It is well known that UV irradiatio

It is well known that UV irradiation can exert an effect on the gas
detection over the metal oxide semiconductors: On the one hand,
UV irradiation can stimulate the generation of carriers to increase
the density of the free electron–hole pairs, and change the intergrain
potential barrier to decrease the depletion layer between the
semiconductor and the adsorbed gas

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นที่รู้จักว่า วิธีการฉายรังสี UV สามารถสำแดงผลในก๊าซ
ตรวจผ่านอิเล็กทรอนิกส์โลหะออกไซด์: คง,
วิธีการฉายรังสี UV สามารถกระตุ้นการสร้างของสายการบินเพิ่ม
ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนอิสระ – หลุมคู่ และการเปลี่ยนแปลงที่ intergrain
อุปสรรคอาจลดชั้นการลดลงของระหว่าง
สารกึ่งตัวนำและแก๊ส adsorbed

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่ทราบกันดีว่าการฉายรังสียูวีที่สามารถออกแรงผลกระทบต่อก๊าซ
การตรวจสอบในช่วงเซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์: ในมือข้างหนึ่ง,
การฉายรังสียูวีที่สามารถกระตุ้นให้เกิดการผลิตของผู้ให้บริการเพื่อเพิ่ม
ความหนาแน่นของคู่อิเล็กตรอนหลุมฟรีและเปลี่ยน intergrain
อุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นเพื่อลดการสูญเสียชั้นระหว่าง
เซมิคอนดักเตอร์และดูดซับก๊าซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นที่รู้จักกันดีว่ารังสี UV สามารถออกแรงผลกระทบต่อแก๊ส
ตรวจจับมากกว่าโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ : บนมือข้างหนึ่งของรังสี UV สามารถกระตุ้นให้เกิดการสร้าง

ของผู้ให้บริการเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของอิเล็กตรอนอิสระ–หลุมคู่และเปลี่ยน Intergrain
ศักยภาพกั้นเพื่อลดการทำลายชั้นบรรยากาศระหว่าง
สารกึ่งตัวนำและดูดซับแก๊ส