Potentiostatic formation of oxidise

Potentiostatic formation of oxidised layers on surface of a polycrystalline
Pt in 0.1 M KOHaq depends on the order of applied potentials:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Potentiostatic การก่อตัวของชั้น oxidised บนพื้นผิวของการคPt ใน 0.1 M KOHaq ที่ขึ้นอยู่บนใบสั่งของใช้ศักยภาพ:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การก่อตัวของชั้น Potentiostatic เหลี่ยมบนพื้นผิวของ polycrystalline
Pt ใน 0.1 M KOHaq ขึ้นอยู่กับคำสั่งของศักยภาพประยุกต์:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

potentiostatic ก่อตัวของหมดชั้นบนพื้นผิวของผลึก
PT ใน 0.1 M kohaq ขึ้นอยู่กับการประยุกต์ศักยภาพ :