Fig. 2. (a) EBIC signal of a P3HT:P

Fig. 2. (a) EBIC signal of a P3HT:PCBM solar cell at a beam energy of 5 kV. The device was annealed at 150 C. The electron beam exposure area was 380 ตm² and the step size 21 μm. The dashed black line indicates the line scan shown in (b). (c) secondary electron image of the examined area. From Ref. [2].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 2 (ก) EBIC สัญญาณของเซลล์แสงอาทิตย์ P3HT:PCBM ที่พลังงานแสง 5 kV อุปกรณ์ถูก annealed ที่ 150 C. บริเวณแสงลำแสงอิเล็กตรอนถูก 380 ตm² และขั้นตอนขนาด 21 μm สีดำเส้นประแสดงแกนบรรทัดที่แสดงใน (b) (c) รูปภาพอิเล็กตรอนรองพื้นที่กล่าวถึง จากอิง [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป 2. (ก) สัญญาณ EBIC ของ P3HT: PCBM เซลล์แสงอาทิตย์ที่ลำแสงพลังงาน 5 กิโลโวลต์ อุปกรณ์ที่ได้รับการอบที่ 150 องศาเซลเซียสอิเล็กตรอนพื้นที่การเปิดรับแสงเป็น 380 ตารางเมตรตและขนาดขั้นตอนที่ 21 ไมโครเมตร เส้นสีดำประสแกนแสดงให้เห็นเส้นที่แสดงใน (ข) (ค) ภาพอิเล็กตรอนรองของพื้นที่ตรวจสอบ จากการอ้างอิง [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 2 ( 1 ) สัญญาณ ebic ของ p3ht : pcbm เซลล์แสงอาทิตย์เป็นพลังงานแสง 5 KV . อุปกรณ์อบที่อุณหภูมิ 150 C ลำแสงอิเล็กตรอนแสงพื้นที่ 380 ตมพนักงานขาย และขั้นตอนμขนาด 21 เมตร ประดำเส้นแสดงบรรทัดสแกนแสดงใน ( B ) ( ค ) ตรวจสอบภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิของพื้นที่ อ้างอิงจาก [ 2 ]