Through previous analysis, we know

Through previous analysis, we know that the VO2 thin film of the multilayered structure is infrared transparent in its semiconducting phase when the temperature is low such as 25 ◦C and is infrared opaque in its metallic phase when the temperature is high such as 50 ◦C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผ่านการวิเคราะห์ก่อนหน้านี้ เรารู้ว่าฟิล์มบาง VO2 โครงสร้าง multilayered อินฟราเรดโปร่งใสในขั้นตอนของตัวเมื่ออุณหภูมิต่ำเช่น 25 ◦C และ ทึบแสงอินฟราเรดในเฟสของโลหะเมื่ออุณหภูมิไม่สูงเช่น 50 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผ่านการวิเคราะห์ก่อนหน้านี้เรารู้ว่า VO2 ฟิล์มบางของโครงสร้างพหุเป็นอินฟราเรดโปร่งใสในขั้นตอนการสารกึ่งตัวนำเมื่ออุณหภูมิต่ำเช่น 25 ◦Cและทึบแสงอินฟาเรดในขั้นตอนของโลหะเมื่ออุณหภูมิสูงเช่น 50 ◦C .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผ่านการวิเคราะห์ก่อนหน้านี้ เรารู้ว่าการใช้ออกซิเจนแบบฟิล์มบางของโครงสร้างมัลติเลเยอร์ คือ อินฟราเรดโปร่งใสระยะกึ่งตัวนำเมื่ออุณหภูมิต่ำเช่น 25 ◦ C และอินฟราเรดทึบแสงในเฟสของโลหะเมื่อมีอุณหภูมิสูง เช่น 50 ◦ C