ABSTRACT This paper reports the mic

ABSTRACT
This paper reports the microstructure evolution of Bi-Te thermoelectric films upon post-annealing and its effects on the thermoelectric properties. Bi-Te films with the composition of around 61 at % Te and the thickness of 300 nm were deposited ontoABSTRACT
This paper reports the microstructure evolution of Bi-Te thermoelectric films upon post-annealing and its effects on the thermoelectric properties. Bi-Te films with the composition of around 61 atx Te and the thickness of 300 nm were deposited onto Sio2-coated Si substrates by using bismuth and tellurium targets in a radio frequency (RF) magnetron sputtering system. We annealed the films at different temperatures (100, 150 and 200 oC) under N2 ambient for 8 h, and characterized the crystallinity and morphology of the Bi-Te films. Microstructure characterization using x-ray diffraction and scanning electron microscopy disclosed that the post-annealing treatment entailed a drastic microstructural evolution by inducing the development of a strong texture of grains with their c-axis oriented normal to the substrate. In addition, we measured the electrical transport and thermoelectric properties of the films to reveal their close link with the microstructure changes. The electron mobility and Seebeck coefficient increase significantly, leading to a remarkable improvement in the power factor from 3.3 w/K cm for the as-deposited sample to 24.1 HwIK2 cm for the 200 ac annealed sample.
substrates by using bismuth and tellurium targets in a radio frequency (RF) magnetron sputtering system. We annealed the films at different tem- peratures (100, 150 and 200 oC) under N2 ambient for 8 h, and characterized the crystallinity and mor- phology of the Bi-Te films. Microstructure characterization using x-ray diffraction and scanning electron microscopy disclosed that the post-annealing treatment entailed a drastic microstructural evo- lution by inducing the development of a strong texture of grains with their c-axis oriented normal to the substrate. In addition, we measured the electrical transport and thermoelectric properties of the films to reveal their close link with the microstructure changes. The electron mobility and Seebeck coefficient increase significantly, leading to a remarkable improvement in the power factor from 3.3 w/K cm for the as-deposited sample to 24.1 HwIK2 cm for the 200 ac annealed sample.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อ กระดาษนี้รายงานวิวัฒนาการต่อโครงสร้างจุลภาคของภาพยนตร์แบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ Bi-ติตามหลังการอบเหนียวและผลกระทบของคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ Bi-Te ฟิล์มกับองค์ประกอบของประมาณ 61% ติและความหนาของ 300 nm มี ontoABSTRACT นำฝาก กระดาษนี้รายงานวิวัฒนาการต่อโครงสร้างจุลภาคของภาพยนตร์แบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ Bi-ติตามหลังการอบเหนียวและผลกระทบของคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ Bi-Te ฟิล์ม มีส่วนประกอบของ atx 61 ติและความหนาของ 300 nm ได้ฝากลงบนพื้นผิวสีเคลือบ Sio2 โดยเป้าหมายเทลลูเรียมและบิสมัทใน magnetron