A resistor (R1) in series with the

A resistor (R1) in series with the MOSFET gate reduce overshoot andringing caused by the MOSFET input capacitance and any inductancein series with the gate drive. (Note: It is very important to have alow inductance ground path to insure correct operation of the I.C.This can be done by making the ground paths as short and as wideas possible.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวต้านทาน (R1) ในชุดที่มีเกมอสเฟตลด overshoot andringing เกิดจากความเข้ามอสเฟตและชุด inductancein ใด ๆ ไดรฟ์ประตู (หมายเหตุ: จำเป็นอย่างยิ่งเพื่อให้เส้นทางล่าง inductance alow เพื่อประกันการดำเนินการที่ถูกต้องของ I.C.This สามารถทำได้ โดยการทำให้เส้นทางล่างสั้น และ เป็น wideas ได้ด้วย)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวต้านทาน (R1) ในชุดที่มีประตู MOSFET ลดแหก andringing ที่เกิดจากการป้อนข้อมูลความจุมอสเฟตและชุด inductancein กับไดรฟ์ประตูใด ๆ (หมายเหตุ: มันเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะมีการเหนี่ยวนำ alow เส้นทางพื้นดินเพื่อประกันการดำเนินการที่ถูกต้องของ ICThis สามารถทำได้โดยการทำเส้นทางพื้นดินเป็นระยะสั้นและเป็นไปได้ wideas.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีตัวต้านทาน ( R1 ) ในชุดกับประตูแบบ MOSFET ลด andringing เกิดจาก MOSFET ป้อนข้อมูลความจุและชุด inductancein กับประตูใด ๆไดรฟ์ ( หมายเหตุ : มันเป็นสิ่งสำคัญมากที่จะมีพื้นน้อยหรือเส้นทางเพื่อประกันการดำเนินการที่ถูกต้องของ i.c.this สามารถกระทำโดยการทำพื้นทางเดินที่สั้นและเป็น wideas ที่สุด )