Copper oxide films have been sputte

Copper oxide films have been sputter deposited on glass substrates by reactive rf magnetron sputtering, using a solid copper target and an argon–oxygen gas atmosphere. The films were characterized by SEM/EDAX, XPS, AFM, profilometry and spectrophotometry. Optical transmission in the prepared films was measured by spectrophotometry in the 400–850 nm wavelength region. The optical transmission was found to increase from below 10% to above 80% as the rf power was reduced from 800 to 200 W at a wavelength of 550 nm. The optical bandgap value also increased from 2.05 to 2.4 eV with a reduction in rf power from 800 to 200 W.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกไซด์ทองแดงภาพยนตร์ได้ sputter ฝากไว้บนพื้นผิวแก้ว โดยปฏิกิริยา rf ผลิตกล่องจากกระดาษสปัตเตอร์ ใช้บรรยากาศก๊าซอาร์กอนออกซิเจนและเป้าหมายทองแดงแข็ง ภาพยนตร์ถูกลักษณะ โดย SEM/EDAX, XPS, AFM, profilometry และ spectrophotometry ส่งผ่านแสงในภาพยนตร์เตรียมถูกวัด โดย spectrophotometry ในแถบความยาวคลื่น 400 – 850 nm การส่งผ่านแสงพบว่าเพิ่มขึ้นจากด้านล่าง 10% สูงกว่า 80% เป็นพลังงาน rf ลดลงจาก 800 เป็น 200 W ที่ความยาวคลื่น 550 nm ค่าแสง bandgap ยัง เพิ่มขึ้นจาก 2.05 เป็น 2.4 eV การลดพลังงาน rf จาก 800 เป็น 200 วัตต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มออกไซด์ทองแดงได้รับการฝากปะทุบนพื้นผิวแก้วโดยปฏิกิริยาสปัตเตอร์ RF magnetron โดยใช้เป้าหมายทองแดงที่เป็นของแข็งและบรรยากาศก๊าซอาร์กอนออกซิเจน ภาพยนตร์ที่โดดเด่นด้วย SEM / EDAX, XPS, AFM, profilometry และ spectrophotometry การส่งผ่านแสงในภาพยนตร์ที่เตรียมไว้โดยวัดจาก spectrophotometry ใน 400-850 นาโนเมตรช่วงความยาวคลื่น ส่งแสงพบว่าเพิ่มขึ้นจากต่ำกว่า 10% จะสูงเกินกว่า 80% เป็นพลังงาน RF ลดลง 800-200 W ที่ความยาวคลื่น 550 นาโนเมตร ค่า bandgap แสงเพิ่มขึ้น 2.05-2.4 eV กับการลดการใช้พลังงาน RF 800-200 ดับบลิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ออกไซด์ทองแดงภาพยนตร์ได้รับมิดหมีฝากไว้บนกระจกพื้นผิวโดยปฏิกิริยา RF ตรอนสปัตเตอริง การใช้ชิ้นงานทองแดงแข็งและก๊าซอาร์กอนและออกซิเจนในบรรยากาศ . ภาพยนตร์ที่ถูก characterized โดย SEM / edax XPS AFM profilometry , และ , วิธี . การส่งผ่านแสงในเตรียมฟิล์มถูกวัดโดยวิธีใน 400 –  nm ความยาวคลื่น 850 ) การส่งผ่านแสง พบว่าเพิ่มขึ้นจากด้านล่าง 10% ข้างต้น 80% ขณะที่พลังงาน RF ถูกลดลงจาก 800 200   W ที่ความยาวคลื่น 550   nm . ค่า bandgap แสงเพิ่มขึ้นจาก 2.05 2.4   EV ด้วยการลดพลังงาน RF จาก 800 200   W