For the thin film deposition, the I

For the thin film deposition, the ITO substrate was cleaned by
distilled water, acetone, and proponal, and de-ionized water. The
substrate was rotated in spin coater at an angular speed of
2500 rpm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับสะสมฟิล์มบาง อิโตะพื้นผิวความสะอาดโดยการน้ำกลั่น อะซิ โตน และ proponal และน้ำ de-ไอออน การพื้นผิวถูกหมุนใน coater หมุนที่ความเร็วเชิงมุมรอบต่อนาที 2500

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการสะสมฟิล์มบางสารตั้งต้น ITO ได้รับการทำความสะอาดด้วย
น้ำกลั่น, อะซิโตนและ proponal และน้ำบริสุทธิ์
ตั้งต้นถูกหมุนปั่น Coater ที่ความเร็วเชิงมุมของ
2,500 รอบต่อนาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการเคลือบฟิล์มบาง อิโตะพื้นผิวสะอาดโดยน้ำกลั่น อะซิโตน และ proponal และ De ionized น้ำ ที่ฐานรองหมุนที่ความเร็วเชิงมุมในการหมุนเคลือบของ2500 รอบต่อนาที