extremely fine, eutectics, rod-like

extremely fine, eutectics, rod-like, and massive primary silicon particles are buried (Figs. 9(e)-(f)). During melting and solidification, rate of formation of ridges in silicon particles increased with a high melting point (1430°C) on the EDMed surface, due to the difference between the melting point of the a-phase and that of the silicon phase. The X- ray analysis of Fig. 10 proves that the amount of silicon near the ridges formed in resolidification markedly increased with silicon content.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสน ดี eutectics ร็อดเหมือน และอนุภาคซิลิกอนหลักใหญ่จะฝัง (Figs. 9(e)-(f)) ละลายและ solidification อัตราการก่อตัวของสันเขาในซิลิคอนอนุภาคเพิ่มขึ้นกับความสูงจุดหลอมเหลว (1430° C) บนพื้นผิว EDMed เนื่องจากความแตกต่างระหว่าง melting point ของที่เป็นเฟสและเฟสซิลิคอนที่ วิเคราะห์รังสี X 10 Fig. พิสูจน์ว่า จำนวนซิลิคอนใกล้สันเขาเกิดขึ้นใน resolidification ที่เพิ่มขึ้นอย่างเด่นชัดกับเนื้อหาซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดีมากยูเทคติกแท่งเ​​หมือนและขนาดใหญ่อนุภาคซิลิกอนหลักถูกฝังอยู่ (มะเดื่อ 9 (จ.) - (ฉ)) ในระหว่างการละลายและการแข็งตัวอัตราการก่อตัวของสันเขาในอนุภาคซิลิกอนเพิ่มขึ้นด้วยจุดหลอมเหลวสูง (1,430 ° C) บนพื้นผิว EDMed เนื่องจากความแตกต่างระหว่างจุดหลอมละลายของเฟสและเฟสซิลิกอน การวิเคราะห์ X-ray ของรูป 10 พิสูจน์ให้เห็นว่าปริมาณของซิลิกอนที่อยู่ใกล้แนวที่เกิดขึ้นอย่างเห็นได้ชัดใน resolidification เพิ่มขึ้นด้วยเนื้อหาซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปรับมาก eutectics ร็อด และขนาดใหญ่หลักซิลิคอนอนุภาคฝัง ( Figs 9 ( E ) - ( F ) ในช่วงการหลอมเหลวและการแข็งตัว อัตราการพัฒนาของสันเขาในอนุภาคซิลิคอนเพิ่มด้วยจุดละลายสูง ( 1 ° C ) บนพื้นผิว edmed เนื่องจากความแตกต่างระหว่างจุดหลอมเหลวของ a-phase และของซิลิคอน เฟส X - ray ของภาพการวิเคราะห์10 พิสูจน์ว่าปริมาณของซิลิคอนใกล้สันเขา ขึ้นใน resolidification เพิ่มขึ้นอย่างชัดเจนกับปริมาณซิลิคอน .