The applications were carried out b

The applications were carried out by coating ARCs on the surface of CIGS solar cells but the Ag contact electrodes for measure. Fig.9 shows the current–voltage (I–V) characteristic of the CIGS devices coated with ARCs comparing with the uncoated CIGS sample, and the measured photovoltaic parameters are listed in Table 2. For ARCs coated CIGS solar cell with size of 0.4 cm2,a short-circuit photo current density (Jsc) of 35.12mA/cm 2 with an open-circuit voltage (Voc) of 520.8mV, a calculated fill factor (FF) of 66.40% and an overall PCE (η) of 12.15% have been obtained. As expected, by introducing ARCs, the PCE of CIGS solar cell is increased comparing with that of uncoated cells from 11.20% to 12.15%. The Jsc is increased from 33.36mA/cm2 to 35.12mA/cm2, which can be analyzed as definitely arising from the generation of more photonics with suitable energy that could be absorbed by the CIGS layer. Voc is mainly related to electrical factors, such as built-in electric field, or device quality including coverage of CdS, defects type and concentration. However, Voc is also affected by introduction of ARCs and become a little largerdue to more generated photonics. The external quantum efficiency of TiO2–SiO2 stack coated CIGS solar cells comparing with the responding uncoated CIGS solar cells was investigated, and the increase with a value of approximate 9–11% in the visible range indicates an improved collection of photonics. The results indicate that ARCs are useful to couple more solar incidence into the CIGS solar cells in the same conditions of illumination as the uncoated cells, and therefore enhance the photo- voltaic performance of CIGS solar cells. The utilization of TiO2–SiO2 stack coating reveals superiority and importance to capture solar energy as an outstanding antireflection material with low cost, practicable fabrication and high potential for practical applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โปรแกรมประยุกต์ถูกดำเนิน โดยการเคลือบเส้นโค้งบนพื้นผิวของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS แต่หุงต Ag ติดต่อสำหรับหน่วยวัด Fig.9 แสดงกระแสแรงดันไฟฟ้า (I – V) ลักษณะของอุปกรณ์ CIGS ที่เคลือบ ด้วยส่วนโค้งเปรียบเทียบกับตัวอย่าง CIGS เคลือบ และวัดพารามิเตอร์เซลล์แสงอาทิตย์จะแสดงในตารางที่ 2 สำหรับเส้นโค้งเคลือบ CIGS เซลล์แสงอาทิตย์ขนาด 0.4 cm2 มี short-circuit ภาพปัจจุบันหนาแน่น (Jsc) 35.12mA / ซม. 2 กับการเปิดวงจรแรง (Voc) 520.8mV, fill คำนวณตัว (FF) 66.40% และการรวมเรา (η) 12.15% ได้แล้วรับ ตามที่คาดไว้ โดยการแนะนำเส้นโค้ง เซลล์แสงอาทิตย์เรา CIGS จะเพิ่มเปรียบเทียบกับค่าของเซลล์เคลือบจาก 11.20% 12.15% Jsc จะเพิ่มขึ้นจาก 33.36mA / cm2 เพื่อ 35.12mA / cm2 ซึ่งสามารถวิเคราะห์เป็น definitely ที่เกิดจากการสร้างของโฟตอนิกส์มากขึ้นกับพลังงานที่เหมาะสมที่สามารถดูดซึม โดยชั้น CIGS Voc เป็นปัจจัยหลักที่เกี่ยวข้องกับไฟฟ้า ภายใน field ไฟฟ้า หรืออุปกรณ์คุณภาพรวมทั้งความครอบคลุมของซีดี พิมพ์ข้อบกพร่อง และความเข้มข้น อย่างไรก็ตาม Voc ยังได้รับผลกระทบจากการแนะนำของเส้นโค้ง และเป็น largerdue เล็ก ๆ น้อย ๆ เพื่อสร้างโฟตอนิกส์นั้น Efficiency ควอนตัมภายนอกของกอง – TiO2 SiO2 เคลือบเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เปรียบเทียบกับการตอบสนองมีการตรวจสอบเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เคลือบ และเพิ่มขึ้น มีค่าประมาณ 9 – 11% ในช่วงมองเห็นได้บ่งชี้ว่า คอลเลกชันการปรับปรุงของโฟตอนิกส์ ผลลัพธ์บ่งชี้ว่า ส่วนที่เป็นประโยชน์ต่อคู่เกิดแสงขึ้นในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ในเงื่อนไขเดียวของรัศมีเป็นเซลล์เคลือบ และเพิ่มการถ่าย voltaic ประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ดังนั้น ใช้กอง – TiO2 SiO2 เคลือบเผยปมและความสำคัญการจับพลังงานแสงอาทิตย์วัสดุเป็น antireflection โดดเด่นด้วยการผลิตที่ต้นทุนต่ำ practicable และศักยภาพสูงสำหรับประยุกต์ใช้งานจริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การใช้งานที่ถูกหามออกจากโค้งเคลือบบนพื้นผิวของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS