3.5. Possible mechanism for the for

3.5. Possible mechanism for the formation of the eight impurities
Six formation routes for impurities are proposed to man-ufacture VTXT (Figs. 5 and 6). In route 1, SMA may containp-bromoiodobenzene (SMA-1) as an impurity, and affords Imp-A following the same reaction that gives VTXT. Simultaneously,SMA-1 affords Imp-C in the subsequent reaction of VTXT when noreaction with SMB occurs. In route 2, VTXT might be oxidized athigh temperatures, affording sulfoxide Imp-B. In route 3, SMB mightcontain 2,6-dimethylbenzenethiol (SMB-1) as an impurity, afford-ing Imp-E by the same reaction that yields VTXT. In route 4, SMAaffords Imp-F via Imp-D when no reaction with SMB occurs. In route5, VTXT and Imp-D are coupled at high temperatures, affording thecoupled impurity Imp-G. In route 6, the catalyst ligand rac-binap isoxidized at high temperatures, affording the oxide impurity Imp-H

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.5 กลไกการก่อตัวของสิ่งสกปรกแปดเป็นไปได้หกเส้นทางการก่อตัวสำหรับสิ่งสกปรกทั้งสิ้น VTXT คน ufacture (มะเดื่อ. 5 และ 6) ในเส้นทางที่ 1, SMA อาจ containp-bromoiodobenzene (SMA-1) เป็นการบริสุทธิ์ และอันต่อไปนี้ Imp A ปฏิกิริยาเดียวกันที่ให้ VTXT พร้อมกัน SMA-1 แล้ว Imp C ในปฏิกิริยาตามมาของ VTXT เมื่อเกิด noreaction กับ SMB ในเส้นทางที่ 2, VTXT อาจจะออกซิไดซ์ athigh อุณหภูมิ ซึ่ง sulfoxide Imp-b ในเส้นทางที่ 3, SMB mightcontain ภาชนะ 2, 6-dimethylbenzenethiol (SMB-1) เป็นการบริสุทธิ์ ing จ่าย Imp-E โดยปฏิกิริยาเดียวกัน ที่ผล VTXT ในเส้นทางที่ 4, SMAaffords Imp-F ผ่าน Imp D เมื่อไม่เกิดปฏิกิริยากับ SMB เกิดขึ้น ใน route5, VTXT และ Imp D ควบคู่ที่อุณหภูมิสูง ซึ่งมลทิน thecoupled Imp กรัม ในกระบวนการผลิต 6, isoxidized rac binap ลิแกนด์ตัวเร่งปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูง ซึ่งไม่บริสุทธิ์ออกไซด์ Imp-H

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.5 กลไกที่เป็นไปได้สำหรับการก่อตัวของแปดสิ่งสกปรก
หกเส้นทางการก่อตัวสำหรับสิ่งสกปรกที่มีการเสนอให้มนุษย์ ufacture VTXT (มะเดื่อ. 5 และ 6) ในเส้นทางที่ 1, SMA อาจ containp-bromoiodobenzene (SMA-1) เป็นสิ่งเจือปนและกำบัง Imp-A ต่อไปนี้ปฏิกิริยาเดียวกันที่ให้ VTXT พร้อมกัน SMA-1 กำบัง IMP-C ในการเกิดปฏิกิริยาที่ตามมาของ VTXT เมื่อ noreaction กับ SMB เกิดขึ้น ในเส้นทางที่ 2 VTXT อาจจะมีการออกซิไดซ์ athigh อุณหภูมิเจตนารมณ์ sulfoxide IMP-B ในเส้นทางที่ 3, SMB mightcontain 2,6-dimethylbenzenethiol (SMB-1) เป็นปนเปื้อนที่ไอเอ็นจี IMP-E จากปฏิกิริยาเดียวกันที่ทำให้ VTXT ในเส้นทางที่ 4 SMAaffords IMP-F ผ่าน IMP-D เมื่อทำปฏิกิริยากับ SMB ไม่เกิดขึ้น ใน route5, VTXT และ IMP-D เป็นคู่ที่อุณหภูมิสูงเจตนารมณ์ thecoupled สิ่งเจือปน IMP-G ในเส้นทางที่ 6 ตัวเร่งปฏิกิริยาแกนด์ RAC-binap isoxidized ที่อุณหภูมิสูงเจตนารมณ์ออกไซด์ปนเปื้อน IMP-H

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.5 . กลไกที่เป็นไปได้สำหรับการก่อตัวของแปดปลอมหกเส้นทางการพัฒนาสำหรับสิ่งสกปรกจะเสนอให้คน ufacture vtxt ( Figs 5 และ 6 ) ในเส้นทางที่ 1 , SMA อาจ containp bromoiodobenzene ( sma-1 ) เป็นมลทิน และ affords imp-a ต่อไปนี้เหมือนกันปฏิกิริยาที่ให้ vtxt . พร้อมกัน sma-1 affords imp-c ในปฏิกิริยาที่ตามมาของ vtxt เมื่อ noreaction กับ SMB เกิดขึ้น ในเส้นทางที่ 2 vtxt อาจจะถูกออกซิไดซ์มากทำให้อุณหภูมิ , ซัลฟอกไซด์ imp-b. ในเส้นทาง 3 , SMB mightcontain 2,6-dimethylbenzenethiol ( smb-1 ) เป็นบริสุทธิ์ , ซื้อ imp-e ไอเอ็นจีโดยเดียวกัน ปฏิกิริยาที่ให้ผล vtxt . ในเส้นทาง 4 , smaaffords imp-f ผ่าน imp-d เมื่อไม่มีปฏิกิริยากับ SMB เกิดขึ้น ใน route5 vtxt imp-d , และคู่ที่อุณหภูมิสูง ทำให้ thecoupled มล imp-g. ใน 6 เส้นทาง , ลิแกนด์ RAC binap isoxidized ตัวเร่งปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูง ทำให้ imp-h ออกไซด์บริสุทธิ์