BaTiO3 is a typical ferroelectric m

BaTiO3 is a typical ferroelectric material with high relative permittivity and has been used for various applications, such as multilayer ceramic capacitors (MLCCs). With the tendency of miniaturization of MLCCs, the thin films of BaTiO3 have been required. In this work, BaTiO3 thin films have been deposited on Pt-coated Si substrates by RF magnetron sputtering under different deposition conditions. The films deposited at the substrate temperature from 550 1C–750 1C show a pure tetragonal perovskite structure. The films deposited at 550 1C–625 1C exhibit (111) preferential orientation, and change to (110) preferential orientation when deposited above 650 1C. The film morphologies vary with working pressure and substrate temperature. The film deposited at 625 1C and 4.5 Pa has the relative permittivity of 630 and the loss tangent of 2% at 10 kHz.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

BaTiO3 เป็นวัสดุ ferroelectric ทั่วไปกับ permittivity ญาติสูง และมีการใช้งานในประเภทต่าง ๆ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCCs) มีแนวโน้มของ miniaturization ของ MLCCs ฟิล์มบางของ BaTiO3 มีจำ ในงานนี้ BaTiO3 ฟิล์มบางได้รับฝากไว้ในพื้นผิวเคลือบ Pt ศรี โดย RF ผลิตกล่องจากกระดาษสปัตเตอร์ภายใต้เงื่อนไขสะสมแตกต่างกัน ภาพยนตร์ฝากที่อุณหภูมิพื้นผิวจาก 1C 550 – 750 1 C แสดงโครงสร้าง perovskite ตอนที่บริสุทธิ์ ภาพยนตร์ที่ฝากไว้ที่ 550 1C – 625 1 C แสดงแนวพิเศษ (111) และเปลี่ยนแปลงการวางแนวพิเศษ (110) เมื่อฝากข้าง 650 1C. Morphologies ฟิล์มแตกต่างกันกับอุณหภูมิความดันและพื้นผิวการทำงาน ฟิล์มฝากที่ 625 1C และ 4.5 Pa มี permittivity สัมพัทธ์ของ 630 และแทนเจนต์ขาดทุน 2% ที่ 10 kHz

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

BaTiO3 เป็นวัสดุ ferroelectric ทั่วไปกับ permittivity ค่อนข้างสูงและมีการใช้สำหรับการใช้งานต่างๆเช่นตัวเก็บประจุเซรามิกหลาย (MLCCs) กับแนวโน้มของ miniaturization ของ MLCCs ที่ฟิล์มบางของ BaTiO3 ต้องได้รับ ในงานนี้ฟิล์มบาง BaTiO3 ได้รับการวางลงบน PT-เคลือบพื้นผิวศรีโดย RF แมกสปัตเตอร์ภายใต้เงื่อนไขที่แตกต่างกันการสะสม ภาพยนตร์ที่ฝากที่อุณหภูมิพื้นผิวจาก 550 1C-750 1C แสดงโครงสร้าง perovskite บริสุทธิ์ tetragonal ภาพยนตร์ที่ฝากไว้ที่ 550 1C-625 1C จัดแสดง (111) ปฐมนิเทศพิเศษและเปลี่ยนเป็น (110) ปฐมนิเทศพิเศษเมื่อฝากข้างต้น 650 1C รูปร่างลักษณะแตกต่างกันกับฟิล์มดันการทำงานและอุณหภูมิพื้นผิว ภาพยนตร์เรื่องนี้นำไปฝากไว้ที่ 625 1C และ 4.5 ​​Pa มี permittivity ญาติของ 630 และสัมผัสการสูญเสียของ 2% ที่ 10 เฮิร์ทซ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

batio3 เป็นวัสดุเฟอร์โรอิเล็กทริกโดยทั่วไปกับญาติที่ป้อนสูงและมีการใช้สำหรับการใช้งานต่าง ๆเช่น ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ( mlccs ) กับแนวโน้มของ miniaturization ของ mlccs , ฟิล์มบางของ batio3 ได้ถูกต้อง ในงานนี้ batio3 ฟิล์ม ได้รับเงินใน PT เคลือบพื้นผิวด้วย RF แมกนีตรอนสปัตเตอร์ซี ภายใต้เงื่อนไขการสะสมที่แตกต่างกัน ภาพยนตร์ที่ฝากไว้ที่พื้นผิวอุณหภูมิ 550 1C – 750 1C แสดงโครงสร้าง perovskite เตตระโกนอลบริสุทธิ์ ภาพยนตร์ที่ฝากไว้ที่ 550 1C ( 625 1C แสดง ( 111 ) พิเศษการปฐมนิเทศและเปลี่ยน ( 110 ) พิเศษการปฐมนิเทศเมื่อฝากเหนือ 650 c . ฟิล์มลักษณะแตกต่างกันกับความดันและอุณหภูมิพื้นผิว ฟิล์มฝากที่ 625 1C และ 4.5 โดยมีญาติของคนป้อนและการสูญเสียแทนเจนต์ของ 2% ที่ 10 กิโลเฮิรตซ์