a) Bandgap VoltageBandgap voltage o

a) Bandgap Voltage
Bandgap voltage of a semiconductor measured in eV refers to the potential energy difference
between the valence band and the conduction band for that semiconductor. It has a nearly
constant value and its variation with temperature is small. Each type of a semiconductor has a
unique bandgap. Typically for silicon its value is approximately 1.17 eV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

) แรงดันไฟฟ้า BandgapBandgap แรงดันไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำมีหน่วย eV หมายถึงความแตกต่างของพลังงานศักย์ระหว่างแถบวาเลนซ์และแถบนำสำหรับสารกึ่งตัวนำที่ มีเป็นเกือบค่าคงและการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิที่มีขนาดเล็ก แต่ละชนิดของสารกึ่งตัวนำที่มีการbandgap ไม่ซ้ำ โดยทั่วไปสำหรับซิลิคอน ค่าเป็นประมาณ 1.17 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก) bandgap แรงดันไฟฟ้า
แรงดันไฟฟ้า bandgap ของสารกึ่งตัวนำวัดใน eV หมายถึงความแตกต่างของพลังงานที่มีศักยภาพ
ระหว่างวง Valence และการนำวงดนตรีสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ที่ แต่ก็มีเกือบ
ค่าคงที่และการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิที่มีขนาดเล็ก ประเภทของสารกึ่งตัวนำแต่ละคนมี
bandgap ที่ไม่ซ้ำกัน โดยปกติสำหรับซิลิกอนค่าของมันจะอยู่ที่ประมาณ 1.17 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

) bandgap แรงดันไฟฟ้าbandgap แรงดันของอุปกรณ์วัดใน EV หมายถึง ผลต่างของพลังงานศักย์ระหว่าง 2 วง และวงการนั้น ) มันมีเกือบค่าคงที่และการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิขนาดเล็ก สารแต่ละชนิดมีเฉพาะ bandgap . โดยทั่วไปสำหรับซิลิคอนมูลค่าประมาณ 1.17 EV