แต่ขั้วติดต่อ Ag สำหรับวัด รูปที่ 9 แสดงให้เห็นในปัจจุบันแรงดัน (I-V) ลักษณะของอุปกรณ์ CIGS เคลือบด้วยโค้งเปรียบเทียบกับตัวอย่าง CIGS เคลือบผิวและวัดพารามิเตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์มีการระบุไว้ในตารางที่ 2 สำหรับโค้งเคลือบเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ที่มีขนาด 0.4 ซม 2 , ภาพลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (Jsc) ของ 35.12mA / ซม. 2 ที่มีแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc) ของ 520.8mV เป็นสายปัจจัย LL คำนวณ (ก) ของ 66.40% และ PCE โดยรวม (η) 12.15% ของ ได้รับ เป็นที่คาดหวังโดยการแนะนำโค้งที่ PCE ของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS จะเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับของเซลล์ที่เคลือบผิวจาก 11.20% เป็น 12.15% Jsc เพิ่มขึ้นจาก 33.36mA / cm2 เพื่อ 35.12mA / cm2 ซึ่งสามารถวิเคราะห์ได้ในขณะที่ไฟ nitely ที่เกิดขึ้นจากการสร้างเล็คทรอนิคส์อื่น ๆ ที่มีการใช้พลังงานที่เหมาะสมที่จะถูกดูดซึมโดยชั้น CIGS Voc เป็นส่วนใหญ่ที่เกี่ยวข้องกับปัจจัยไฟฟ้าเช่น ELD ไฟในตัวไฟฟ้าหรืออุปกรณ์ที่มีคุณภาพรวมทั้งการรายงานข่าวของซีดีข้อบกพร่องชนิดและความเข้มข้นของ อย่างไรก็ตาม Voc รับผลกระทบจากการเปิดตัวของโค้งและกลายเป็น largerdue น้อยที่จะสร้างเพิ่มเติมเล็คทรอนิคส์ ควอนตัมภายนอกประสิทธิภาพการสายของ TiO2-SiO2 เซลล์แสงอาทิตย์ CIGS เคลือบสแต็คเปรียบเทียบกับการตอบสนองเคลือบผิวเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ถูกตรวจสอบและการเพิ่มขึ้นมีมูลค่าประมาณ 9-11% ในช่วงที่มองเห็นที่แสดงให้เห็นคอลเลกชันที่ดีขึ้นของเล็คทรอนิคส์ ผลการศึกษาพบว่าโค้งเป็นประโยชน์ต่อคู่อุบัติการณ์แสงอาทิตย์มากยิ่งขึ้นในเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ในเงื่อนไขเดียวกันของแสงเป็นเซลล์ที่เคลือบผิวและดังนั้นจึงเพิ่มประสิทธิภาพฟ้ภาพถ่ายของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS การใช้ประโยชน์ของสารเคลือบผิวสแต็ค TiO2-SiO2 เผยให้เห็นความเหนือกว่าและความสำคัญในการจับภาพพลังงานแสงอาทิตย์เป็นที่โดดเด่น antire ชั้น ection วัสดุที่มีต้นทุนต่ำ, การประดิษฐ์และการปฏิบัติที่มีศักยภาพสูงสำหรับการใช้งานจริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

งานทดลองโดยการเคลือบผิวโค้งบนพื้นผิวของเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS แต่ AG ติดต่ออิเลคโทรดสำหรับการวัด fig.9 แสดงแรงดัน–ปัจจุบัน ( ผม ) 5 . ลักษณะของ CIGS อุปกรณ์เคลือบด้วยเส้นโค้งเมื่อเทียบกับไม่เคลือบผิวและเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ตัวอย่างวัดพารามิเตอร์จะแสดงในตารางที่ 2 สำหรับโค้งเคลือบเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS มีขนาด 0.4 cm2 ,เป็นภาพความหนาแน่นกระแสลัดวงจร ( JSC ) ของ 35.12ma/cm 2 กับค่าแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด ( VOC ) ของ 520.8mv , จึงจะคำนวณปัจจัย ( FF ) 66.40 % และพีซีโดยรวม ( η ) 12.15 % ได้ อย่างที่คาดไว้ โดยการแนะนำโค้ง PCE ของบุหรี่พลังงานแสงอาทิตย์จะเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับที่ของการเคลือบผิวเซลล์จาก 11.20 % 12.15 % ที่เพิ่มขึ้นจากการ 35.12ma/cm2 JSC เป็น 33.36ma/cm2 ,ซึ่งสามารถวิเคราะห์เป็น เดอ จึง nitely ที่เกิดจากรุ่นของโฟตอนิกส์เพิ่มเติมพลังงานเหมาะที่จะถูกดูดซึมโดยบุหรี่ชั้น สำหรับส่วนใหญ่ที่เกี่ยวข้องกับปัจจัยทางไฟฟ้า เช่น ในตัว ELD ไฟฟ้าจึงหรืออุปกรณ์ที่มีคุณภาพรวมทั้งความคุ้มครองของซีดีบกพร่องชนิดและความเข้มข้นของ อย่างไรก็ตามบริษัทยังได้รับผลกระทบจากการแนะนำของ JC ARCS และกลายเป็นเล็ก ๆน้อย ๆเพิ่มเติมที่สร้างขึ้น largerdue Photonics . ภายนอกของ TiO2 และประสิทธิภาพควอนตัม EF จึงพ่นเคลือบเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS กองเปรียบเทียบกับการตอบสนองการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS มีการสอบสวนและการเพิ่มขึ้นมีมูลค่าประมาณ 9 – 11 % ในช่วงที่มองเห็นได้ แสดงว่า มีการเพิ่มคอลเลกชันของโฟตอนิกส์ .ผลการศึกษาพบว่า โค้งเป็นประโยชน์ต่อคู่แสงอาทิตย์มากขึ้นเกิดเป็นเซลล์แสงอาทิตย์ CIGS ในเงื่อนไขเดียวกันซึ่งเป็นเซลล์เคลือบผิวและดังนั้นจึงเพิ่มประสิทธิภาพของภาพ voltaic เซลล์แสงอาทิตย์ CIGS . ใช้สำหรับพ่นเคลือบ TiO2 กองแสดงความเหนือกว่าและความสำคัญในการจับพลังงานแสงอาทิตย์แบบโดดเด่น antire fl ection วัสดุที่มีราคาต่ำการผลิตในทางปฏิบัติและศักยภาพสูงในการใช้งานในทางปฏิบัติ