SnS quantum dots (QDs) with size of

SnS quantum dots (QDs) with size of 8 nm were synthesized by an in-situ room temperature solution chemical reaction process. Stannous chloride, as Sn precursor, was coated on the TiO2 photo-anodes to form a solid precursor film. Ammonium sulfide was dissolved into ethanol to form anionic reaction solution. SnS quantum dots were generated by immersing the Sn-coated TiO2 photo-anodes into the anionic solution. The structure, morphology and optical absorption properties of the SnS/TiO2 photoanodes were investigated by means of XRD, SEM, TEM and UV–vis measurements. The photovoltaic properties of the SnS QDs sensitized TiO2 solar cells were optimized by changing the number of deposition cycles of the SnS QDs. It turns out that the SnS/TiO2 solar cell with 20 deposition cycles exhibited the best photovoltaic performance with an open-circuit voltage Voc of 510 mV, a short-circuit current density Jsc of 2.41 mA, a fill factor FF of 0.49 and a power conversion efficiency η of 0.61% under AM 1.5 illumination. This result is interpreted in terms of minimization of the charge transfer resistance. The performance will drop for further deposition because the charge transfer resistance will increase due to QDs agglomeration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดควอนตัม SnS (QDs) ขนาด 8 นาโนเมตรที่สังเคราะห์ ด้วยกระบวนการปฏิกิริยาเคมีของโซลูชันอุณหภูมิห้องในพื้นที่ คลอไรด์ stannous เป็น Sn สารตั้งต้น เคลือบถูกบน TiO2 ภาพใบจักรแบบฟิล์มสารตั้งต้นแข็ง ซัลไฟด์แอมโมเนียละลายในเอทานอลฟอร์ม anionic ปฏิกิริยาโซลูชัน สร้างจุดควอนตัม SnS โดยแช่ภาพใบจักร Sn เคลือบ TiO2 เป็นโซลูชัน anionic โครงสร้าง สัณฐานวิทยา และคุณสมบัติดูดซึมแสงของ photoanodes SnS/TiO2 ถูกตรวจสอบโดยวิธี XRD, SEM, TEM และ UV – vis คุณสมบัติของ SnS QDs ครีม TiO2 เซลล์แสงอาทิตย์เซลล์แสงอาทิตย์ถูกปรับ โดยการเปลี่ยนแปลงจำนวนรอบสะสมของ SnS QDs มันเปิดออกว่า เซลล์แสงอาทิตย์ของ SnS/TiO2 มีรอบสะสม 20 แสดงประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ที่ดีที่มีแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด Voc ของ 510 mV การลัดวงจรหนาแน่นปัจจุบัน Jsc ของ 2.41 mA องค์ประกอบการเติม FF 0.49 และηประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 0.61% ภายใต้กำลังไฟ 1.5 ผลลัพธ์นี้ถูกตีความในแง่ของการลดความต้านทานการโอนค่าธรรมเนียม ประสิทธิภาพจะลดลงสำหรับการสะสม เพราะจะเพิ่มความต้านทานการโอนค่าธรรมเนียมเนื่องจาก QDs agglomeration

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ควอนตัม SNS จุด (QDS) มีขนาด 8 นาโนเมตรถูกสังเคราะห์โดยอุณหภูมิห้องวิธีการแก้ปัญหากระบวนการปฏิกิริยาทางเคมีในแหล่งกำเนิด คลอไรด์ Stannous เป็นปูชนียบุคคล Sn ถูกเคลือบบน TiO2 ภาพ anodes ในรูปแบบภาพยนตร์เรื่องสารตั้งต้นที่เป็นของแข็ง แอมโมเนียมซัลไฟด์ที่กำลังละลายลงไปในเอทานอลในรูปแบบการแก้ปัญหาการเกิดปฏิกิริยาประจุลบ SNS จุดควอนตัมที่ถูกสร้างขึ้นโดยการแช่ SN-เคลือบ TiO2 ภาพ anodes เข้าสู่ทางออกที่ประจุลบ โครงสร้างสัณฐานวิทยาและการดูดซึมแสงคุณสมบัติของ photoanodes SNS / TiO2 ถูกตรวจสอบโดยวิธีการของ XRD, SEM, TEM และ UV-Vis วัด คุณสมบัติของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ของ SNS QDS ของเซลล์ TiO2 มีประสิทธิภาพสูงสุดโดยการเปลี่ยนจำนวนรอบการสะสมของ SNS QDS แต่กลับกลายเป็นว่าเซลล์แสงอาทิตย์ SNS / TiO2 20 รอบการสะสมจัดแสดงประสิทธิภาพการทำงานของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่ดีที่สุดกับแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด Voc 510 mV, ลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่น Jsc 2.41 มิลลิแอมป์เป็น FF ปัจจัยที่เติม 0.49 และพลังงาน ประสิทธิภาพการแปลงη 0.61% ภายใต้น 1.5 การส่องสว่าง ผลที่ได้นี้จะถูกตีความในแง่ของการลดความต้านทานการถ่ายโอนค่าใช้จ่าย ผลการดำเนินงานจะลดลงสำหรับการสะสมต่อไปเพราะความต้านทานต่อการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายจะเพิ่มขึ้นจากการรวมตัวกัน QDS

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SNS จุดควอนตัม ( QDS ) ที่มีขนาด 8 nm ที่สังเคราะห์โดยปฏิกิริยาทางเคมี กระบวนการแก้ปัญหาควบคู่อุณหภูมิห้อง . สแตนนัสคลอไรด์เป็นสารตั้งต้นคือ ดีบุก , เคลือบไม่ถ่าย ) รูปแบบภาพยนตร์นำแข็ง แอมโมเนียมซัลไฟด์ละลายในเอทานอลในรูปแบบสารละลายปฏิกิริยาแอน . SNS ควอนตัมจุดถูกสร้างขึ้นโดยแช่ Sn ) เคลือบรูปถ่าย anodes ในสารละลายประจุลบ . โครงสร้างสัณฐานวิทยาและคุณสมบัติของการดูดกลืนแสง photoanodes SNS / TiO2 ศึกษาโดยวิธี XRD , SEM และ TEM – UV VIS การวัด คุณสมบัติของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ของ SNS และควอนตัมด็อต ) เซลล์แสงอาทิตย์ที่เหมาะสมโดยการเปลี่ยนจำนวนรอบของ SNS ของควอนตัมด็อต . ปรากฎว่า SNS / TiO2 เซลล์แสงอาทิตย์กับ 20 รอบการจัดแสดงการแสดงแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่ดีที่สุดที่มีค่าแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด VOC ของ 510 MV , ความหนาแน่นกระแสลัดวงจร JSC มา 2.41 , เติมปัจจัย FF ของ 0.49 และประสิทธิภาพการแปลงพลังงานของη 0.61 % ภายใต้เป็น 1.5 รัศมี การตีความในแง่ของการลดการต่อต้านการโอนค่าธรรมเนียม ประสิทธิภาพจะลดลงสำหรับการสะสมเพิ่มเติม เพราะความต้านทานโอนค่าใช้จ่ายที่จะเพิ่มขึ้นจากควอนตัมด็อตรวมกัน .