The solution resistance, Rs, was si

The solution resistance, Rs, was similar in all of the experiments, since the additions of small amounts of xanthate and cyanide species did not further increase the already high solution conductivity. The addition of xanthate into the background solution resulted in lowering the capacitance from 48.8 × 10−5 to 40.0 × 10−5 S ∗ sn. The higher impedance values in the intermediate frequency region of Bode plots in Fig. 12(b) also reflected a smaller electrode capacitance, presumably due to the formation of a continuous surface species on pyrite. The formation of a surface layer consisting mostly of dixanthogen as a result of xanthate adsorption was proposed previously using impedance techniques ( Venter and Vermaak, 2008). Dixanthogen is formed by anodic oxidation of xanthate at pyrite surface coupled with cathodic reduction of adsorbed oxygen or surface ferric hydroxide ( Haung and Miller, 1978, Janetski et al., 1977 and Valdivieso et al., 2005). In 1 mM amyl xanthate solution, a hydrophobic pyrite surface was observed at a potential more than 0.019 V (SHE) corresponding to the reversible potential for the amyl xanthate/diamyl dixanthogen couple ( Miller et al., 2006). This is in agreement with the cyclic voltammetry in the present study. The impedance in the present study was measured at an open circuit potential (−65 mV vs. Ag/AgCl, 3 M KCl) which is well above the reversible potential of xanthate–dixanthogen couple. Thus the formation of dixanthogen was expected to be responsible for the decrease in capacitance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต้านทานโซลูชั่น อาร์เอส ถูกเหมือนในการทดลอง เนื่องจากการเพิ่มของเงินพันธุ์ xanthate และไซยาไนด์ได้ไม่เติมเพิ่มนำโซลูชันสูงแล้ว การเพิ่ม xanthate ลงในการแก้ปัญหาพื้นหลังส่งผลให้ลดค่าความจุจาก 48.8 × 10−5 ถึง 40.0 × 10−5 S ∗ sn ค่าความต้านทานสูงในภูมิภาคความถี่กลางของที่ดิน Bode ใน Fig. 12(b) ยังสะท้อนความอิเล็กโทรดมีขนาดเล็ก สันนิษฐานว่าเนื่องจากการก่อตัวของ pyrite พันธุ์พื้นผิวต่อเนื่อง การก่อตัวของชั้นผิวประกอบด้วย dixanthogen จาก xanthate ดูดซับส่วนใหญ่ถูกนำเสนอก่อนหน้านี้ ใช้เทคนิคความต้านทาน (Venter และ Vermaak, 2008) Dixanthogen จะเกิดขึ้น โดย anodic ออกซิเดชันของ xanthate ที่ควบคู่กับลด cathodic adsorbed ออกซิเจนหรือไฮดรอกไซด์เฟอร์ผิวผิว pyrite (Haung และมิลเลอร์ 1978, Janetski et al., 1977 และ Valdivieso et al., 2005) ใน 1 mM amyl xanthate โซลูชัน hydrophobic pyrite พื้นผิวถูกสังเกตที่ศักยภาพที่มากกว่า 0.019 V (เธอ) ที่สอดคล้องกับศักยภาพย้อนกลับสำหรับคู่ xanthate/diamyl dixanthogen amyl (มิลเลอร์และ al., 2006) โดยยังคง voltammetry ทุกรอบในการศึกษาปัจจุบัน ความต้านทานในการศึกษาปัจจุบันเป็นวัดที่การเปิดวงจรศักยภาพ (−65 mV เทียบกับ Ag/AgCl, 3 M KCl) ซึ่งอยู่เหนือศักยภาพของคู่ xanthate – dixanthogen กลับดี ดังนั้น การก่อตัวของ dixanthogen ถูกคาดว่าจะลดลงในความรับผิดชอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้านทานการแก้ปัญหา, อาร์เอสเป็นที่คล้ายกันในทุกการทดลองเนื่องจากการเพิ่มของจำนวนเงินขนาดเล็กของ xanthate และพันธุ์ไซยาไนด์ไม่ได้เพิ่มสูงขึ้นอีกการนำโซลูชั่นที่สูงอยู่แล้ว นอกเหนือจาก xanthate ลงในสารละลายพื้นหลังส่งผลในการลดความจุจาก 48.8 × 10-5 เพื่อ 40.0 × 10-5 S * SN ค่าความต้านทานที่สูงขึ้นในภูมิภาคความถี่กลางของแปลงเป็นลางบอกเหตุในรูป 12 (ข) นอกจากนี้ยังสะท้อนให้เห็นถึงความจุขั้วไฟฟ้าขนาดเล็กน่าจะเกิดจากการก่อตัวของสายพันธุ์พื้นผิวอย่างต่อเนื่องในหนาแน่น การก่อตัวของชั้นผิวส่วนใหญ่ประกอบด้วย dixanthogen เป็นผลมาจากการดูดซับ xanthate ถูกเสนอก่อนหน้านี้โดยใช้เทคนิคความต้านทาน (Venter และความบันเทิง 2008) Dixanthogen จะเกิดขึ้นโดยไลซิสของ xanthate ที่พื้นผิวหนาแน่นควบคู่ไปกับการลด cathodic ออกซิเจนดูดซับหรือพื้นผิวไฮดรอกไซเฟอริก (Haung และมิลเลอร์ 1978 Janetski et al., 1977 และ Valdivieso et al., 2005) ใน 1 มิลลิ amyl แก้ปัญหา xanthate, พื้นผิวหนาแน่นชอบน้ำเป็นข้อสังเกตที่มีศักยภาพมากขึ้นกว่า 0.019 V (SHE) ที่สอดคล้องกับศักยภาพย้อนกลับสำหรับ amyl xanthate / diamyl dixanthogen คู่ (มิลเลอร์ et al., 2006) นี้อยู่ในข้อตกลงกับ Voltammetry วงจรในการศึกษาปัจจุบัน ความต้านทานในการศึกษาครั้งนี้ได้รับการวัดที่วงจรเปิดที่มีศักยภาพ (-65 mV เทียบกับ Ag / AgCl, 3 M KCl) ซึ่งสูงกว่าที่มีศักยภาพย้อนกลับของคู่ xanthate-dixanthogen ดังนั้นการก่อตัวของ dixanthogen ที่คาดว่าจะต้องรับผิดชอบต่อการลดลงของความจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โซลูชั่นต้านทาน , RS , ที่คล้ายกันในทั้งหมดของการทดลอง เนื่องจากการเพิ่มของจำนวนเงินขนาดเล็กของภูเก็ตและไซยาไนด์ชนิดไม่เพิ่มโซลูชั่นสูง แล้วนำ นอกเหนือจากภูเก็ตให้เป็นทางออกหลังมีผลในการลดความจุ 2 × 10 − 5 จาก 40.0 × 10 − 5 s ∗ SN .สูงกว่าค่าอิมพีแดนซ์ในความถี่กลางภาคลางแปลงในรูปที่ 12 ( B ) นอกจากนี้ยังสะท้อนให้เห็นถึงความจุไฟฟ้าขนาดเล็ก ซึ่งสันนิษฐานว่าเกิดจากการก่อตัวของผิวอย่างต่อเนื่องชนิดที่ไพ . การก่อตัวของชั้นผิวประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ dixanthogen เป็นผลของการดูดซับแซนเสนอก่อนหน้านี้โดยใช้เทคนิคอิมพีแดนซ์ ( การออกเสียง และ vermaak , 2008 )dixanthogen เกิดจากการออกซิเดชันของภูเก็ตที่ควบคู่กับการกัดกร่อนของไพผิวดูดซับออกซิเจนหรือพื้นผิวเฟอร์ริกไฮดรอกไซด์ ( haung และมิลเลอร์ , 1978 , janetski et al . , 1977 และ valdivieso et al . , 2005 ) ใน 1 มม. เอมิลภูเก็ตแก้ปัญหาผิวไพ ) พบว่าเวลาที่มีศักยภาพมากกว่า 0019 V ( เธอ ) ที่อาจเกิดขึ้นได้สำหรับเอมิลภูเก็ต / diamyl dixanthogen คู่ ( มิลเลอร์ et al . , 2006 ) นี้สอดคล้องกับแสงยูวีแบบในการศึกษาปัจจุบัน อิมพีแดนซ์ในการศึกษาครั้งนี้ คือวัดที่เป็นแบบเปิดที่มีศักยภาพ ( − 65 MV vs Ag / 0.46% 3 M KCl ) ซึ่งคือเหนือศักยภาพของภูเก็ต– dixanthogen แบบคู่ดังนั้นการก่อตัวของ dixanthogen คาดว่าจะรับผิดชอบสำหรับการลดความจุ .