boron atoms in an area concentratio

boron atoms in an area concentration of 10^16 are introduced into an n-type wafer from a boron source in a carrier gas. the strating n-type wafer has a uniform donor concentration of 5 cm. The subsequent drive-in diffusion is carried out at 1100 in a oxygen ambient. The desired junction depth is 2 micron. how long should the drive-in diffusion be continued?

Assume that the diffusion coefficient of boron is 10^-12 at 1100 C.



are arbitrary complex numbers. Does this set of matrices form a vector space? It so, find a basis

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อะตอมโบรอนในความเข้มข้นพื้นที่ 10 ^ 16 จะนำเข้าสู่เวเฟอร์ชนิดเอ็นจากแหล่งโบรอนในก๊าซ Strating เวเฟอร์ชนิดเอ็นมีความเข้มข้นบริจาคเครื่องแบบ 5 ซม การแพร่กระจายของไดรฟ์ในภายหลังจะดำเนินการที่ 1100 ในออกซิเจนโดยรอบ ความลึกทางแยกที่ต้องการคือ 2 ไมครอน นานแค่ไหนที่ควรจะแพร่กระจายในไดรฟ์จะยังคง? สมมติว่าค่าสัมประสิทธิ์การแพร่ของโบรอนเป็น 10 ^ -12 ที่ 1100 ซีเป็นตัวเลขที่ซับซ้อนโดยพลการ ไม่ชุดของการฝึกอบรมในรูปแบบปริภูมิเวกเตอร์นี้หรือไม่? มันจึงหาพื้นฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โบรอนอะตอมในพื้นที่ความเข้มข้น 10
16 มีแนะนำเป็นเวเฟอร์ทั่วไปจากแหล่งในการขนส่งก๊าซ โดยทั่วไป strating เวเฟอร์มีความเข้มข้นบริจาคเครื่องแบบ 5 cm ขับตามมาในการแพร่กระจายข้อมูลที่ 1100 ในอากาศแวดล้อม ชุมทางที่ต้องการมีความลึก 2 ไมครอน นานเท่าไหร่ควรไดรฟ์ในการแพร่กระจายต่อไป ?

สมมติว่า การแพร่ของสารคือ 10
- 12 900 C .



จะซับซ้อนสุ่มตัวเลข มีชุดของเมทริกซ์รูปแบบปริภูมิเวกเตอร์ ? มันหาพื้นฐาน