The proposed COM package, as shown

The proposed COM package, as shown in Fig. 2, has the dielectric layer of the COB package metal PCB removed to directly install the chip to the aluminum metal base surface. This is so the heat produced from the chip can be directly absorbed by the aluminum metal base. The package configuration is a low thermal resistance LED package structure with the simplest configuration of three thermal nodes. The test specimens used in this research were the COB and COM packages that were fabricated in the same conditions. The chips for the COB and COM packages were of InGaN/Sapphire type 1.1 mm×1.1 mm and 1 W and 16 chips were arranged in a multi array structure with 4 in parallel position and 4 in serial position. For the metal PCB, 2 types of COB PCB and COM PCB were fabricated as shown in Fig. 3. The chip was directly installed on the Cu layer for the COB and on the aluminum plate for the COM. The adhesive used between the PCB and the chip was Ag epoxy, which has a thermal conductivity of 20 W/mK. Table 1 organizes the properties of the material used in the manufacture of the LED. Fig. 4 shows the COM package assembly process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แพคเกจ COM เสนอ ดังที่แสดงในรูป 2 มีชั้นฉนวนของซังแพคเกจโลหะ PCB ออกการติดตั้งชิอลูมิเนียมโลหะฐานพื้นผิวโดยตรง นี่คือเพื่อให้ความร้อนที่ผลิตจากชิสามารถดูดซึมโดยตรง ด้วยฐานอลูมิเนียมโลหะ การกำหนดค่าแพคเกจไม่ต้านทานความร้อนต่ำไฟ LED โครงสร้างแพคเกจการกำหนดค่าที่ง่ายที่สุดของโหนความร้อนสาม ตัวอย่างทดสอบที่ใช้ในการวิจัยนี้มีแพคเกจซังและ COM ที่ถูกประดิษฐ์ในเงื่อนไขเดียวกัน เบี้ยสำหรับแพคเกจซังและ COM ถูกของ InGaN/ไพลิน พิมพ์ 1.1 มม. × 1 1 มิลลิเมตร และ 1 W และ 16 ชิปถูกจัดในโครงสร้างแถวลำดับหลายในตำแหน่งคู่ขนานและในตำแหน่งประจำ สำหรับ PCB โลหะ 2 ชนิดของ PCB ซังและ COM PCB ถูกประดิษฐ์ดังแสดงในรูปที่ 3 ชิโดยตรงติดตั้ง บนชั้น Cu สำหรับซัง และ บนแผ่นอลูมิเนียมสำหรับการ COM. กาวที่ใช้ระหว่าง PCB และชิคือ อีพ็อกซี่ Ag ซึ่งมีการนำความร้อนของ 20 W/mK ตารางที่ 1 จัดคุณสมบัติของวัสดุที่ใช้ในการผลิต LED รูป 4 แสดงขั้นตอนการประกอบแพคเกจ COM

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แพคเกจ COM เสนอดังแสดงในรูป 2 มีชั้นอิเล็กทริกของ PCB โลหะแพคเกจซังออกโดยตรงในการติดตั้งชิปอลูมิเนียมผิวฐานโลหะ นี้เพื่อให้ความร้อนที่ผลิตจากชิปสามารถดูดซึมได้โดยตรงโดยฐานโลหะอลูมิเนียม การกำหนดค่าแพคเกจเป็นต้านทาน LED โครงสร้างแพ็กเกจความร้อนต่ำกับการกำหนดค่าที่ง่ายที่สุดของสามโหนดความร้อน ตัวอย่างทดสอบที่ใช้ในการวิจัยครั้งนี้มีซังและ COM แพคเกจที่ถูกประดิษฐ์ในสภาพเดียวกัน ชิปสำหรับซังและ COM แพคเกจเป็นประเภท InGaN / ไพลิน 1.1 มม× 1.1 มิลลิเมตรและ 1 W และ 16 ชิปถูกจัดอยู่ในโครงสร้างอาร์เรย์หลายคู่ที่ 4 ในตำแหน่งขนานและ 4 ในตำแหน่งอนุกรม สำหรับ PCB โลหะ 2 ชนิด PCB ซังและ COM PCB ประดิษฐ์ดังแสดงในรูป 3 ชิปได้รับการติดตั้งโดยตรงบนชั้นจุฬาฯ ซังและบนแผ่นอลูมิเนียมสำหรับการ COM กาวที่ใช้ในระหว่าง PCB และชิปเป็น Ag อีพ็อกซี่ซึ่งมีค่าการนำความร้อน 20 W / mK ตารางที่ 1 จัดคุณสมบัติของวัสดุที่ใช้ในการผลิตไฟ LED ที่ มะเดื่อ. 4 แสดงขั้นตอนการประกอบ COM แพคเกจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เสนอขายแพคเกจ ดังแสดงในรูปที่ 2 ได้ชั้นไดอิเล็กทริกของฝักชุด PCB โลหะออกโดยติดตั้งชิปไปยังพื้นผิวฐานโลหะอลูมิเนียม นี้เป็นดังนั้นความร้อนที่ผลิตโดยตรงจากชิปสามารถดูดซึมโดย อลูมิเนียม โลหะพื้นฐาน แพคเกจการกําหนดค่าความต้านทานความร้อนต่ำทำให้โครงสร้างบรรจุภัณฑ์กับการตั้งค่าที่ง่ายที่สุดของทั้งสามจุดความร้อน ทดสอบตัวอย่างที่ใช้ในการวิจัยคือ ซัง และคอมแพคเกจที่ถูกประดิษฐ์ในเงื่อนไขเดียวกัน ชิปสำหรับซังจึงบรรจุของ ingan / พลอยประเภท 1.1 มิลลิเมตร× 1.1 มิลลิเมตร และ 1 ใน 16 ชิปมีการจัดในโครงสร้างอาร์เรย์หลาย 4 ตำแหน่ง 4 ตำแหน่งในแบบขนานและอนุกรม สำหรับ PCB โลหะ 2 ชนิดของ PCB PCB ซังจึงถูกประดิษฐ์ดังแสดงในรูปที่ 3 ชิปที่ติดตั้งโดยตรงบนทองแดงชั้นสำหรับซังและบนแผ่นอลูมิเนียมสำหรับ com กาวที่ใช้ระหว่าง PCB และชิปเ ีอีพ็อกซี่ที่มีค่าการนำความร้อนของ 20 w / เอ็มเค ตารางที่ 1 จัดคุณสมบัติของวัสดุที่ใช้ในการผลิต LED รูปที่ 4 แสดงคอมแพคเกจประกอบกระบวนการ