Figure 2. Characterization of ZnO n

Figure 2. Characterization of ZnO nanowires synthesized by decomposing zinc acetate at ∼300 °C in trioctylamine. (A) SEM micrograph of wires grown
for 1 h. (B) TEM image of several nanostructures showing the parallel nanowires and nanorods. The inset is a diffraction pattern taken from a singlecrystalline
ensemble; both the base and wires grow along the [0001] direction. (C) High-resolution TEM image of a single nanowire (16 nm in diameter).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 2 สมบัติของ nanowires ZnO ที่สังเคราะห์ โดยจู่สังกะสี acetate ที่ ∼300 ° C ใน trioctylamine (A) บอร์ดสองกว้าง/ SEM ของสายที่เติบโตขึ้นสำหรับเอช 1 (B) รูปหลาย nanostructures แสดง nanowires ขนานและ nanorods การแทรกภาพคือ รูปแบบกระจายมาจาก singlecrystalline เป็นวงดนตรี ฐานและสายเติบโตไปตามทิศทาง [0001] (ค) รูปความละเอียดสูง nanowire เดี่ยว (16 nm เส้นผ่านศูนย์กลาง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 2 ลักษณะของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์สังเคราะห์โดยการย่อยสลายอะซิเตทสังกะสีที่ ~300 ° C ใน trioctylamine (A) micrograph SEM ของสายการเติบโต
เป็นเวลา 1 ชั่วโมง (B) ภาพ TEM หลายโครงสร้างนาโนแสดง nanowires ขนานและแท่งนาโน สิ่งที่ใส่เข้าไปเป็นเลนส์แบบที่นำมาจาก singlecrystalline
ชุด; ทั้งฐานและสายเติบโตตาม [0001] ทิศทาง (C) ความละเอียดสูงภาพ TEM ของเส้นลวดนาโนเดียว (16 นาโนเมตรเส้นผ่าศูนย์กลาง)