The effect of this doping process o

The effect of this doping process on the relative conductivity can best be described
through the use of the energy-band diagram of Fig. 1.8 . Note that a discrete energy level
(called the donor level ) appears in the forbidden band with an E g significantly less than that
of the intrinsic material. Those free electrons due to the added impurity sit at this energy
level and have less difficulty absorbing a sufficient measure of thermal energy to move into
the conduction band at room temperature. The result is that at room temperature, there are a
large number of carriers (electrons) in the conduction level, and the conductivity of the material
increases significantly. At room temperature in an intrinsic Si material there is about
one free electron for every 10 12 atoms. If the dosage level is 1 in 10 million (10 7 ), the ratio
10 12 >10 7  10 5 indicates that the carrier concentration has increased by a ratio of 100,000:1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดีที่สุดสามารถอธิบายผลของกระบวนการนี้ยาสลบในการนำญาติผ่านการใช้ไดอะแกรมแถบพลังงานของรูป 1.8 หมายเหตุว่า ระดับพลังงานไม่ต่อเนื่อง(เรียกว่าระดับผู้บริจาค) ปรากฏในวงต้องห้ามมีตัว E g มากน้อยกว่านั้นของวัสดุที่แท้จริง อิเล็กตรอนเหล่านั้นฟรีเนื่องจากสิ่งเจือปนเพิ่มนั่งที่พลังงานนี้ระดับ และมีปัญหาน้อยในการดูดซับพลังงานความร้อนไปวัดเพียงพอวงนำที่อุณหภูมิห้อง ผลที่ได้คือ ว่า ที่อุณหภูมิห้อง มีการจำนวนมากของสายการบิน (อิเล็กตรอน) ในระดับนำ และการนำไฟฟ้าของวัสดุเพิ่มมากขึ้น อุณหภูมิในการซี intrinsic มีวัสดุที่เกี่ยวกับอิเล็กตรอนหนึ่งฟรีสำหรับทุก 10 อะตอม 12 ถ้าระดับยา 1 ใน 10 ล้าน (10 7), อัตราส่วน10 12 > 10 7 10 5 บ่งชี้ว่า ความเข้มข้นของผู้ขนส่งได้เพิ่มขึ้น โดยอัตราส่วน 100, 000:1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลของกระบวนการยาสลบนี้ในการนำญาติได้ดีที่สุดจะอธิบาย
ผ่านการใช้แผนภาพพลังงานกลุ่มมะเดื่อ 1.8 โปรดทราบว่าระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่อง
(เรียกว่าระดับผู้บริจาค) ปรากฏขึ้นในวงต้องห้ามกับ G E อย่างมีนัยสำคัญน้อยกว่า
วัสดุที่แท้จริง ผู้อิเล็กตรอนอิสระเนื่องจากการปนเปื้อนเพิ่มนั่งอยู่ที่พลังงานนี้
ระดับและมีปัญหาในการดูดซับน้อยเป็นมาตรการที่เพียงพอของพลังงานความร้อนที่จะย้ายเข้าไป
การนำวงดนตรีที่อุณหภูมิห้อง ผลที่ได้คือที่อุณหภูมิห้องมี
จำนวนมากของผู้ให้บริการ (อิเล็กตรอน) ในระดับการนำและการนำของวัสดุที่
เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ ที่อุณหภูมิห้องในวัสดุศรีภายในมีเป็นเรื่องเกี่ยวกับ
อิเล็กตรอนฟรีสำหรับทุก 10 12 อะตอม ถ้าระดับปริมาณเป็น 1 ใน 10 ล้าน (10 7) อัตราส่วน
10 12> 10 7? 10 5 บ่งชี้ว่าความเข้มข้นของผู้ให้บริการได้เพิ่มขึ้นโดยอัตราส่วนของ 100,000: 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลของการเติมนี้กระบวนการในการนำญาติจะดีที่สุดจะอธิบายผ่านการใช้งานของแถบพลังงานแผนภูมิรูปที่ 1.8 ทราบว่าระดับการใช้พลังงานแบบไม่ต่อเนื่อง( เรียกว่าระดับผู้บริจาค ) ปรากฏในพระราชวังต้องห้ามวงดนตรีกับ e กรัม น้อยกว่าที่ของวัสดุที่แท้จริง อิเล็กตรอนเหล่านั้นฟรีเนื่องจากการเพิ่มมลนั่งในพลังงานนี้ระดับ และมีความยากน้อยกว่าการใช้พลังงานความร้อนเพียงพอที่จะย้ายเข้าโดยนำวงดนตรีที่อุณหภูมิห้อง ผลที่ได้คือที่อุณหภูมิ ห้อง มีจำนวนมากของผู้ให้บริการ ( อิเล็กตรอน ) ในระดับจัดการ และการนำความร้อนของวัสดุเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญทางสถิติ ที่อุณหภูมิห้องในภายในจังหวัด มีเกี่ยวกับวัสดุอิเล็กตรอนหนึ่งฟรีสำหรับทุก 10 12 อะตอม ถ้าระดับยาเป็น 1 ใน 10 ล้าน ( 10 ( 7 ) , อัตราส่วน10 10 10 5 7 12 ระบุว่า ผู้ให้บริการความเข้มข้นเพิ่มขึ้น โดยอัตราส่วนของ 100000:1 .