A comprehensive analytical model fo

A comprehensive analytical model for the operating characteristics of semiconductor lasers with a low-dimensional active region is developed. Particular emphasis is given to the effect of capture delay of both electrons and holes from a bulk optical confinement region into a quantum-confined active region and an extended set of rate equations is used. We derive a closed-form expression for the internal quantum efficiency as an explicit function of the injection current and parameters of a laser structure. Due to either electron or hole capture delay, the internal efficiency decreases with increasing injection current above the lasing threshold thus causing sublinearity of the light-current characteristic of a laser.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีพัฒนาแบบจำลองการวิเคราะห์ที่ครอบคลุมสำหรับลักษณะการทำงานของเลเซอร์สารกึ่งตัวนำมีพื้นที่ใช้งานขนาดต่ำ โดยให้ผลของความล่าช้าในการจับภาพของอิเล็กตรอนและหลุมจากบริเวณเก็บกักแสงจำนวนมากลงในพื้นที่ใช้งานจำกัดควอนตัม และใช้การตั้งค่าเพิ่มเติมของสมการอัตรา เราได้รับนิพจน์การปิดฟอร์มสำหรับประสิทธิภาพควอนตัมภายในเป็น explicit ฟังก์ชั่นของการฉีดปัจจุบันและพารามิเตอร์ของโครงสร้างเลเซอร์ เนื่องจากอิเล็กตรอนหรือหลุมถ่ายหน่วงเวลา ประสิทธิภาพภายในลดลงเมื่อเพิ่มฉีดปัจจุบันเหนือค่าเกณฑ์ lasing ที่ทำ sublinearity ของลักษณะปัจจุบันแสงเลเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบการวิเคราะห์ที่ครอบคลุมสำหรับลักษณะการดำเนินงานของเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์กับพื้นที่การใช้งานต่ำมิติได้รับการพัฒนา โดยเน้นเฉพาะจะได้รับผลกระทบจากความล่าช้าในการจับภาพของทั้งอิเล็กตรอนและหลุมจากการคุมขังภูมิภาคแสงเป็นกลุ่มเป็นภูมิภาคท​​ี่ใช้งานควอนตัมที่ถูกคุมขังและชุดขยายของสมการอัตราการถูกนำมาใช้ เราได้แสดงออกปิดรูปแบบให้มีประสิทธิภาพภายในควอนตัมเป็นฟังก์ชั่นอย่างชัดเจนของกระแสการฉีดและพารามิเตอร์ของโครงสร้างเลเซอร์ เนื่องจากทั้งอิเล็กตรอนหรือหลุมจับความล่าช้าที่มีประสิทธิภาพภายในลดลงด้วยการเพิ่มการฉีดในปัจจุบันสูงกว่าเกณฑ์ lasing จึงก่อให้เกิด sublinearity ของลักษณะแสงปัจจุบันของเลเซอร์