tion in crystallinity and hence an

tion in crystallinity and hence an increase in the fraction of the amorphous phase. Consequently, the βa process would be expected to intensify. Quenching also generates smaller crystallites and increases the concentration of do-main walls and their contribution should also enhance the βa process. Fig. 10 compares the isothermal dielectric spectra of annealed and quenched P(VDF-TrFE) in the glass transition region. The strength of the βa relaxation in the quenched sample is about 25% larger than that in the spectra of the annealed one, and the dielectric constant ε of the former is consistently higher than that of the lat-ter at −10◦C. Similar enhancement of the βa process for

quenched P(VDF-TrFE) is also observed at other tem-peratures. As will be demonstrated later, quenching the ferroelectric relaxor terpolymer leads to quite different dielectric behavior, where quenching results in a reduc-tion of both the real and imaginary dielectric constants associated with this relaxation process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สเตรชันใน crystallinity และจึงเพิ่มในส่วนของขั้นตอนไป ดังนั้น การ βa จะต้องซ้ำเติม ชุบยังสร้าง crystallites ที่มีขนาดเล็กลง และเพิ่มความเข้มข้นของผนังโดเมน และสัดส่วนของพวกเขายังควรเพิ่มการ βa Fig. 10 เปรียบเทียบแรมสเป็คตราเป็นฉนวน isothermal ของ annealed และ quenched P(VDF-TrFE) ในภูมิภาคเปลี่ยนแก้ว แข็งแรงผ่อนคลาย βa ในตัวอย่าง quenched มากกว่าแรมสเป็คตราของ annealed ที่ประมาณ 25% และε dielectric ค่าคงที่ของอดีตอย่างสม่ำเสมอสูงกว่าของเธอลาดที่ −10◦C คล้ายการเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการ βaนอกจากนี้ยังมีสังเกต quenched P(VDF-TrFE) ที่ peratures ยการอื่น ๆ ดังที่จะแสดงในภายหลัง ชุบ terpolymer ferroelectric relaxor นำลักษณะเป็นฉนวนค่อนข้างแตกต่างกัน การที่ชุบด้วยผลใน reduc สเตรชันทั้งจริง และจำนวนจินตภาพ dielectric ค่าคงที่ที่เกี่ยวข้องกับกระบวนการนี้เป็นการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการเป็นผลึกและด้วยเหตุนี้การเพิ่มขึ้นในส่วนของขั้นตอนการสัณฐาน ดังนั้นกระบวนการβaจะคาดว่าจะมีกำลังแรงขึ้น ดับนอกจากนี้ยังสร้าง crystallites มีขนาดเล็กลงและเพิ่มความเข้มข้นของผนังทำหลักและผลงานของพวกเขานอกจากนี้ยังควรเพิ่มกระบวนการβa มะเดื่อ 10 เปรียบเทียบ isothermal เปคตรัมอิเล็กทริกของอบและดับ P (VDF-TrFE) ในภูมิภาคเปลี่ยนกระจก ความแข็งแรงของการพักผ่อนβaในกลุ่มตัวอย่างดับประมาณ 25% มีขนาดใหญ่กว่าในสเปกตรัมของอบหนึ่งและอิเล็กทริกคงที่εของอดีตเป็นอย่างต่อเนื่องสูงกว่าลาดพร้าว-ตรีที่-10◦C การเพิ่มประสิทธิภาพของที่คล้ายกันของกระบวนการβaสำหรับดับ P (VDF-TrFE) เป็นที่สังเกตยัง TEM-peratures อื่น ๆ ในฐานะที่จะแสดงให้เห็นต่อมาดับ terpolymer relaxor ferroelectric นำไปสู่พฤติกรรมที่แตกต่างกันมากอิเล็กทริกที่ผลดับใน reduc-การของทั้งสองคงที่อิเล็กทริกจริงและจินตนาการที่เกี่ยวข้องกับขั้นตอนการผ่อนคลายนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

tion ในผลึก และจึงเพิ่มในส่วนของเฟสไป . จากนั้น บีตา กระบวนการจะคาดหวังกระชับ ดับยังสร้าง crystallites ขนาดเล็กและเพิ่มความเข้มข้นของผนังหลักและผลงานของพวกเขายังควรเพิ่มบีตากระบวนการ ภาพประกอบ10 การเปรียบเทียบสเปกตรัมและอุณหภูมิอบดับ P ( ปัจจัย trfe คล้ายแก้ว ) ในภูมิภาค ความแข็งแรงของบีตาผ่อนคลายในดับตัวอย่างประมาณ 25% สูงกว่าในสเปกตรัมของอบหนึ่งและεค่าไดอิเล็กทริกของอดีตอย่างต่อเนื่องสูงกว่าของเต๋อ ลาดที่− 10 ◦ C เหมือนกันการเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการ

บีตาดับ P ( ปัจจัย trfe ) เป็นยังพบใน peratures แบบอื่น ๆ โดยจะแสดง ต่อมาดับที่เทอร์พอลิเมอร์รีแลคเซอร์เฟอร์โรอิเล็กทริก นำไปสู่พฤติกรรมที่ค่อนข้างแตกต่างไดอิเล็กทริก , ดับผลใน reduc tion ของทั้งจริงและจินตภาพค่าคงที่ไดอิเล็กทริกที่เกี่ยวข้องกับกระบวนการการผ่อนคลายนี้