คลื่นความถี่วิทยุ (RF) เป็นระบบการพ่น เรา annealed ฟิล์มที่อุณหภูมิแตกต่างกัน (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้สภาวะสำหรับ 8 h, N2 และลักษณะ crystallinity และสัณฐานวิทยาของฟิล์ม Bi-ติ จำแนกต่อโครงสร้างจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนเอกซเรย์ และสแกน microscopy อิเล็กตรอนเปิดเผยว่า การรักษาหลังหลอม entailed วิวัฒนาการ microstructural ความรุนแรง โดย inducing พัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชด้วยของแกน c วางกับพื้นผิว นอกจากนี้ เราวัดการขนส่งไฟฟ้าและคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของภาพยนตร์ให้เหมาะกับการเชื่อมโยงปิด ด้วยการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาค อิเล็กตรอนเคลื่อนและสัมประสิทธิ์ Seebeck เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในตัวพลังงานจาก 3.3 ซม w/K สำหรับฝากเป็นตัวอย่าง 24.1 HwIK2 ซม.สำหรับตัวอย่าง annealed ac 200 พื้นผิว โดยใช้เป้าหมายเทลลูเรียมและบิสมัท magnetron คลื่นความถี่วิทยุ (RF) ที่พ่นระบบ เรา annealed ฟิล์มที่ peratures ยการต่าง ๆ (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้สภาวะสำหรับ 8 h, N2 และลักษณะ crystallinity และ mor-phology ภาพยนตร์ Bi-ติ จำแนกต่อโครงสร้างจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนเอกซเรย์ และสแกน microscopy อิเล็กตรอนเปิดเผยว่า การรักษาหลังหลอม entailed ที่รุนแรง microstructural evo-lution โดย inducing พัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชด้วยของแกน c วางกับพื้นผิว นอกจากนี้ เราวัดการขนส่งไฟฟ้าและคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของภาพยนตร์ให้เหมาะกับการเชื่อมโยงปิด ด้วยการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาค อิเล็กตรอนเคลื่อนและสัมประสิทธิ์ Seebeck เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในตัวพลังงานจาก 3.3 ซม w/K สำหรับฝากเป็นตัวอย่าง 24.1 HwIK2 ซม.สำหรับตัวอย่าง annealed ac 200

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่องานวิจัยนี้รายงานวิวัฒนาการจุลภาคของภาพยนตร์เทอร์โม Bi-Te เมื่อโพสต์หลอมและผลกระทบของมันที่มีต่อสมบัติเทอร์โม
หนัง Bi-Te กับองค์ประกอบของรอบที่ 61% Te และความหนา 300 นาโนเมตรที่ถูกฝาก ontoABSTRACT
กระดาษนี้รายงานวิวัฒนาการจุลภาคของภาพยนตร์เทอร์โม Bi-Te เมื่อโพสต์หลอมและผลกระทบของมันที่มีต่อสมบัติเทอร์โม หนัง Bi-Te กับองค์ประกอบของรอบ 61 ATX Te และความหนา 300 นาโนเมตรวางลงบน SiO2 เคลือบพื้นผิวศรีโดยใช้เป้าหมายบิสมัทและเทลลูเรียมในความถี่วิทยุ (RF) ระบบสปัตเตอร์แมก เราภาพยนตร์อบที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้ N2 โดยรอบเป็นเวลา 8 ชั่วโมงและลักษณะผลึกและสัณฐานวิทยาของภาพยนตร์ Bi-Te ลักษณะจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเปิดเผยว่าการรักษาหลังการอบอ่อนยกวิวัฒนาการจุลภาครุนแรงโดยการกระตุ้นให้เกิดการพัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชที่มีแกนคของพวกเขาที่มุ่งเน้นปกติกับพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งไฟฟ้าและเทอร์โมคุณสมบัติของภาพยนตร์ที่จะเปิดเผยการเชื่อมโยงอย่างใกล้ชิดกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาค การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและการเพิ่มค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck อย่างมีนัยสำคัญที่นำไปสู่การพัฒนาที่โดดเด่นในปัจจัยอำนาจจาก 3.3 w / K ซม. สำหรับเป็นฝากตัวอย่าง 24.1 HwIK2 ซม. สำหรับ 200 ac ตัวอย่างอบ.
