High efficiencies of 9.6% (1.0 nm/s

High efficiencies of 9.6% (1.0 nm/s) and 8.6% (2.5 nm/s) were achieved using a very high frequency (VHF) of 140 MHz for the deposition of all silicon layers (p–i–n).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพสูง 9.6% (1.0 nm/s) และ 8.6% (2.5 nm/s) ได้สำเร็จโดยใช้ความถี่สูงมาก (VHF) ของ 140 MHz สำหรับสะสมของชั้นซิลิคอนทั้งหมด (p-i-n)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประสิทธิภาพสูง 9.6% (1.0 นาโนเมตร / วินาที) และ 8.6% (2.5 นาโนเมตร / วินาที) ก็ประสบความสำเร็จโดยใช้ความถี่สูงมาก (VHF) 140 MHz สำหรับการทับถมของชั้นซิลิกอนทั้งหมด (p-I-n)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สูงประสิทธิภาพของ 9.6% ( 1.0 nm / s ) และ 8.6% ( 2.5 nm / s ) ได้ใช้ความถี่สูงมาก ( VHF ) 140 MHz สำหรับการสะสมของชั้นซิลิคอน ( P ) ฉัน ( N )