Fig. 5. (a) ESR signals of the RR-P

Fig. 5. (a) ESR signals of the RR-P3HT/PCBM composite MIS diode measured with microwave power of 0.02mW at 10 K. Solid and dashed curves show ESR signals obtained at VG = +10 and 0V, respectively. (b) Field-induced ESR signal due to the PCBM radical anions, obtained by subtracting ESR signal at VG = 0V from that at VG = +10 and +30 V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 5 (ก) ESR สัญญาณของคอมโพสิต RR-P3HT/PCBM วัดไดโอด MIS กับไมโครเวฟพลังงานของ 0.02mW ทึบคุณและเส้นโค้งประแสดงสัญญาณ ESR ได้ที่ VG 10 = + 10 และ 0V ตามลำดับ (ข) ฟิลด์เกิดสัญญาณ ESR จาก PCBM รุนแรง anions ได้รับ โดยการลบสัญญาณ ESR ที่ VG = 0V จากที่ VG = + 10 และ +30 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 5. (ก) สัญญาณ ESR ของ RR-P3HT / PCBM คอมโพสิตไดโอด MIS วัดที่มีอำนาจไมโครเวฟ 0.02mW ที่ 10 เคแข็งและเส้นโค้งเส้นประแสดงสัญญาณ ESR ได้ที่ VG = 10 และ 0V ตามลำดับ (ข) สนามที่เกิดสัญญาณ ESR เนื่องจาก PCBM แอนไอออนที่รุนแรงได้โดยการลบสัญญาณ ESR ที่ VG = 0V จากที่ VG = 10 และ 30 โวลต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 5 ( ก ) จากสัญญาณของ rr-p3ht / pcbm คอมโพสิตเพื่อวัดพลังของไดโอดกับไมโครเวฟ 0.02mw 10 K แข็ง สาดโค้งแสดงสัญญาณที่ได้รับจาก VG = 10 และ 0 ตามลำดับ ( ข ) สนามที่เกิดจากสัญญาณเนื่องจากการ pcbm หัวรุนแรงไอออนได้โดยลบจากสัญญาณที่ VG = 0v จากที่ 2 = 10 และ 30 โวลต์