To clarify the properties of the sy

To clarify the properties of the synthesized GO-based materials, UV-visible spectra (normalized) were plotted as shown in Fig. 1. The observed absorption near 200 nm suggests that all the synthesized GO samples possess an ordered graphitic structure with a p / p* transition of C]C. A small shoulder near 300 nm was observed in all GOs spectra, which is attributed to the n/p* transition of C]O. The optical band gaps of the three samples, GO-1, GO-2 and GO-3, were determined by using a Tauc plot with a linear extrapolation (Fig. 1). The amorphous GO sheet having a non-uniform oxidation level cannot exhibit sharp adsorption edges in the Tauc plot. We observed an approximate band gap ranges over 2.9–3.7, 3.1–3.9 and 3.2–4.4 for GO-1, GO-2 and GO-3 respectively. These observed approximate band gaps of all the GOs, showing an intrinsic semiconductor like absorption in the blue optical region, are adequately large to overcome the endothermic energy required for the CO2 reduction (
0.38 V) under solar energy excitation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติของวัสดุสังเคราะห์ตามไปชี้แจง แรมสเป็คตราเห็น UV (ตามปกติ) ถูกพล็อตมาก Fig. 1 ดูดซึมพบใกล้ 200 nm แนะนำที่ไปสังเคราะห์ทั้งหมดอย่างมีโครงสร้าง graphitic การสั่ง ด้วยตัว p / p * เปลี่ยนของ C] C. ไหล่เล็กใกล้ 300 nm ได้สังเกตในแรมสเป็คตรา GOs ทั้งหมด ซึ่งบันทึก n / p * เปลี่ยนของ C] โอ ช่องแสงวง 3 ตัว อย่าง ไป 1, 2 ไป และไป 3 ถูกตามด้วยแผน Tauc extrapolation เชิงเส้น (Fig. 1) แผ่นงานไปไปมีออกซิเดชันไม่สม่ำเสมอระดับไม่แสดงขอบคมดูดซับในพล็อต Tauc เราสังเกตช่วงช่องว่างของวงประมาณ 2.9 – 3.7, 3.1-3.9 และ 3.2-4.4 สำหรับไป-1 ไป-2 และ 3 ไปตามลำดับ เหล่านี้สังเกตช่องว่างประมาณวงของทั้งหมด GOs แสดงสารกึ่งตัวนำ intrinsic เช่นดูดซึมในภูมิภาคแสงสีฟ้า มีขนาดใหญ่เพียงพอที่จะเอาชนะพลังงานดูดความร้อนที่จำเป็นสำหรับการลด CO2 (0.38 V) ภายใต้พลังงานแสงอาทิตย์ในการกระตุ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชี้แจงคุณสมบัติของวัสดุสังเคราะห์ไปตามสเปกตรัมรังสียูวีที่มองเห็นได้ (ปกติ) เป็นพล็อตดังแสดงในรูป 1. การดูดซึมสังเกตใกล้ 200 นาโนเมตรแสดงให้เห็นว่าทุกตัวอย่าง GO สังเคราะห์มีโครงสร้าง graphitic สั่งซื้อกับ AP / p * การเปลี่ยนแปลงของ C] C ไหล่เล็ก ๆ ใกล้ 300 นาโนเมตรพบว่าในทุกสเปกตรัม GOS ซึ่งมีสาเหตุมาจาก n / p * การเปลี่ยนแปลงของ C] O ช่องว่างวงแสงของทั้งสามตัวอย่าง GO-1, GO-2 และ GO-3 ได้รับการพิจารณาโดยใช้พล็อต Tauc ที่มีการคาดการณ์เชิงเส้น (รูปที่ 1). แผ่น GO สัณฐานมีระดับการเกิดออกซิเดชันไม่สม่ำเสมอไม่สามารถแสดงขอบที่คมชัดในการดูดซับพล็อต Tauc เราสังเกตเห็นช่องว่างที่วงประมาณช่วงในช่วง 2.9-3.7, 3.1-3.9 และ 3.2-4.4 สำหรับ GO-1, 2 GO-GO-และ 3 ตามลำดับ เหล่านี้สังเกตเห็นช่องว่างวงโดยประมาณของทุก GOS แสดงสารกึ่งตัวนำที่แท้จริงเช่นการดูดซึมในภูมิภาคแสงสีฟ้าที่มีขนาดใหญ่เพียงพอที่จะเอาชนะดูดพลังงานที่จำเป็นสำหรับการลดก๊าซ CO2 (? 0.38 V) ภายใต้การกระตุ้นพลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่ออธิบายคุณสมบัติของสังเคราะห์ไปใช้วัสดุ , UV มองเห็นสเปกตรัม ( ปกติ ) กำลังวางแผนดังแสดงในรูปที่ 1 อัตราการดูดซึมใกล้ 200 nm พบว่า ได้มีคำสั่ง graphitic ไปตัวอย่างโครงสร้างด้วย P / P * การเปลี่ยน C ] C เล็กไหล่ใกล้ 300 nm พบว่าสเปกตรัมทั้งหมดไป ซึ่งเกิดจากการเปลี่ยนแปลงของ C n / P * ] Oวงแสงช่องว่างของทั้งสามตัวอย่าง go-1 go-2 go-3 , และถูกกำหนดโดยการใช้ tauc พล็อตกับการประมาณค่านอกช่วงเชิงเส้น ( รูปที่ 1 ) รูปร่างไปแผ่นมีความไม่สม่ำเสมอของการไม่ได้มีการดูดซับใน tauc คมขอบแปลง เราพบวงดนตรีประมาณช่องว่างช่วงกว่า 2.9 – 3.7 , 3.9 3.1 – 3.2 –และ 4.4 สำหรับ go-1 go-2 go-3 , และตามลำดับเหล่านี้สังเกตได้ประมาณวงช่องว่างของรัฐทั้งหมด แสดงเป็นสารกึ่งตัวนำเนื้อแท้เช่นการดูดซึมในภูมิภาคแสงสีฟ้า เพียงพอขนาดใหญ่เพื่อเอาชนะการดูดพลังงานที่จำเป็นสำหรับการลดก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ (
0.38 V ) ภายใต้การกระตุ้นพลังงานแสงอาทิตย์