We have examined photoluminescence

We have examined photoluminescence spectra of porous
substrates as a function of treatments. The PL investiga-tions of the porous GaAs layer show visible and infrared
photoluminescence bands.
The infrared PL peak is associated
with the Eg of the bulk GaAs and the visible one is due
to the quantum confinement in the GaAs crystallites
formed by electrochemical etching. For the porous InP
we must study the photoluminescence spectra in more details
in order to clarify the precise nature of the different
transitions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้ตรวจสอบแรมสเป็คตรา photoluminescence ของ porousพื้นผิวเป็นฟังก์ชันของการรักษา Investiga-tions PL ของชั้น GaAs porous แสดงมองเห็น และอินฟราเรดวง photoluminescence สูงสุด PL อินฟราเรดถูกเชื่อมโยงEg ของจำนวนมาก GaAs และหนึ่งเห็นมีครบการเข้าควอนตัมใน GaAs crystallitesเกิดขึ้นจากไฟฟ้าเคมีกัด สำหรับ porous InPเราต้องศึกษาแรมสเป็คตรา photoluminescence ในรายละเอียดเพิ่มเติมเพื่อชี้แจงชัดเจนลักษณะต่าง ๆช่วงการเปลี่ยนภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้ตรวจสอบสเปกตรัม photoluminescence
ของรูพรุนพื้นผิวที่เป็นฟังก์ชั่นของการรักษา รหัส PL investiga tions ของชั้นที่มีรูพรุน GaAs
แสดงที่มองเห็นและอินฟราเรดวงดนตรีphotoluminescence.
ยอด PL
อินฟราเรดมีความเกี่ยวข้องกับเช่นGaAs
ของกลุ่มและเป็นคนที่มองเห็นเป็นเพราะไปคุมขังควอนตัมในGaAs crystallites
ที่เกิดขึ้นจากการแกะสลักไฟฟ้า สำหรับ InP
รูพรุนที่เราจะต้องศึกษาสเปกตรัมphotoluminescence ในรายละเอียดเพิ่มเติมเพื่อชี้แจงธรรมชาติที่แม่นยำของการที่แตกต่างกันการเปลี่ยน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้ตรวจสอบแบบสเปกตรัมของพื้นผิวที่มีรูพรุน
เป็นฟังก์ชันของการรักษา พี investiga tions ของรูพรุนในชั้นแสดงที่มองเห็นและอินฟราเรด
แบบวงดนตรี

คุณสูงสุดอินฟราเรดเกี่ยวข้องด้วยเช่นของ GaAs เป็นกลุ่มและหนึ่งที่มองเห็นได้เนื่องจาก
กับควอนตัมจำกัดใน crystallites
6 รูปแบบโดยการกัดไฟฟ้าเคมี สำหรับ
InP ที่มีรูพรุนเราต้องศึกษาแบบนี้ในรายละเอียดเพิ่มเติม
เพื่อชี้แจงลักษณะที่ชัดเจนของการเปลี่ยนที่แตกต่างกัน