The deposition rate of the mc-Si:H

The deposition rate of the mc-Si:H absorber layer is varied between 1.0 nm/s and 2.5 nm/s on a cell level.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อัตราสะสม mc-Si:H วิบากชั้นแตกต่างกันระหว่าง 1.0 nm s nm 2.5 s ในระดับเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อัตราการสะสมของ MC-Si: H ชั้นโช้คจะแตกต่างกันระหว่าง 1.0 นาโนเมตร / วินาทีและ 2.5 นาโนเมตร / วินาทีในระดับเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสะสมคะแนนของพิธีกร ซี : H โช้คชั้นมีค่าระหว่าง 1.0 nm / s และ 2.5 nm / s บนมือถือระดับ