ้นเล็กน้อยเมื่อ อัล จะรวมอยู่ในซิงค์ออกไซด์แบบขัดแตะ