พื้นผิวโดยใช้เป้าหมายบิสมัทและเทลลูเรียมใน ความถี่วิทยุ (RF) ระบบสปัตเตอร์แมก เราอบภาพยนตร์ที่ peratures tem- ที่แตกต่างกัน (100, 150 และ 200 องศาเซลเซียส) ภายใต้ N2 โดยรอบเป็นเวลา 8 ชั่วโมงและลักษณะผลึกและ phology mor- ของภาพยนตร์ Bi-Te ลักษณะจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเปิดเผยว่าการรักษาหลังการหลอมยก lution evo- รุนแรงจุลภาคโดยการกระตุ้นให้เกิดการพัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชที่มีแกนคของพวกเขาที่มุ่งเน้นปกติกับพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งไฟฟ้าและเทอร์โมคุณสมบัติของภาพยนตร์ที่จะเปิดเผยการเชื่อมโยงอย่างใกล้ชิดกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาค การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck ที่นำไปสู่การพัฒนาที่โดดเด่นในปัจจัยอำนาจจาก 3.3 w / K ซม. สำหรับตัวอย่างตามที่ฝาก 24.1 ซม HwIK2 สำหรับตัวอย่างอบ 200 ac

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม
กระดาษรายงานโครงสร้างวิวัฒนาการของบีเทเทอร์โมฟิล์มเมื่อโพสต์อ่อนและผลกระทบต่อคุณสมบัติของเทอร์โม . บีทีฟิล์มที่มีส่วนประกอบของรอบ 61 ที่ % ทีและความหนา 300 nm ฝากเงิน ontoabstract
บทความนี้รายงานโครงสร้างวิวัฒนาการของบีเทเทอร์โมฟิล์มเมื่อโพสต์อ่อนและผลกระทบต่อคุณสมบัติของเทอร์โม . บีทีฟิล์มที่มีส่วนประกอบของรอบ 61 ATX Te และความหนา 300 nm มีฝากบนพื้นผิวพ่นเคลือบโดยใช้ Si เทลลูเรียมและบิสมัทเป้าหมายในความถี่วิทยุ ( RF ) แมกนีตรอนสปัตเตอร์ระบบเราอบฟิล์มที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ( 100 , 150 และ 200 องศาเซลเซียส ) ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน 8 H , และลักษณะของผลึกและสัณฐานวิทยาของบีไปยังภาพยนตร์โครงสร้างจุลภาคสมบัติโดยใช้การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด พบว่า การอบ การโพสต์ ( จํานวนมาก วิวัฒนาการโครงสร้างจุลภาคโดยกระตุ้นการพัฒนาแข็งแรงพื้นผิวของธัญพืชกับ c-axis พวกเขามุ่งเน้นปกติไปยังพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งทางไฟฟ้าและสมบัติเทอร์โมของภาพยนตร์เปิดเผยการเชื่อมโยงใกล้ชิดกับโครงสร้างที่เปลี่ยนแปลงไป อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ วัดค่าและเพิ่มสถิติที่นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในด้านพลังงานจาก 3.3 W / K ซม. สำหรับเป็นฝากตัวอย่าง hwik2 24.1 เซนติเมตร 200 AC อบตัวอย่าง
พื้นผิวโดยใช้เทลลูเรียมและบิสมัทเป้าหมายในความถี่วิทยุ ( RF ) แมกนีตรอนสปัตเตอร์ระบบ เราอบภาพยนตร์ที่แตกต่างกันเต็ม - peratures ( 100 , 150 และ 200 องศาเซลเซียส ) ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน 8 H , และลักษณะของผลึกและมอ - phology ของบีไปยังภาพยนตร์โครงสร้างจุลภาคสมบัติโดยใช้การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด พบว่า การอบ การโพสต์ ( จํานวนมากโครงสร้างจุลภาค Evo - lution กระตุ้นการพัฒนาแข็งแรงพื้นผิวของธัญพืชกับ c-axis พวกเขามุ่งเน้นปกติไปยังพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งทางไฟฟ้าและสมบัติเทอร์โมของภาพยนตร์เปิดเผยการเชื่อมโยงใกล้ชิดกับโครงสร้างที่เปลี่ยนแปลงไป อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ วัดค่าและเพิ่มสถิติที่นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในด้านพลังงานจาก 3.3 W / K ซม. สำหรับเป็นฝากตัวอย่าง hwik2 24.1 เซนติเมตร 200 AC อบตัวอย่าง