Random Al back surface field (BSF)

Random Al back surface field (BSF) p-type Si solar cells are presented, where a stack of Al2O3 and SiNx is used as rear surface passivation layer containing blisters. It is shown that no additional contact opening step is needed, since during co-firing local Al BSFs are induced at the location of these blisters. The best fill factors and short circuit currents are obtained in the case of (i) a hydrophobic pre-passivation cleaning, since it leads to a small density of larger blisters, and (ii) 10 nm of Al2O3, where the blistering size still increases during firing thanks to additional out-gassing. There is an apparent gain in Jsc and Voc of, respectively, 1.3 mA/cm2 and 5 mV for the best random Al BSF cells compared to full Al BSF reference cells, because of better rear internal reflection and rear surface passivation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สุ่มอัลฟิลด์กลับผิว (BSF) ชนิดพีซีเซลล์แสงอาทิตย์จะมีการนำเสนอ ซึ่งใช้กองซ้อนของ Al2O3 และ SiNx เป็นชั้นผิว passivation หลังประกอบด้วยแผล เป็นแสดงว่า ขั้นตอนการเปิดการติดต่อเพิ่มเติมไม่จำเป็น เนื่องจากในระหว่างการยิงร่วม เฉพาะ Al BSFs จะเกิดที่ตำแหน่งของแผลเหล่านี้ สุดเติมปัจจัยและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรจะได้รับในกรณีที่ (i) การ passivation hydrophobic ก่อนทำความสะอาด เนื่องจากจะนำไปสู่ความหนาแน่นขนาดเล็กของแผลใหญ่กว่า และ (ii) 10 nm ของ Al2O3 ที่ขนาด blistering ยังคงเพิ่มขึ้นในระหว่างการยิงด้วยระบบเพิ่มเติมแจ้ง gassing ขึ้น มีกำไรเห็นได้ชัดเจนใน Jsc Voc ของ ตามลำดับ 1.3 mA/cm2 และ 5 mV สุดสุ่ม Al BSF สำหรับเซลล์เมื่อเทียบกับเต็ม Al BSF อ้างอิงเซลล์ passivation หลังผิวและสะท้อนกลับหลังดีกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สุ่มอัลกลับด้านพื้นผิว (BSF) ชนิดพีศรีเซลล์แสงอาทิตย์จะถูกนำเสนอที่สแต็คของ Al2O3 และ SiNx จะใช้เป็นพื้นผิวด้านหลังชั้นฟิล์มที่มีแผล มันแสดงให้เห็นว่าไม่มีการติดต่อเปิดขั้นตอนเพิ่มเติมเป็นสิ่งจำเป็นเนื่องจากในระหว่างการร่วมยิง BSFs อัลท้องถิ่นจะเหนี่ยวนำให้เกิดในสถานที่ของแผลเหล่านี้ ปัจจัยที่ดีที่สุดเติมและกระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่จะได้รับในกรณีที่ (i) การทำความสะอาดก่อนทู่น้ำเพราะมันจะนำไปสู่​​ความหนาแน่นของเล็ก ๆ ของแผลขนาดใหญ่และ (ii) 10 นาโนเมตรของ Al2O3 ที่ขนาดพองยังคงเพิ่มขึ้น ในระหว่างการยิงขอบคุณเพิ่มเติมจากแก๊ส มีกำไรที่เห็นได้ชัดใน Jsc และ Voc คือตามลำดับ 1.3 mA / cm2 และ 5 mV สำหรับเซลล์ BSF อัสุ่มที่ดีที่สุดเมื่อเทียบกับอัล BSF เต็มเซลล์อ้างอิงเพราะสะท้อนด้านหลังที่ดีขึ้นและพื้นผิวด้านหลังฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สุ่มล กลับพื้นผิวสนาม ( BSF ) พี ซี เซลล์แสงอาทิตย์จะนำเสนอที่กองซ้อนของ Al2O3 sinx และใช้เป็นด้านหลังผิวรุ้ง ชั้นประกอบด้วยส่า มันแสดงให้เห็นว่าไม่มีเพิ่มเติมติดต่อเปิดขั้นตอนที่จำเป็น ตั้งแต่ท้องถิ่น อัล bsfs เป็น induced Co ยิงที่ตำแหน่งของแผลเหล่านี้ดีที่สุดเติมปัจจัยและกระแสลัดวงจรได้ ในกรณีของ ( ผม ) ) รุ้ง ทำความสะอาดก่อน เพราะจะทำให้ความหนาแน่นของแผลขนาดเล็ก ขนาดใหญ่ และ ( 2 ) 10   nm ของ Al2O3 ที่พองขนาดยังเพิ่มขึ้นในการขอบคุณเพิ่มเติมจาก gassing . มีการรับแจ้ง และ VOC ของ JSC ) 13 อะไรมา / cm2 และ 5 รึเปล่า MV สิ่งที่ดีที่สุดสุ่มล BSF เซลล์เมื่อเปรียบเทียบกับเซลล์เต็มอัล BSF อ้างอิง เพราะดีกว่าหลังภายในและสะท้อนผิวรุ้ง ด้านหลัง