In this section, we present the two

In this section, we present the two dimensional iso-thermal simulation results with the I-V characteristics of the regenerative diode at different temperatures. In addition, we also compare the characteristics of the regenerative diode with that ofthe ofJBS rectifier at different temperatures. In the simulations, we considered the same dimensions and doping concentration of the n- drift region for both the devices, which support 100V. The simulations have been performed in the 'Device Simulation for Smart Integrated Systems' (DESSIS) which is an ISE-TCAD tool [6]. The forward I-V characteristics ofthe regenerative diode at 300k are shown in Fig. 5. As mentioned earlier regenerative diode is a normally ON device. The current flow starts from without threshold voltage and increases as the anode becomes positive. It exhibits a linear relationship between the current and voltage until the voltage across the device reaches 0.95V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในส่วนนี้ เรานำผลการทดลองความร้อน iso มิติสองลักษณะ-V ของไดโอดสำหรับสินค้าทั้งหมดที่อุณหภูมิแตกต่างกัน นอกจากนั้น เรายังเปรียบเทียบคุณลักษณะของไดโอดสำหรับที่วงจรเรียงกระแส ofJBS ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ในแบบจำลอง เราถือว่าเป็นขนาดเดียวกันและโดปปิงค์เข้มข้นภาค n ดริฟท์สำหรับทั้งอุปกรณ์ ซึ่งสนับสนุน 100V การทำแบบจำลองใน 'อุปกรณ์จำลองระบบสมาร์ทรวม' (DESSIS) ซึ่งเป็นเครื่องมืออิเสะ-TCAD [6] ลักษณะไปข้างหน้าฉัน-V ของไดโอดสำหรับที่ 300k จะแสดงใน Fig. 5 เป็น ไดโอดที่เกิดใหม่จะเป็นปกติบนอุปกรณ์ กระแสปัจจุบันเริ่มต้นจากไม่ มีขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า และเพิ่มเป็นขั้วบวกกลายเป็นบวก จะจัดแสดงความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่างกระแสและแรงดันไฟฟ้าจนกระทั่งแรงดันไฟฟ้าระหว่างอุปกรณ์ถึง 0.95V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในส่วนนี้เราจะนำเสนอสองมิติผลการจำลอง iso ความร้อนที่มีลักษณะที่สี่ของไดโอดปฏิรูปที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน นอกจากนี้เรายังเปรียบเทียบลักษณะของไดโอดปฏิรูปกับที่ ofthe ofJBS วงจรเรียงกระแสที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน ในการจำลองที่เราถือว่าเป็นขนาดเดียวกันและความเข้มข้นของยาสลบของภูมิภาคลอย n- สำหรับอุปกรณ์ทั้งสองซึ่งสนับสนุน 100V แบบจำลองที่ได้รับการดำเนินการใน 'จำลองอุปกรณ์สำหรับสมาร์ทแบบบูรณาการระบบ (DESSIS) ซึ่งเป็นเครื่องมือที่ ISE-TCAD [6] ลักษณะ IV ไปข้างหน้า ofthe ไดโอดปฏิรูปที่ 300k จะแสดงในรูป 5. เป็นที่กล่าวถึงไดโอดปฏิรูปก่อนหน้านี้เป็นปกติบนอุปกรณ์ การไหลของกระแสเริ่มจากแรงดันไฟฟ้าโดยไม่ต้องเกณฑ์และเพิ่มเป็นขั้วบวกจะกลายเป็นบวก มันแสดงความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่างกระแสและแรงดันจนแรงดันไฟฟ้าทั่วอุปกรณ์ถึง 0.95V

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในส่วนนี้เรานำเสนอสองมิติการจำลองผลด้วย ISO ความร้อนไฟฟ้าคุณลักษณะของไดโอดเปลี่ยนแปลงที่อุณหภูมิต่าง ๆ นอกจากนี้เรายังเปรียบเทียบคุณลักษณะของไดโอดเปลี่ยนแปลงกับของ ofjbs Rectifier ที่อุณหภูมิต่าง ๆ ในสถานการณ์จำลอง ,เราถือว่าเป็นมิติเดียวกัน และความเข้มข้นของยาสลบ - ดริฟท์เขตทั้งอุปกรณ์ซึ่งสนับสนุน 100V . จำลองได้ถูกแสดงใน ' จำลองอุปกรณ์สมาร์ทบูรณาการระบบ ' ( dessis ) ซึ่งเป็นเครื่องมือที่ ise-tcad [ 6 ] ลักษณะของตลาดไฟฟ้า ส่งต่อที่ 300 ไดโอดแสดงในรูปที่ 5ตามที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ ฟื้นฟูสุขภาพ ไดโอด เป็นปกติบนอุปกรณ์ การไหลของกระแสเริ่มต้นจากไม่มีแรงดันไฟฟ้าและระดับเพิ่มขึ้นเป็นขั้วบวกจะกลายเป็นบวก มันแสดงความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่างแรงดันและกระแส จนกว่าแรงดันในอุปกรณ์ถึง 0.95v .